Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
DDTC123JE-7
  • В избранное
  • В сравнение
DDTC123JE-7

DDTC123JE-7

DDTC123JE-7
;
DDTC123JE-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTC123JE-7
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523Все характеристики

Минимальная цена DDTC123JE-7 при покупке от 1 шт 93.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTC123JE-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTC123JE-7

DDTC123JE-7 — это транзистор типа NPN производства компании Diodes Incorporated. Он предназначен для использования в различных приборах благодаря своим техническим характеристикам.

  • Тип транзистора: NPN
  • Мощность: 150 мВт
  • Объемный корпус: SOT523

Основные параметры:

  • VCEO: 30 В (максимальное напряжение между коллектором и эмиттером)
  • IC: 600 мА (максимальный ток коллектора)
  • VBE(on): 0.7 В (напряжение между базой и эмиттером при переходном режиме)

Плюсы:

  • Высокая мощность
  • Надежность и стабильность работы
  • Компактный корпус SOT523
  • Простота применения

Минусы:

  • Максимальное напряжение может быть ограничено для некоторых приложений
  • Требует правильной теплоотводной системы для предотвращения перегрева

Общее назначение:

  • Усилитель сигналов
  • Регуляторы напряжения
  • Измерительные приборы
  • Производство электроники для потребителей

Применяется в:

  • Мобильных устройствах
  • Автомобилях
  • Электроприборах
  • Системах управления
Выбрано: Показать

Характеристики DDTC123JE-7

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-523
  • Исполнение корпуса
    SOT-523

Техническая документация

 DDTC123JE-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 615 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    93 ₽
  • 10
    57 ₽
  • 100
    36 ₽
  • 500
    27 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTC123JE-7
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523Все характеристики

Минимальная цена DDTC123JE-7 при покупке от 1 шт 93.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTC123JE-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTC123JE-7

DDTC123JE-7 — это транзистор типа NPN производства компании Diodes Incorporated. Он предназначен для использования в различных приборах благодаря своим техническим характеристикам.

  • Тип транзистора: NPN
  • Мощность: 150 мВт
  • Объемный корпус: SOT523

Основные параметры:

  • VCEO: 30 В (максимальное напряжение между коллектором и эмиттером)
  • IC: 600 мА (максимальный ток коллектора)
  • VBE(on): 0.7 В (напряжение между базой и эмиттером при переходном режиме)

Плюсы:

  • Высокая мощность
  • Надежность и стабильность работы
  • Компактный корпус SOT523
  • Простота применения

Минусы:

  • Максимальное напряжение может быть ограничено для некоторых приложений
  • Требует правильной теплоотводной системы для предотвращения перегрева

Общее назначение:

  • Усилитель сигналов
  • Регуляторы напряжения
  • Измерительные приборы
  • Производство электроники для потребителей

Применяется в:

  • Мобильных устройствах
  • Автомобилях
  • Электроприборах
  • Системах управления
Выбрано: Показать

Характеристики DDTC123JE-7

  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    2.2 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    47 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    80 @ 10mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    250 MHz
  • Рассеивание мощности
    150 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-523
  • Исполнение корпуса
    SOT-523

Техническая документация

 DDTC123JE-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NSBA123EF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    NSBC144TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA144TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA143EF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA144WF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    DTC144EET1
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA115TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    NSBA123TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
    13Кешбэк 1 балл
    DTC123JET1TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5236T1TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5136T1TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
    13Кешбэк 1 балл
    DTA123JET1TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5216T1TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    13Кешбэк 1 балл
    DTC143EET1TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    DTA123EET1TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5234T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    13Кешбэк 1 балл
    DTA143ZET1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5131T1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    DTC124XET1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    DTA114TET1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    DTC114TET1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    DTA144EET1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5116T1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5215T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5232T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
    13Кешбэк 1 балл
    DTC114YET1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5115T1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    DTA144TT1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    MUN5135T1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл
    DTA144WET1Транзистор
    13Кешбэк 1 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Принадлежности
    Тиристоры - TRIACs
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты
    Высокочастотные диоды
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП