Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
DMG3415UQ-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMG3415UQ-7

DMG3415UQ-7

DMG3415UQ-7
;
DMG3415UQ-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMG3415UQ-7
  • Описание:
    MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3Все характеристики

Минимальная цена DMG3415UQ-7 при покупке от 1 шт 118.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG3415UQ-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG3415UQ-7

Маркировка DMG3415UQ-7 от производителя DIODES INCORPORATED представляет собой MOSFET.

  • Основные параметры:
    • BVDSS: 8В~24В
    • Пакет: SOT23
    • Тип: T&R (для реверсивной работы)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря широкому диапазону рабочего напряжения BVDSS.
    • Компактный размер пакета SOT23 для экономии места на плате.
    • Поддержка реверсивной работы (T&R).
  • Минусы:
    • Меньший разгон и охлаждение по сравнению с большими пакетами.
    • Меньшая термическая пропускная способность.
  • Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах.
  • Применяется в:
    • Микросхемах и цифровых устройствах.
    • Автомобильных системах.
    • Инверторах и преобразователях.
    • Различных приборах с обратной связью.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG3415UQ-7

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42.5mOhm @ 4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.1 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    294 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    900mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Техническая документация

 DMG3415UQ-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 513 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    118 ₽
  • 100
    50 ₽
  • 1000
    29 ₽
  • 6000
    21.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMG3415UQ-7
  • Описание:
    MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3Все характеристики

Минимальная цена DMG3415UQ-7 при покупке от 1 шт 118.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG3415UQ-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG3415UQ-7

Маркировка DMG3415UQ-7 от производителя DIODES INCORPORATED представляет собой MOSFET.

  • Основные параметры:
    • BVDSS: 8В~24В
    • Пакет: SOT23
    • Тип: T&R (для реверсивной работы)
  • Плюсы:
    • Высокая надежность благодаря широкому диапазону рабочего напряжения BVDSS.
    • Компактный размер пакета SOT23 для экономии места на плате.
    • Поддержка реверсивной работы (T&R).
  • Минусы:
    • Меньший разгон и охлаждение по сравнению с большими пакетами.
    • Меньшая термическая пропускная способность.
  • Общее назначение: Используется для управления током в различных электронных устройствах.
  • Применяется в:
    • Микросхемах и цифровых устройствах.
    • Автомобильных системах.
    • Инверторах и преобразователях.
    • Различных приборах с обратной связью.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG3415UQ-7

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    42.5mOhm @ 4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.1 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    294 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    900mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Техническая документация

 DMG3415UQ-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMP2305UQ-7MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
    100Кешбэк 15 баллов
    DMP1055USW-7MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
    102Кешбэк 15 баллов
    DMN2029UVT-7MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
    104Кешбэк 15 баллов
    DMPH6250S-7MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23
    106Кешбэк 15 баллов
    DMP2040UVT-7MOSFET P-CH 20V TSOT26
    106Кешбэк 15 баллов
    DMPH6250S-13MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23
    106Кешбэк 15 баллов
    DMP2067LVT-7MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
    108Кешбэк 16 баллов
    DMN3028LQ-7MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
    110Кешбэк 16 баллов
    DMG3402LQ-13MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    110Кешбэк 16 баллов
    DMN3009LFV-7MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
    110Кешбэк 16 баллов
    DMP2040USS-13MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
    110Кешбэк 16 баллов
    DMG3402LQ-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    110Кешбэк 16 баллов
    DMP6350S-7MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
    110Кешбэк 16 баллов
    DMN2990UFO-7BMOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
    111Кешбэк 16 баллов
    DMN24H11DSQ-13MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN3025LFV-13MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
    113Кешбэк 16 баллов
    ZXMN3A14FQTAMOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN3025LFV-7MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN6070SY-13MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN2080UCB4-7MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN6069SE-13MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
    115Кешбэк 17 баллов
    DMP45H150DHE-13MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
    117Кешбэк 17 баллов
    DMN1008UFDF-13MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
    117Кешбэк 17 баллов
    DMP2035UQ-7MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
    117Кешбэк 17 баллов
    DMG3415UQ-7MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
    118Кешбэк 17 баллов
    DMN24H11DSQ-7MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
    119Кешбэк 17 баллов
    DMP2035UFDF-7MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
    121Кешбэк 18 баллов
    DMN3021LFDF-7MOSFET N-CH 30V 11.8A 6UDFN
    121Кешбэк 18 баллов
    DMP2035UVTQ-13MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
    121Кешбэк 18 баллов
    DMN3042LFDF-7MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN
    121Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - JFET
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторные модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - TRIACs
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - мостовые выпрямители
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП