Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Сборки
DMN1250UFEL-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7
;
DMN1250UFEL-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN1250UFEL-7
  • Описание:
    MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1Все характеристики

Минимальная цена DMN1250UFEL-7 при покупке от 1 шт 262.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN1250UFEL-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • VDS: 8V и 24V
  • U-QFN1515-1: тип корпуса

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Маленький размер корпуса (QFN)
  • Высокий коэффициент передачи
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высокой нагрузке
  • Наличие электрического шума при использовании
  • Сложность в разработке схемы питания для некоторых применений

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах для управления током и регулирования напряжения.

Применяется в:

  • Инверторах
  • Переходниках питания
  • Автомобильной электронике
  • Питательных системах
  • Компьютерном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики DMN1250UFEL-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    8 N-Channel, Common Gate, Common Source
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.9nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    190pF @ 6V
  • Рассеивание мощности
    660mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    12-UFQFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    U-QFN1515-12
  • Base Product Number
    DMN1250

Техническая документация

 DMN1250UFEL-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 2710 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    262 ₽
  • 10
    164 ₽
  • 500
    86 ₽
  • 3000
    62 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN1250UFEL-7
  • Описание:
    MOSFET BVDSS: 8V 24V U-QFN1515-1Все характеристики

Минимальная цена DMN1250UFEL-7 при покупке от 1 шт 262.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN1250UFEL-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN1250UFEL-7

DMN1250UFEL-7 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • VDS: 8V и 24V
  • U-QFN1515-1: тип корпуса

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Маленький размер корпуса (QFN)
  • Высокий коэффициент передачи
  • Устойчивость к перегреву

Минусы:

  • Требует дополнительного охлаждения при высокой нагрузке
  • Наличие электрического шума при использовании
  • Сложность в разработке схемы питания для некоторых применений

Общее назначение: Используется в различных электронных устройствах для управления током и регулирования напряжения.

Применяется в:

  • Инверторах
  • Переходниках питания
  • Автомобильной электронике
  • Питательных системах
  • Компьютерном оборудовании
Выбрано: Показать

Характеристики DMN1250UFEL-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    8 N-Channel, Common Gate, Common Source
  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    450mOhm @ 200mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.9nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    190pF @ 6V
  • Рассеивание мощности
    660mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    12-UFQFN Exposed Pad
  • Исполнение корпуса
    U-QFN1515-12
  • Base Product Number
    DMN1250

Техническая документация

 DMN1250UFEL-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI1016CX-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V SC89-6
    105Кешбэк 15 баллов
    SI1922EDH-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 1.3A SOT-363
    113Кешбэк 16 баллов
    SI3585CDV-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
    144Кешбэк 21 балл
    SI1025X-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 0.19A SC-89
    145Кешбэк 21 балл
    SIA517DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    166Кешбэк 24 балла
    SI4288DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO
    167Кешбэк 25 баллов
    SI4936CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
    177Кешбэк 26 баллов
    SI9933CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC
    178Кешбэк 26 баллов
    SI4532CDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6A 8-SOIC
    183Кешбэк 27 баллов
    SIA537EDJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V/20V SC-70-6L
    209Кешбэк 31 балл
    SIA975DJ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC-70-6
    212Кешбэк 31 балл
    SI3552DV-T1-E3Транзистор: MOSFET N/P-CH 30V 6TSOP
    222Кешбэк 33 балла
    SI4599DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SOIC
    229Кешбэк 34 балла
    SI4925DDY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC
    269Кешбэк 40 баллов
    SI4948BEY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 60V 2.4A 8-SOIC
    271Кешбэк 40 баллов
    SQJ200EP-T1_GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 20A/60A PPAK SO
    282Кешбэк 42 балла
    SQ9945BEY-T1_GE3MOSFET 2N-CH 60V 5.4A
    294Кешбэк 44 балла
    SI6954ADQ-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 3.1A 8TSSOP
    304Кешбэк 45 баллов
    SI9926CDY-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
    330Кешбэк 49 баллов
    SI5908DC-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
    361Кешбэк 54 балла
    SI7938DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 40V 60A PPAK SO-8
    403Кешбэк 60 баллов
    SI4559ADY-T1-GE3Транзистор: MOSFET N/P-CH 60V 5.3A 8-SOIC
    461Кешбэк 69 баллов
    SI6913DQ-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8-TSSOP
    474Кешбэк 71 балл
    SI4204DY-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 19.8A 8-SOIC
    509Кешбэк 76 баллов
    SI7994DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 60A PPAK SO-8
    624Кешбэк 93 балла
    SI7942DP-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
    699Кешбэк 104 балла
    2N7002DWТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC70-6
    32Кешбэк 4 балла
    SI1902DL-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC70-6
    78Кешбэк 11 баллов
    SI1023CX-T1-GE3Транзистор: MOSFET 2P-CH 20V SC89-6
    108Кешбэк 16 баллов
    SI1900DL-T1-E3Транзистор: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A SC70-6
    108Кешбэк 16 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR
    Транзисторные модули
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Модули драйверов питания
    Симисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - JFET
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП