DMN2029UVT-7

DMN2029UVT-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 6.8A TSOT26

• Основные параметры:
• Тип: N-канальный MOSFET
• Размер токов: 6.8 А (максимальный ток)
• Технология пакета: TSOT26 (трехслойная стекловолоконная подложка с термоусадочной оболочкой)
• Номинальное напряжение: 20 В
• Резистанция Rdson: 1.35 мО при 25°C
• Плюсы:
• Высокая проводимость (низкая резистанция Rdson)
• Малый размер и легкий вес за счет компактного пакета TSOT26
• Стабильная работа при различных температурах
• Устойчивость к шумам и импульсным переносам
• Минусы:
• Требуется дополнительное охлаждение для работы при высоких нагрузках
• Не рекомендуется использовать в высокочастотных применениях без дополнительной компенсации
• Общее назначение:
• Использование в электронных цепях для управления током
• Применяется в источниках питания
• Встроенные в системы управления электропитанием устройств
• Для управления нагрузками в драйверах и преобразователях
• В каких устройствах применяется:
• Источники питания для ноутбуков и планшетов
• Автомобильные зарядные устройства
• Мобильные зарядные устройства
• Компьютерные блоки питания
• Преобразователи напряжения
• Системы управления электропитанием