Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMN1019UFDE-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7
;
DMN1019UFDE-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN1019UFDE-7
  • Описание:
    MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6EВсе характеристики

Минимальная цена DMN1019UFDE-7 при покупке от 1 шт 127.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN1019UFDE-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7 от Diodes Incorporated

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Рабочее напряжение: 12В
    • Размеры корпуса: U-DFN2020-6E
    • Максимальный ток: 11А
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкий ток утечки
    • Компактный размер корпуса
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Не подходит для высокочастотных применений
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Переключение электрических цепей
    • Блокировка обратного тока
    • Ограничение тока
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Электронные устройства
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN1019UFDE-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 9.7A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50.6 nC @ 8 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2425 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    690mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Корпус
    6-PowerUDFN
  • Base Product Number
    DMN1019

Техническая документация

 DMN1019UFDE-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 3005 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    127 ₽
  • 100
    49 ₽
  • 1000
    38.6 ₽
  • 6000
    29.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN1019UFDE-7
  • Описание:
    MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6EВсе характеристики

Минимальная цена DMN1019UFDE-7 при покупке от 1 шт 127.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN1019UFDE-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN1019UFDE-7

DMN1019UFDE-7 от Diodes Incorporated

  • Основные параметры:
    • Тип: MOSFET N-канальный
    • Рабочее напряжение: 12В
    • Размеры корпуса: U-DFN2020-6E
    • Максимальный ток: 11А
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при низком сопротивлении
    • Низкий ток утечки
    • Компактный размер корпуса
    • Устойчивость к перегреву
  • Минусы:
    • Не подходит для высокочастотных применений
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Переключение электрических цепей
    • Блокировка обратного тока
    • Ограничение тока
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Системы питания
    • Инверторы
    • Электронные устройства
    • Мобильные устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN1019UFDE-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    11A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    10mOhm @ 9.7A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    800mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50.6 nC @ 8 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2425 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    690mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    U-DFN2020-6 (Type E)
  • Корпус
    6-PowerUDFN
  • Base Product Number
    DMN1019

Техническая документация

 DMN1019UFDE-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMP32D4S-7MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
    81Кешбэк 12 баллов
    DMN3018SFG-7MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
    105Кешбэк 15 баллов
    DMP2008UFG-13MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
    160Кешбэк 24 балла
    DMN4020LFDE-7MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN
    126Кешбэк 18 баллов
    ZXMN6A07FTAТранзистор: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
    122Кешбэк 18 баллов
    DMP2006UFG-7MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
    206Кешбэк 30 баллов
    DMT6010LPS-13MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
    193Кешбэк 28 баллов
    2N7002T-7-FТранзистор: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
    40Кешбэк 6 баллов
    DMT6007LFG-13MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
    302Кешбэк 45 баллов
    ZVP3306FTAMOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
    117Кешбэк 17 баллов
    DMN1019UFDE-7MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
    126Кешбэк 18 баллов
    DMN53D0L-7MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
    53Кешбэк 7 баллов
    DMG3402L-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    25Кешбэк 3 балла
    DMP2305UVT-7MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3
    111Кешбэк 16 баллов
    DMN3010LFG-13MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
    169Кешбэк 25 баллов
    DMP3036SFG-7MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
    154Кешбэк 23 балла
    DMN65D8LW-7MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
    83Кешбэк 12 баллов
    DMG301NU-7MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
    93Кешбэк 13 баллов
    DMP2033UVT-7MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
    124Кешбэк 18 баллов
    DMN3016LK3-13MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
    135Кешбэк 20 баллов
    DMN3067LW-13MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
    81Кешбэк 12 баллов
    DMG301NU-13MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
    32Кешбэк 4 балла
    ZXMP6A17E6QTAТранзистор: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
    146Кешбэк 21 балл
    DMN2050L-7MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
    103Кешбэк 15 баллов
    DMN2501UFB4-7MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
    84Кешбэк 12 баллов
    ZXMN2F30FHTAMOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
    81Кешбэк 12 баллов
    DMN2026UVT-7MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
    103Кешбэк 15 баллов
    DMN3030LSS-13Транзистор: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
    114Кешбэк 17 баллов
    BSS123TAТранзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    81Кешбэк 12 баллов
    DMN3018SFG-13MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
    96Кешбэк 14 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - JFET
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диодные мосты
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Транзисторные модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП