Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
DMN1008UFDF-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7
;
DMN1008UFDF-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN1008UFDF-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN1008UFDF-7 при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN1008UFDF-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN

  • Основные параметры:
    • Напряжение включения (VGS(th)): ≤ 4 V
    • Номинальное напряжение (VDS): 12 V
    • Номинальный ток (ID(on)): 12.2 A
    • Количество пакетов: 6UDFN
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Надежность и долговечность
    • Универсальность использования
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная проектировка для защиты от перегрева и перенапряжения
    • Не подходит для работы при очень высоких температурах без специальных мерах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача сигнала
    • Блокировка тока
    • Поддержание состояния логических элементов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления
    • Измерительной технике
    • Системах питания
    • Микропроцессорных системах
    • Электронных устройствах для управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики DMN1008UFDF-7

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12.2A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8mOhm @ 5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23.4 nC @ 8 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    995 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    U-DFN2020-6 (Type F)
  • Корпус
    6-UDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    DMN1008

Техническая документация

 DMN1008UFDF-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 2068 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    67 ₽
  • 100
    47 ₽
  • 1000
    32 ₽
  • 6000
    25.5 ₽
  • 15000
    22 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN1008UFDF-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN1008UFDF-7 при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN1008UFDF-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN1008UFDF-7

DMN1008UFDF-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN

  • Основные параметры:
    • Напряжение включения (VGS(th)): ≤ 4 V
    • Номинальное напряжение (VDS): 12 V
    • Номинальный ток (ID(on)): 12.2 A
    • Количество пакетов: 6UDFN
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Малый ток утечки при отключенном канале
    • Надежность и долговечность
    • Универсальность использования
  • Минусы:
    • Требуется дополнительная проектировка для защиты от перегрева и перенапряжения
    • Не подходит для работы при очень высоких температурах без специальных мерах
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения
    • Передача сигнала
    • Блокировка тока
    • Поддержание состояния логических элементов
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных системах управления
    • Измерительной технике
    • Системах питания
    • Микропроцессорных системах
    • Электронных устройствах для управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики DMN1008UFDF-7

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    12.2A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8mOhm @ 5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23.4 nC @ 8 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    995 pF @ 6 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    700mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    U-DFN2020-6 (Type F)
  • Корпус
    6-UDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    DMN1008

Техническая документация

 DMN1008UFDF-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDP023N08B-F102MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
    863Кешбэк 129 баллов
    NTP095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    865Кешбэк 129 баллов
    FDWS86068-F085MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
    866Кешбэк 129 баллов
    NVMFS5C612NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
    884Кешбэк 132 балла
    NTMFS08N004CMOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN
    885Кешбэк 132 балла
    NVMFWS3D6N10MCLT1GPTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
    886Кешбэк 132 балла
    NTPF082N65S3FMOSFET N-CH 650V 40A TO220F
    891Кешбэк 133 балла
    NVMFS6H800NWFT1GMOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
    897Кешбэк 134 балла
    FCP165N65S3MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
    901Кешбэк 135 баллов
    NTMFSC4D2N10MCMOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
    903Кешбэк 135 баллов
    FDBL86363-F085MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
    918Кешбэк 137 баллов
    NTMTS0D7N06CTXGMOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
    922Кешбэк 138 баллов
    NVB190N65S3FMOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
    924Кешбэк 138 баллов
    NTMTS0D7N06CLTXGMOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
    924Кешбэк 138 баллов
    FDP020N06B-F102MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
    924Кешбэк 138 баллов
    FDP4D5N10CMOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
    926Кешбэк 138 баллов
    NTMFS7D8N10GTWGN-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
    929Кешбэк 139 баллов
    FDPF8D5N10CMOSFET N-CH 100V 76A TO220F
    936Кешбэк 140 баллов
    2SK1461N-CHANNEL POWER MOSFET
    936Кешбэк 140 баллов
    NTD5C648NLT4GMOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK
    938Кешбэк 140 баллов
    FCPF400N80ZL1-F154MOSFET N-CH 800V 11A TO220F-3
    938Кешбэк 140 баллов
    NVMFS5C410NWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
    945Кешбэк 141 балл
    FCP125N65S3MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
    951Кешбэк 142 балла
    NTPF125N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    956Кешбэк 143 балла
    NTP067N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    957Кешбэк 143 балла
    NVMFS5C404NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
    967Кешбэк 145 баллов
    FDMS4D0N12CMOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
    968Кешбэк 145 баллов
    FCP165N65S3R0MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
    968Кешбэк 145 баллов
    NTP082N65S3HFMOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
    970Кешбэк 145 баллов
    FCB125N65S3MOSFET N-CH 650V 24A TO263
    972Кешбэк 145 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Модули драйверов питания
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторные модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - JFET
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП