Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMG6402LDM-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMG6402LDM-7

DMG6402LDM-7

DMG6402LDM-7
;
DMG6402LDM-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG6402LDM-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26Все характеристики

Минимальная цена DMG6402LDM-7 при покупке от 1 шт 87.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG6402LDM-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG6402LDM-7

DMG6402LDM-7 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Diodes Incorporated. Он является N-канальным транзистором с напряжением блокировки 30В и током непрерывного тока 5.3А, упаковка которого SOT26.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение блокировки: 30В
    • Ток непрерывного тока: 5.3А
    • Упаковка: SOT26
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый ток стока при отключенном транзисторе
    • Малая тепловая индуктивность
    • Удобная упаковка для различных приложений
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуют дополнительных компонентов для защиты от перегрева и перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических цепях
    • Уменьшение потерь энергии в электронных устройствах
    • Регулирование напряжения
  • Применение:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Измерительное оборудование
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики DMG6402LDM-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    27mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    404 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.12W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-26
  • Корпус
    SOT-23-6
  • Base Product Number
    DMG6402

Техническая документация

 DMG6402LDM-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 10729 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    87 ₽
  • 100
    34 ₽
  • 1000
    29 ₽
  • 6000
    20 ₽
  • 15000
    18.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMG6402LDM-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26Все характеристики

Минимальная цена DMG6402LDM-7 при покупке от 1 шт 87.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMG6402LDM-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMG6402LDM-7

DMG6402LDM-7 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Diodes Incorporated. Он является N-канальным транзистором с напряжением блокировки 30В и током непрерывного тока 5.3А, упаковка которого SOT26.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Напряжение блокировки: 30В
    • Ток непрерывного тока: 5.3А
    • Упаковка: SOT26
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый ток стока при отключенном транзисторе
    • Малая тепловая индуктивность
    • Удобная упаковка для различных приложений
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требуют дополнительных компонентов для защиты от перегрева и перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Контроль тока в электрических цепях
    • Уменьшение потерь энергии в электронных устройствах
    • Регулирование напряжения
  • Применение:
    • Мобильные устройства
    • Автомобили
    • Измерительное оборудование
    • Инверторы
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики DMG6402LDM-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    27mOhm @ 7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    404 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.12W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-26
  • Корпус
    SOT-23-6
  • Base Product Number
    DMG6402

Техническая документация

 DMG6402LDM-7.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFZ48NSTRLPBFMOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
    441Кешбэк 66 баллов
    IRFP150NPBFMOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
    441Кешбэк 66 баллов
    IRF6794MTR1PBFMOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
    441Кешбэк 66 баллов
    IRL1004PBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
    441Кешбэк 66 баллов
    IPD50N06S2L13ATMA2MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
    444Кешбэк 66 баллов
    BSC123N10LSGATMA1MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
    444Кешбэк 66 баллов
    AUIRL1404SMOSFET N-CH 40V 160A DPAK
    444Кешбэк 66 баллов
    IRFB7730PBFMOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
    446Кешбэк 66 баллов
    BSC014N04LSIATMA1MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
    448Кешбэк 67 баллов
    IRFS7437TRL7PPMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
    448Кешбэк 67 баллов
    IRFB3306PBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    450Кешбэк 67 баллов
    IRF3205STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
    451Кешбэк 67 баллов
    IPD60R380C6ATMA1MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
    452Кешбэк 67 баллов
    AUIRF7647S2TRMOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
    452Кешбэк 67 баллов
    IRLR7843TRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
    452Кешбэк 67 баллов
    IRFH5250TRPBFMOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
    454Кешбэк 68 баллов
    IRF7341GTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 5.1A
    454Кешбэк 68 баллов
    IRL7486MTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET
    454Кешбэк 68 баллов
    IRFS7434TRLPBFMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
    454Кешбэк 68 баллов
    IPD65R660CFDAATMA1MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
    456Кешбэк 68 баллов
    SPD15P10PGBTMA1MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
    456Кешбэк 68 баллов
    IRFH8201TRPBFMOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
    456Кешбэк 68 баллов
    IRFR2307ZTRLPBFMOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    456Кешбэк 68 баллов
    IRF1404ZSTRLPBFMOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
    456Кешбэк 68 баллов
    BSC009NE2LS5ATMA1MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
    458Кешбэк 68 баллов
    AUIRF7640S2TRMOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET
    458Кешбэк 68 баллов
    IPD65R380E6ATMA1MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
    458Кешбэк 68 баллов
    IPD110N12N3GATMA1MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
    458Кешбэк 68 баллов
    IRFS7530TRLPBFMOSFET N CH 60V 195A D2PAK
    460Кешбэк 69 баллов
    IRFR3710ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    460Кешбэк 69 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторные модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные диоды
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП