Вход/Регистрация
DMP2305UQ-7MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
DMN2080UCB4-7
DMN2080UCB4-7
- Производитель:Diodes Incorporated
- Артикул:DMN2080UCB4-7
- Описание:MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4Все характеристики
Минимальная цена DMN2080UCB4-7 при покупке от 1 шт 113.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2080UCB4-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
- 773 шт3-6 недель
- КоличествоЦена
- 1113 ₽
- 10045 ₽
- 100030.3 ₽
- 600023 ₽
- 1500020 ₽
Кешбэк 1 балл
Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену
- Производитель:Diodes Incorporated
- Артикул:DMN2080UCB4-7
- Описание:MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4Все характеристики
Минимальная цена DMN2080UCB4-7 при покупке от 1 шт 113.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2080UCB4-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.
Описание DMN2080UCB4-7
DMN2080UCB4-7 — это полупроводниковый транзистор из серии MOSFET N-канального типа от компании Diodes Incorporated. Основные параметры:
- Номинальное напряжение ВДС (VDS): 20В
- Номинальный ток ID: 3А
- Количество пакетов (X2-WLB0606-4): 2
Плюсы:
- Высокая надежность: благодаря использованию современных технологий производства.
- Малый размер: за счет компактного пакета X2-WLB0606-4.
- Низкий сопротивление резистора насыщения (Ron): обеспечивает высокую эффективность работы.
Минусы:
- Высокие цены: из-за использования качественных материалов и современных технологий.
- Требуются дополнительные элементы: для правильной работы могут потребоваться дополнительные компоненты.
Общее назначение: DMN2080UCB4-7 используется для управления токами в различных электронных устройствах, требующих высокой проводимости и низкого сопротивления.
Применяется в:
- Питательных цепях
- Инверторах
- Приводах электродвигателей
- Автомобильных системах
- Мобильных устройствах
Выбрано: Показать
Характеристики DMN2080UCB4-7
Техническая документация
DMN2080UCB4-7.pdf pdf. 0 kb