Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMG4466SSSL-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13
;
DMG4466SSSL-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG4466SSSL-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 10A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена DMG4466SSSL-13 при покупке от 1 шт 154.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4466SSSL-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Diodes Incorporated. Вот основные параметры:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Рабочее напряжение: 30В
  • Размер токопassaссия: 10А
  • Количество выводов: 8SO (8-сантиметровая обечайка)

Плюсы:

  • Высокая скорость включения/выключения благодаря MOSFET технологии.
  • Низкий коэффициент сопротивления в ON-состоянии, что обеспечивает минимальные потери энергии.
  • Малый размер за счет 8SO обечайки, что позволяет уместить больше компонентов на печатной плате.
  • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения.

Минусы:

  • Высокие токи могут привести к перегреву при неправильном использовании.
  • Необходимо учитывать параметры при выборе источника питания и нагрузки для обеспечения надежной работы.

Общее назначение:

  • Регулировка тока и напряжения в электронных устройствах.
  • Использование в преобразователях напряжения и других источниках питания.
  • Защита электронных компонентов от повреждений при скачках напряжения.

Применение:

  • Автомобильные системы управления.
  • Мощные источники питания.
  • Преобразователи напряжения для компьютеров и ноутбуков.
  • Измерительное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4466SSSL-13

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    478.9 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.42W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMG4466

Техническая документация

 DMG4466SSSL-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 2088 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    154 ₽
  • 100
    65 ₽
  • 1000
    46 ₽
  • 5000
    36 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG4466SSSL-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 10A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена DMG4466SSSL-13 при покупке от 1 шт 154.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG4466SSSL-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG4466SSSL-13

DMG4466SSSL-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Diodes Incorporated. Вот основные параметры:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Рабочее напряжение: 30В
  • Размер токопassaссия: 10А
  • Количество выводов: 8SO (8-сантиметровая обечайка)

Плюсы:

  • Высокая скорость включения/выключения благодаря MOSFET технологии.
  • Низкий коэффициент сопротивления в ON-состоянии, что обеспечивает минимальные потери энергии.
  • Малый размер за счет 8SO обечайки, что позволяет уместить больше компонентов на печатной плате.
  • Устойчивость к перегрузкам и скачкам напряжения.

Минусы:

  • Высокие токи могут привести к перегреву при неправильном использовании.
  • Необходимо учитывать параметры при выборе источника питания и нагрузки для обеспечения надежной работы.

Общее назначение:

  • Регулировка тока и напряжения в электронных устройствах.
  • Использование в преобразователях напряжения и других источниках питания.
  • Защита электронных компонентов от повреждений при скачках напряжения.

Применение:

  • Автомобильные системы управления.
  • Мощные источники питания.
  • Преобразователи напряжения для компьютеров и ноутбуков.
  • Измерительное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DMG4466SSSL-13

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    10A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    478.9 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.42W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMG4466

Техническая документация

 DMG4466SSSL-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BSC040N08NS5ATMA1MOSFET N-CH 80V 100A TDSON
    520Кешбэк 78 баллов
    IRFP250NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 200V 30A TO247AC
    520Кешбэк 78 баллов
    IRF3805PBFMOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    520Кешбэк 78 баллов
    IRF5210PBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 40A TO220AB
    522Кешбэк 78 баллов
    IRL1404ZPBFMOSFET N-CH 40V 75A TO220AB
    522Кешбэк 78 баллов
    IPW60R125P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
    522Кешбэк 78 баллов
    IRF6643TRPBFMOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
    526Кешбэк 78 баллов
    IPD65R190C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3
    528Кешбэк 79 баллов
    IRF1010ZPBFMOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
    528Кешбэк 79 баллов
    IRFB4310PBFMOSFET N-CH 100V 130A TO220AB
    528Кешбэк 79 баллов
    BSZ300N15NS5ATMA1
    530Кешбэк 79 баллов
    IPD50N10S3L16ATMA1MOSFET N-CH 100V 50A TO252-3
    530Кешбэк 79 баллов
    IRF3415STRLPBFMOSFET N-CH 150V 43A D2PAK
    530Кешбэк 79 баллов
    IRFSL5615PBF
    532Кешбэк 79 баллов
    IPD60R180C7ATMA1MOSFET N-CH 600V 13A TO252-3
    534Кешбэк 80 баллов
    IRFI3205PBFMOSFET N-CH 55V 64A TO220AB FP
    534Кешбэк 80 баллов
    IRFS4410ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 97A D2PAK
    536Кешбэк 80 баллов
    IPD90N10S4L06ATMA1MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
    536Кешбэк 80 баллов
    IRF1010ZSTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    536Кешбэк 80 баллов
    IPD65R225C7ATMA1MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3
    538Кешбэк 80 баллов
    IRFB3306GPBFMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    539Кешбэк 80 баллов
    IPP60R280P6XKSA1MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-3
    541Кешбэк 81 балл
    IPD90N04S304ATMA1MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3
    547Кешбэк 82 балла
    AUIRFR8403TRLMOSFET N-CH 40V 100A DPAK
    547Кешбэк 82 балла
    IRFS4310ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 120A D2PAK
    549Кешбэк 82 балла
    IRFB4228PBFMOSFET N-CH 150V 83A TO220AB
    549Кешбэк 82 балла
    IRFP054NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 81A TO247AC
    549Кешбэк 82 балла
    IRF6727MTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 32A DIRECTFET
    551Кешбэк 82 балла
    IPB80N06S2L11ATMA2MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
    551Кешбэк 82 балла
    IRL3705ZSTRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
    551Кешбэк 82 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторные модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - SCR - модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Полевые транзисторы - Сборки
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды силовые
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП