Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMN2004WK-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN2004WK-7

DMN2004WK-7

DMN2004WK-7
;
DMN2004WK-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN2004WK-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323Все характеристики

Минимальная цена DMN2004WK-7 при покупке от 1 шт 89.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2004WK-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2004WK-7

DMN2004WK-7 от Diodes Incorporated

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 20В
  • Размер тока (ID): 540mA
  • Форм-фактор: SOT323

Основные параметры:

  • Питание: Среднее напряжение питания составляет 20В, что обеспечивает высокую эффективность при работе с различными источников напряжения.
  • Ток: Максимальный ток, который может протекать через канал MOSFET, составляет 540mA.
  • Технология: SOT323 - небольшой размер, что позволяет использовать его в компактных устройствах.

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения благодаря низкому времени транзистора.
  • Низкий уровень дросселирующего сопротивления.
  • Компактная размерность, что удобно для размещения в различных электронных устройствах.

Минусы:

  • Низкая мощность, что ограничивает его использование в высокомощных приложениях.
  • Необходимость использования радиатора для охлаждения при длительной работе под нагрузкой.

Общее назначение:

  • Использование в цифровых и аналоговых схемах.
  • Применяется в системах управления питанием.
  • Используется в драйверах для светодиодов.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы.
  • Устройства бытовой техники.
  • Электронные часы и другие небольшие электронные устройства.
  • Системы управления электропитанием.
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2004WK-7

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    540mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    550mOhm @ 540mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    150 pF @ 16 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    200mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Base Product Number
    DMN2004

Техническая документация

 DMN2004WK-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 230412 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    89 ₽
  • 100
    35 ₽
  • 1000
    23.4 ₽
  • 6000
    15.3 ₽
  • 15000
    14.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN2004WK-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 540MA SOT323Все характеристики

Минимальная цена DMN2004WK-7 при покупке от 1 шт 89.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2004WK-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2004WK-7

DMN2004WK-7 от Diodes Incorporated

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение (VDS(on)): 20В
  • Размер тока (ID): 540mA
  • Форм-фактор: SOT323

Основные параметры:

  • Питание: Среднее напряжение питания составляет 20В, что обеспечивает высокую эффективность при работе с различными источников напряжения.
  • Ток: Максимальный ток, который может протекать через канал MOSFET, составляет 540mA.
  • Технология: SOT323 - небольшой размер, что позволяет использовать его в компактных устройствах.

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения благодаря низкому времени транзистора.
  • Низкий уровень дросселирующего сопротивления.
  • Компактная размерность, что удобно для размещения в различных электронных устройствах.

Минусы:

  • Низкая мощность, что ограничивает его использование в высокомощных приложениях.
  • Необходимость использования радиатора для охлаждения при длительной работе под нагрузкой.

Общее назначение:

  • Использование в цифровых и аналоговых схемах.
  • Применяется в системах управления питанием.
  • Используется в драйверах для светодиодов.

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы.
  • Устройства бытовой техники.
  • Электронные часы и другие небольшие электронные устройства.
  • Системы управления электропитанием.
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2004WK-7

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    540mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    550mOhm @ 540mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    150 pF @ 16 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    200mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Base Product Number
    DMN2004

Техническая документация

 DMN2004WK-7.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFZ48NSTRLPBFMOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
    441Кешбэк 66 баллов
    IRFP150NPBFMOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
    441Кешбэк 66 баллов
    IRF6794MTR1PBFMOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
    441Кешбэк 66 баллов
    IRL1004PBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
    441Кешбэк 66 баллов
    IPD50N06S2L13ATMA2MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
    444Кешбэк 66 баллов
    BSC123N10LSGATMA1MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
    444Кешбэк 66 баллов
    AUIRL1404SMOSFET N-CH 40V 160A DPAK
    444Кешбэк 66 баллов
    IRFB7730PBFMOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
    446Кешбэк 66 баллов
    BSC014N04LSIATMA1MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
    448Кешбэк 67 баллов
    IRFS7437TRL7PPMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
    448Кешбэк 67 баллов
    IRFB3306PBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    450Кешбэк 67 баллов
    IRF3205STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
    451Кешбэк 67 баллов
    IPD60R380C6ATMA1MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
    452Кешбэк 67 баллов
    AUIRF7647S2TRMOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
    452Кешбэк 67 баллов
    IRLR7843TRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
    452Кешбэк 67 баллов
    IRFH5250TRPBFMOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
    454Кешбэк 68 баллов
    IRF7341GTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 5.1A
    454Кешбэк 68 баллов
    IRL7486MTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET
    454Кешбэк 68 баллов
    IRFS7434TRLPBFMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
    454Кешбэк 68 баллов
    IPD65R660CFDAATMA1MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
    456Кешбэк 68 баллов
    SPD15P10PGBTMA1MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
    456Кешбэк 68 баллов
    IRFH8201TRPBFMOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
    456Кешбэк 68 баллов
    IRFR2307ZTRLPBFMOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    456Кешбэк 68 баллов
    IRF1404ZSTRLPBFMOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
    456Кешбэк 68 баллов
    BSC009NE2LS5ATMA1MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
    458Кешбэк 68 баллов
    AUIRF7640S2TRMOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET
    458Кешбэк 68 баллов
    IPD65R380E6ATMA1MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
    458Кешбэк 68 баллов
    IPD110N12N3GATMA1MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
    458Кешбэк 68 баллов
    IRFS7530TRLPBFMOSFET N CH 60V 195A D2PAK
    460Кешбэк 69 баллов
    IRFR3710ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    460Кешбэк 69 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Транзисторные модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды выпрямительные - Модули
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки биполярных транзисторов
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диодные мосты
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП