Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMG3406L-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMG3406L-13

DMG3406L-13

DMG3406L-13
;
DMG3406L-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG3406L-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23Все характеристики

Минимальная цена DMG3406L-13 при покупке от 1 шт 68.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG3406L-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG3406L-13

DMG3406L-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

  • Основные параметры:
    • Напряжение на дренаже (VDS): 30В
    • Ток при VGS = 10В (ID): 3.6А
    • Пакет: SOT23
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление RDS(on)
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Наличие паразитных конденсаторов и индуктивностей может влиять на работу
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Регулировка тока
    • Переключение высоких напряжений
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Измерительная и тестовая техника
    • Электронные блоки питания
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики DMG3406L-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 3.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    495 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    770mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    DMG3406

Техническая документация

 DMG3406L-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 119037 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    68 ₽
  • 100
    27 ₽
  • 1000
    15.8 ₽
  • 5000
    13.3 ₽
  • 20000
    10.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG3406L-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23Все характеристики

Минимальная цена DMG3406L-13 при покупке от 1 шт 68.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG3406L-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG3406L-13

DMG3406L-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23

  • Основные параметры:
    • Напряжение на дренаже (VDS): 30В
    • Ток при VGS = 10В (ID): 3.6А
    • Пакет: SOT23
    • Тип: N-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и легкий вес
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление RDS(on)
  • Минусы:
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках
    • Наличие паразитных конденсаторов и индуктивностей может влиять на работу
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями
    • Регулировка тока
    • Переключение высоких напряжений
  • Применение в устройствах:
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы
    • Измерительная и тестовая техника
    • Электронные блоки питания
    • Инверторы и преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики DMG3406L-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 3.6A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    11.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    495 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    770mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    DMG3406

Техническая документация

 DMG3406L-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRLR3636TRLPBFMOSFET N-CH 60V 50A DPAK
    201Кешбэк 30 баллов
    IRF9388TRPBFMOSFET P-CH 30V 12A 8SO
    201Кешбэк 30 баллов
    IRF6712STRPBFMOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
    201Кешбэк 30 баллов
    BSP171PH6327XTSA1MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
    202Кешбэк 30 баллов
    IRF9530NPBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
    202Кешбэк 30 баллов
    IRF7451TRPBFMOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
    203Кешбэк 30 баллов
    BSP296NH6433XTMA1MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
    205Кешбэк 30 баллов
    SPD100N03S2L-04MOSFET N-CH 30V 100A TO252-5
    205Кешбэк 30 баллов
    SPD08N50C3ATMA1MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
    205Кешбэк 30 баллов
    BSP317PH6327XTSA1MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
    205Кешбэк 30 баллов
    IRLR6225TRPBFMOSFET N-CH 20V 100A DPAK
    205Кешбэк 30 баллов
    IRFB7440GPBFMOSFET N CH 40V 120A TO220AB
    205Кешбэк 30 баллов
    IPD70R1K4CEAUMA1MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
    205Кешбэк 30 баллов
    IPD60N10S4L12ATMA1MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
    205Кешбэк 30 баллов
    IPD60R1K4C6ATMA1MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
    205Кешбэк 30 баллов
    IRLZ34NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
    207Кешбэк 31 балл
    IRF6706S2TR1PBFMOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
    207Кешбэк 31 балл
    IPA180N10N3GXKSA1MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
    209Кешбэк 31 балл
    IPA65R650CEXKSA1MOSFET N-CH 650V 7A TO220
    209Кешбэк 31 балл
    IRLR2905ZTRPBFMOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    211Кешбэк 31 балл
    IPD50N04S4L08ATMA1MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
    211Кешбэк 31 балл
    IRFR5305TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
    211Кешбэк 31 балл
    IRFR7546TRPBFMOSFET N-CH 60V 56A DPAK
    211Кешбэк 31 балл
    IRFB7440PBFMOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
    211Кешбэк 31 балл
    BSC034N03LSGATMA1MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
    213Кешбэк 31 балл
    IPD350N06LGBTMA1MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
    213Кешбэк 31 балл
    IRF9321TRPBFMOSFET P-CH 30V 15A 8SO
    214Кешбэк 32 балла
    IPD30N06S215ATMA2MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
    215Кешбэк 32 балла
    IRFH7914TRPBFMOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN
    215Кешбэк 32 балла
    SPD30N08S2-22Транзистор: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
    216Кешбэк 32 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Симисторы - Модули
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - JFET
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы специального назначения
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - SCR
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторные модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП