Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
DMG1012T-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMG1012T-13

DMG1012T-13

DMG1012T-13
;
DMG1012T-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG1012T-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&RВсе характеристики

Минимальная цена DMG1012T-13 при покупке от 1 шт 46.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG1012T-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG1012T-13

DMG1012T-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный с низким напряжением включенного состояния.

  • Основные параметры:
    • Напряжение включенного состояния: 20В
    • Размер токового тока: 630mA
    • Форм-фактор: SOT523

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения
  • Малое потребление тока в отключенном состоянии
  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Компактный размер

Минусы:

  • Низкий допустимый ток сравнительно с IGBT
  • Не подходит для высокочастотных приложений без дополнительного охлаждения

Общее назначение: DMG1012T-13 используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током с минимальным энергопотреблением и высокой скоростью реакции. Это может быть в инверторах питания, преобразователях частоты и напряжения, драйверах двигателей и других системах управления.

Выбрано: Показать

Характеристики DMG1012T-13

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    630mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.74 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    60.67 pF @ 16 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    280mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-523
  • Корпус
    SOT-523
  • Base Product Number
    DMG1012

Техническая документация

 DMG1012T-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 5262 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    46 ₽
  • 100
    17.7 ₽
  • 1000
    11.5 ₽
  • 5000
    8.8 ₽
  • 20000
    7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG1012T-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&RВсе характеристики

Минимальная цена DMG1012T-13 при покупке от 1 шт 46.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG1012T-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG1012T-13

DMG1012T-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный с низким напряжением включенного состояния.

  • Основные параметры:
    • Напряжение включенного состояния: 20В
    • Размер токового тока: 630mA
    • Форм-фактор: SOT523

Плюсы:

  • Высокая скорость включения и выключения
  • Малое потребление тока в отключенном состоянии
  • Высокая надежность и стабильность работы
  • Компактный размер

Минусы:

  • Низкий допустимый ток сравнительно с IGBT
  • Не подходит для высокочастотных приложений без дополнительного охлаждения

Общее назначение: DMG1012T-13 используется в различных электронных устройствах, где требуется управление током с минимальным энергопотреблением и высокой скоростью реакции. Это может быть в инверторах питания, преобразователях частоты и напряжения, драйверах двигателей и других системах управления.

Выбрано: Показать

Характеристики DMG1012T-13

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    630mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    400mOhm @ 600mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.74 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    60.67 pF @ 16 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    280mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-523
  • Корпус
    SOT-523
  • Base Product Number
    DMG1012

Техническая документация

 DMG1012T-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN3025LFV-13MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
    111Кешбэк 16 баллов
    DMP2110UW-7MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
    70Кешбэк 10 баллов
    DMN2024U-7MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
    89Кешбэк 13 баллов
    DMT6005LSS-13MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO
    365Кешбэк 54 балла
    DMTH4008LPSQ-13MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
    206Кешбэк 30 баллов
    DMTH43M8LFG-7MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
    256Кешбэк 38 баллов
    DMP2078LCA3-7MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN2053U-7MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 3
    74Кешбэк 11 баллов
    DMP1009UFDFQ-7MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
    139Кешбэк 20 баллов
    DMN6069SFGQ-7MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
    209Кешбэк 31 балл
    DMP3026SFDF-13MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
    139Кешбэк 20 баллов
    DMG1012T-13MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
    46Кешбэк 6 баллов
    DMP2045U-7MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
    16.5Кешбэк 2 балла
    DMN10H220LQ-13MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
    70Кешбэк 10 баллов
    DMT35M7LFV-7MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333
    207Кешбэк 31 балл
    DMP2035UVTQ-7MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
    119Кешбэк 17 баллов
    DMN3042LFDF-7MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN
    119Кешбэк 17 баллов
    DMT36M1LPS-13MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
    98Кешбэк 14 баллов
    DMTH4008LFDFWQ-7MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
    187Кешбэк 28 баллов
    DMN61D9UWQ-7MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
    59Кешбэк 8 баллов
    DMN53D0LQ-13MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
    54Кешбэк 8 баллов
    DMT3020LFDF-7Транзистор: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
    141Кешбэк 21 балл
    DMTH6009LPS-13MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
    196Кешбэк 29 баллов
    DMTH4008LPS-13MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
    111Кешбэк 16 баллов
    DMN32D0LFB4-7BMOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
    78Кешбэк 11 баллов
    DMT10H025SSS-13MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
    113Кешбэк 16 баллов
    DMP2045UQ-7MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
    91Кешбэк 13 баллов
    2N7002AQ-13Транзистор: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    DMTH4M70SPGWQ-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
    673Кешбэк 100 баллов
    DMNH6021SPSQ-13MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
    187Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Высокочастотные диоды
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Модули драйверов питания
    Принадлежности
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП