Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMN10H170SFG-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13
;
DMN10H170SFG-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN10H170SFG-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Все характеристики

Минимальная цена DMN10H170SFG-13 при покупке от 1 шт 89.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN10H170SFG-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный с мощностью 100В от компании Diodes Incorporated. Покупаемый под маркой PWRDI3333.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рейтингное напряжение: 100В
    • Рейтингный ток: 17A
    • Параметр RDS(on): 0,25Ω (при ID=10A)
    • Количество электронов: 4
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме включения
    • Низкий коэффициент температурной зависимости
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Требует использования байпаса для защиты от обратного напряжения
    • Необходимо учитывать тепловые проблемы при высоких нагрузках
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах управления мощностью
    • Регулировка тока в различных приборах
    • Применение в системах преобразования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Питание компьютеров и серверов
    • Системы управления двигателей
    • Инверторы и преобразователи энергии
Выбрано: Показать

Характеристики DMN10H170SFG-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    122mOhm @ 3.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14.9 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    870.7 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    940mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI3333-8
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    DMN10

Техническая документация

 DMN10H170SFG-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 5885 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    89 ₽
  • 25
    55 ₽
  • 250
    44 ₽
  • 1000
    40 ₽
  • 6000
    37 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN10H170SFG-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 100V PWRDI3333Все характеристики

Минимальная цена DMN10H170SFG-13 при покупке от 1 шт 89.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN10H170SFG-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN10H170SFG-13

DMN10H170SFG-13 — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) типа N-канальный с мощностью 100В от компании Diodes Incorporated. Покупаемый под маркой PWRDI3333.

  • Основные параметры:
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Рейтингное напряжение: 100В
    • Рейтингный ток: 17A
    • Параметр RDS(on): 0,25Ω (при ID=10A)
    • Количество электронов: 4
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме включения
    • Низкий коэффициент температурной зависимости
    • Малый размер и легкость
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Требует использования байпаса для защиты от обратного напряжения
    • Необходимо учитывать тепловые проблемы при высоких нагрузках
    • Стоимость может быть выше по сравнению с другими типами транзисторов
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах управления мощностью
    • Регулировка тока в различных приборах
    • Применение в системах преобразования напряжения
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Электронные устройства бытовой техники
    • Питание компьютеров и серверов
    • Системы управления двигателей
    • Инверторы и преобразователи энергии
Выбрано: Показать

Характеристики DMN10H170SFG-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.9A (Ta), 8.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    122mOhm @ 3.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14.9 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    870.7 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    940mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI3333-8
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    DMN10

Техническая документация

 DMN10H170SFG-13.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFZ48NSTRLPBFMOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
    441Кешбэк 66 баллов
    IRFP150NPBFMOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
    441Кешбэк 66 баллов
    IRF6794MTR1PBFMOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
    441Кешбэк 66 баллов
    IRL1004PBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
    441Кешбэк 66 баллов
    IPD50N06S2L13ATMA2MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
    444Кешбэк 66 баллов
    BSC123N10LSGATMA1MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
    444Кешбэк 66 баллов
    AUIRL1404SMOSFET N-CH 40V 160A DPAK
    444Кешбэк 66 баллов
    IRFB7730PBFMOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
    446Кешбэк 66 баллов
    BSC014N04LSIATMA1MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
    448Кешбэк 67 баллов
    IRFS7437TRL7PPMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
    448Кешбэк 67 баллов
    IRFB3306PBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    450Кешбэк 67 баллов
    IRF3205STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
    451Кешбэк 67 баллов
    IPD60R380C6ATMA1MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
    452Кешбэк 67 баллов
    AUIRF7647S2TRMOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
    452Кешбэк 67 баллов
    IRLR7843TRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
    452Кешбэк 67 баллов
    IRFH5250TRPBFMOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
    454Кешбэк 68 баллов
    IRF7341GTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 5.1A
    454Кешбэк 68 баллов
    IRL7486MTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET
    454Кешбэк 68 баллов
    IRFS7434TRLPBFMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
    454Кешбэк 68 баллов
    IPD65R660CFDAATMA1MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
    456Кешбэк 68 баллов
    SPD15P10PGBTMA1MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
    456Кешбэк 68 баллов
    IRFH8201TRPBFMOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
    456Кешбэк 68 баллов
    IRFR2307ZTRLPBFMOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    456Кешбэк 68 баллов
    IRF1404ZSTRLPBFMOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
    456Кешбэк 68 баллов
    BSC009NE2LS5ATMA1MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
    458Кешбэк 68 баллов
    AUIRF7640S2TRMOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET
    458Кешбэк 68 баллов
    IPD65R380E6ATMA1MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
    458Кешбэк 68 баллов
    IPD110N12N3GATMA1MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
    458Кешбэк 68 баллов
    IRFS7530TRLPBFMOSFET N CH 60V 195A D2PAK
    460Кешбэк 69 баллов
    IRFR3710ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    460Кешбэк 69 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды - мостовые выпрямители
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - ВЧ
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диодные мосты
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули драйверов питания
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды силовые
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторные модули
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП