Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
DDTD123EC-7-F
  • В избранное
  • В сравнение
DDTD123EC-7-F

DDTD123EC-7-F

DDTD123EC-7-F
;
DDTD123EC-7-F

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DDTD123EC-7-F
  • Описание:
    Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена DDTD123EC-7-F при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTD123EC-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DDTD123EC-7-F

DDTD123EC-7-F Diodes Incorporated Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN
  • Мощность: 200 мВт
  • Количество выводов: 3 (SOT23-3)
  • Применение: Преамп, предварительная усиленная схема, схемы с предварительным байасом
    • Плюсы:
      • Высокая мощность: Может работать при значительных нагрузках.
    • Малый размер: Устройство имеет компактный корпус SOT23-3.
  • Эффективность: Хорошо подходит для схем с предварительным байасом.
    • Минусы:
      • Температурная зависимость: При значительном изменении температуры могут возникнуть изменения в характеристиках.
    • Мощность: Максимальная мощность 200 мВт может быть ограничением для некоторых приложений.
    Выбрано: Показать

    Характеристики DDTD123EC-7-F

    • Тип транзистора
      NPN - Pre-Biased
    • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
      500 mA
    • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
      50 V
    • Resistor - Base (R1)
      2.2 kOhms
    • Resistor - Emitter Base (R2)
      2.2 kOhms
    • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
      39 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
      300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора (Max)
      500nA
    • Трансформация частоты
      200 MHz
    • Рассеивание мощности
      200 mW
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Корпус
      TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Исполнение корпуса
      SOT-23-3
    • Base Product Number
      DDTD123

    Техническая документация

     DDTD123EC-7-F.pdf
    pdf. 0 kb
    • 3634 шт
      3-6 недель
    • Количество
      Цена
    • 1
      50 ₽
    • 100
      18.7 ₽
    • 1000
      12.2 ₽
    • 6000
      9 ₽
    • 15000
      8 ₽

    Кешбэк 1 балл

    Авторизируйтесь, чтобы
    снизить цену

    • В избранное
    • В сравнение
    • Производитель:
      Diodes Incorporated
    • Артикул:
      DDTD123EC-7-F
    • Описание:
      Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3Все характеристики

    Минимальная цена DDTD123EC-7-F при покупке от 1 шт 50.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DDTD123EC-7-F с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

    Описание DDTD123EC-7-F

    DDTD123EC-7-F Diodes Incorporated Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

    • Основные параметры:
      • Тип: NPN
    • Мощность: 200 мВт
  • Количество выводов: 3 (SOT23-3)
  • Применение: Преамп, предварительная усиленная схема, схемы с предварительным байасом
    • Плюсы:
      • Высокая мощность: Может работать при значительных нагрузках.
    • Малый размер: Устройство имеет компактный корпус SOT23-3.
  • Эффективность: Хорошо подходит для схем с предварительным байасом.
    • Минусы:
      • Температурная зависимость: При значительном изменении температуры могут возникнуть изменения в характеристиках.
    • Мощность: Максимальная мощность 200 мВт может быть ограничением для некоторых приложений.
    Выбрано: Показать

    Характеристики DDTD123EC-7-F

    • Тип транзистора
      NPN - Pre-Biased
    • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
      500 mA
    • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
      50 V
    • Resistor - Base (R1)
      2.2 kOhms
    • Resistor - Emitter Base (R2)
      2.2 kOhms
    • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
      39 @ 50mA, 5V
    • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
      300mV @ 2.5mA, 50mA
    • Обратный ток коллектора (Max)
      500nA
    • Трансформация частоты
      200 MHz
    • Рассеивание мощности
      200 mW
    • Вид монтажа
      Surface Mount
    • Корпус
      TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    • Исполнение корпуса
      SOT-23-3
    • Base Product Number
      DDTD123

    Техническая документация

     DDTD123EC-7-F.pdf
    pdf. 0 kb

    Похожие товары

    Все товары
    Похожие товары
      NSBA123EF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
      13Кешбэк 1 балл
      NSBC144TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT1123
      13Кешбэк 1 балл
      NSBA144TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
      13Кешбэк 1 балл
      NSBA143EF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
      13Кешбэк 1 балл
      NSBA144WF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
      13Кешбэк 1 балл
      DTC144EET1
      13Кешбэк 1 балл
      NSBA115TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
      13Кешбэк 1 балл
      NSBA123TF3T5GТранзистор: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT1123
      13Кешбэк 1 балл
      DTC123JET1TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
      13Кешбэк 1 балл
      MUN5236T1TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
      13Кешбэк 1 балл
      MUN5136T1TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
      13Кешбэк 1 балл
      DTA123JET1TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
      13Кешбэк 1 балл
      MUN5216T1TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
      13Кешбэк 1 балл
      DTC143EET1TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
      13Кешбэк 1 балл
      DTA123EET1TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
      13Кешбэк 1 балл
      MUN5234T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
      13Кешбэк 1 балл
      DTA143ZET1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
      13Кешбэк 1 балл
      MUN5131T1Транзистор
      13Кешбэк 1 балл
      DTC124XET1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
      13Кешбэк 1 балл
      DTA114TET1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
      13Кешбэк 1 балл
      DTC114TET1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
      13Кешбэк 1 балл
      DTA144EET1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 200MW SC75
      13Кешбэк 1 балл
      MUN5116T1Транзистор: TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3
      13Кешбэк 1 балл
      MUN5215T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
      13Кешбэк 1 балл
      MUN5232T1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 202MW SC70-3
      13Кешбэк 1 балл
      DTC114YET1Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 200MW SC75
      13Кешбэк 1 балл
      MUN5115T1Транзистор
      13Кешбэк 1 балл
      DTA144TT1Транзистор
      13Кешбэк 1 балл
      MUN5135T1Транзистор
      13Кешбэк 1 балл
      DTA144WET1Транзистор
      13Кешбэк 1 балл

    Похожие категории

    Все товары
    Похожие категории
      Триодные тиристоры - Одиночные
      Принадлежности
      Диодные мосты
      Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
      Диодные мосты - Модули
       Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
      Биполярные транзисторы - Сборки
      Транзисторы - JFET
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
      Диоды - выпрямители - одиночные
      Программируемые однопереходные транзисторы
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
      Высокочастотные биполярные транзисторы
      IGBT транзисторы
      Транзисторы - Модули
      Полевые транзисторы - Одиночные
      Транзисторы - IGBT - одиночные
      Варикапы и Варакторы
      Тиристоры - SCR - модули
      Диоды - ВЧ
      Высокочастотные полевые транзисторы
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
      Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
      Регулирование тока - диоды, транзисторы
      Биполярные транзисторы - Одиночные
      Симисторы
      Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
      Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
      Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
      Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
      Транзисторы - программируемые однопереходные
      Высокочастотные диоды
      Динисторы (DIAC, SIDAC)
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
      Диоды выпрямительные - Одиночные
      Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
      Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
      Драйверы питания - Модули
      Симисторы - Модули
      Тиристоры - TRIACs
      Транзисторы - IGBT - модули
      Диоды выпрямительные - Сборки
      Полевые транзисторы - Сборки
      Триодные тиристоры - Модули
      Диоды силовые
      Полевые транзисторы - Модули
      Диоды - мостовые выпрямители
      Диоды выпрямительные - Модули
      Диоды - выпрямители - массивы
      Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
      Биполярные транзисторы
      Модули драйверов питания
      Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
      Тиристоры - SCR
      Транзисторы - Специального назначения
    Эиком
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    • Каталог товаров
    • Доставка
    • Оплата
    • Производители
    • Акции
    • Как купить
    • Кешбэк
    • Как сделать заказ
    • Загрузка BOM-листа
    • Возврат и обмен
    • Состояние заказа
    • О компании
    • Отзывы
    • Новости
    • Статьи
    • Вакансии
    • Правовая информация
    • Контакты
    8 800 550-00-22
    info@eicom.ru
    Пн-Пт 9:30 - 17:30
    Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
    Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
    © 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
    • visa
    • mastercard
    • Мир
    • Система быстрых платежей СБП