Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DDTD113ZU-7-F

DDTD113ZU-7-F

DDTD113ZU-7-F
;
DDTD113ZU-7-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTD113ZU-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323Все характеристики

Минимальная цена DDTD113ZU-7-F при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTD113ZU-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTD113ZU-7-F

DDTD113ZU-7-F Diodes Incorporated Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN-транзистор с предсатурацией (prebias)
    • Мощность: 200 Ватт
    • Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
    • Форм-фактор: SOT323
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера: 60 В
    • Максимальная частота работы: 10 МГц
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Универсальность применения
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокое потребление энергии при работе в режиме предсатурации
    • Необходимость дополнительного теплопроводящего монтажа
  • Общее назначение:
    • Изоляция сигналов в электронных устройствах
    • Переключение высоких напряжений и токов
    • Амплитудная модуляция и demodulation
    • Взаимодействие с усилителями
  • Применение:
    • Радиоэлектронные устройства
    • Стационарные и мобильные радиостанции
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления и регулирования
Выбрано: Показать

Характеристики DDTD113ZU-7-F

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    56 @ 50mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    200 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Base Product Number
    DDTD113

Техническая документация

DDTD113ZU-7-F.pdf
pdf. 0 kb
  • 4493 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    50 ₽
  • 100
    19 ₽
  • 1000
    12.2 ₽
  • 6000
    9.1 ₽
  • 15000
    8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTD113ZU-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323Все характеристики

Минимальная цена DDTD113ZU-7-F при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTD113ZU-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTD113ZU-7-F

DDTD113ZU-7-F Diodes Incorporated Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN-транзистор с предсатурацией (prebias)
    • Мощность: 200 Ватт
    • Температурный диапазон: от -55°C до +150°C
    • Форм-фактор: SOT323
    • Максимальное напряжение коллектора-эмиттера: 60 В
    • Максимальная частота работы: 10 МГц
  • Плюсы:
    • Высокая мощность и надежность
    • Устойчивость к перегреву
    • Универсальность применения
    • Долгий срок службы
  • Минусы:
    • Высокое потребление энергии при работе в режиме предсатурации
    • Необходимость дополнительного теплопроводящего монтажа
  • Общее назначение:
    • Изоляция сигналов в электронных устройствах
    • Переключение высоких напряжений и токов
    • Амплитудная модуляция и demodulation
    • Взаимодействие с усилителями
  • Применение:
    • Радиоэлектронные устройства
    • Стационарные и мобильные радиостанции
    • Автомобильные системы
    • Промышленное оборудование
    • Системы управления и регулирования
Выбрано: Показать

Характеристики DDTD113ZU-7-F

  • Тип транзистора
    NPN - Pre-Biased
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    500 mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50 V
  • Resistor - Base (R1)
    1 kOhms
  • Resistor - Emitter Base (R2)
    10 kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    56 @ 50mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 2.5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA
  • Трансформация частоты
    200 MHz
  • Рассеивание мощности
    200 mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Base Product Number
    DDTD113

Техническая документация

DDTD113ZU-7-F.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории