Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
DMN24H11DSQ-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMN24H11DSQ-7

DMN24H11DSQ-7

DMN24H11DSQ-7
;
DMN24H11DSQ-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN24H11DSQ-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&RВсе характеристики

Минимальная цена DMN24H11DSQ-7 при покупке от 1 шт 119.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN24H11DSQ-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN24H11DSQ-7

DMN24H11DSQ-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 240V 270mA SOT23 T&R

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)) - 11 В
    • Номинальный ток (ID(on)) - 270 мА
    • Номинальное напряжение (VDS) - 240 В
    • Коллекторно-эмиттерное сопротивление (RDS(on)) - не указано, но обычно для таких MOSFET оно составляет несколько десятков мОм
    • Форм-фактор - SOT23
  • Плюсы:
    • Малый размер корпуса (SOT23), что позволяет эффективно использовать пространство на плате
    • Высокая скоростная характеристика
    • Хорошая термическая стабильность
    • Низкое сопротивление при прохождении тока (RDS(on))
  • Минусы:
    • Низкий номинальный ток (270 мА), что ограничивает его применение в высокотоковых цепях
    • Не самый высокий уровень номинального напряжения (240 В), что может быть критичным в некоторых приложениях
  • Общее назначение:
    • Управление током в электронных цепях
    • Изоляция высоковольтных цепей от низковольтных
    • Уменьшение потерь энергии в цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (смартфоны, планшеты)
    • Автомобильные системы
    • Питание периферийного оборудования
    • Различные электронные приборы и устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN24H11DSQ-7

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    240 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    270mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11Ohm @ 300mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    76.8 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    750mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    DMN24

Техническая документация

 DMN24H11DSQ-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 4921 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    119 ₽
  • 100
    58 ₽
  • 1000
    40 ₽
  • 6000
    30 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN24H11DSQ-7
  • Описание:
    MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&RВсе характеристики

Минимальная цена DMN24H11DSQ-7 при покупке от 1 шт 119.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN24H11DSQ-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN24H11DSQ-7

DMN24H11DSQ-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 240V 270mA SOT23 T&R

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VGS(th)) - 11 В
    • Номинальный ток (ID(on)) - 270 мА
    • Номинальное напряжение (VDS) - 240 В
    • Коллекторно-эмиттерное сопротивление (RDS(on)) - не указано, но обычно для таких MOSFET оно составляет несколько десятков мОм
    • Форм-фактор - SOT23
  • Плюсы:
    • Малый размер корпуса (SOT23), что позволяет эффективно использовать пространство на плате
    • Высокая скоростная характеристика
    • Хорошая термическая стабильность
    • Низкое сопротивление при прохождении тока (RDS(on))
  • Минусы:
    • Низкий номинальный ток (270 мА), что ограничивает его применение в высокотоковых цепях
    • Не самый высокий уровень номинального напряжения (240 В), что может быть критичным в некоторых приложениях
  • Общее назначение:
    • Управление током в электронных цепях
    • Изоляция высоковольтных цепей от низковольтных
    • Уменьшение потерь энергии в цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства (смартфоны, планшеты)
    • Автомобильные системы
    • Питание периферийного оборудования
    • Различные электронные приборы и устройства
Выбрано: Показать

Характеристики DMN24H11DSQ-7

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    240 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    270mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11Ohm @ 300mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    3.7 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    76.8 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    750mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    DMN24

Техническая документация

 DMN24H11DSQ-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMP2305UQ-7MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
    100Кешбэк 15 баллов
    DMP1055USW-7MOSFET P-CH 12V 3.8A SOT363
    102Кешбэк 15 баллов
    DMN2029UVT-7MOSFET N-CH 6.8A TSOT26
    104Кешбэк 15 баллов
    DMPH6250S-7MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23
    106Кешбэк 15 баллов
    DMP2040UVT-7MOSFET P-CH 20V TSOT26
    106Кешбэк 15 баллов
    DMPH6250S-13MOSFET P-CH 60V 2.4A SOT23
    106Кешбэк 15 баллов
    DMP2067LVT-7MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26
    108Кешбэк 16 баллов
    DMN3028LQ-7MOSFET BVDSS: 25V~30V,SOT23,T&R,
    110Кешбэк 16 баллов
    DMG3402LQ-13MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    110Кешбэк 16 баллов
    DMN3009LFV-7MOSFET N-CH 30V 60A POWERDI3333
    110Кешбэк 16 баллов
    DMP2040USS-13MOSFET P-CH 20V 7A/15A 8SO T&R 2
    110Кешбэк 16 баллов
    DMG3402LQ-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    110Кешбэк 16 баллов
    DMP6350S-7MOSFET P-CH 60V 1.5A SOT23
    110Кешбэк 16 баллов
    DMN2990UFO-7BMOSFET N-CH 20V 750MA 3DFN
    111Кешбэк 16 баллов
    DMN24H11DSQ-13MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN3025LFV-13MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
    113Кешбэк 16 баллов
    ZXMN3A14FQTAMOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN3025LFV-7MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN6070SY-13MOSFET N-CH 60V 4.1A SOT89-3
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN2080UCB4-7MOSFET N-CH 20V 3A X2-WLB0606-4
    113Кешбэк 16 баллов
    DMN6069SE-13MOSFET N-CH 60V 4.3A/10A SOT223
    115Кешбэк 17 баллов
    DMP45H150DHE-13MOSFET P-CH 450V 250MA SOT223
    117Кешбэк 17 баллов
    DMN1008UFDF-13MOSFET N-CH 12V 12.2A 6UDFN
    117Кешбэк 17 баллов
    DMP2035UQ-7MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
    117Кешбэк 17 баллов
    DMG3415UQ-7MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
    118Кешбэк 17 баллов
    DMN24H11DSQ-7MOSFET N-CH 240V 270MA SOT23 T&R
    119Кешбэк 17 баллов
    DMP2035UFDF-7MOSFET P-CH 20V 8.1A 6UDFN
    121Кешбэк 18 баллов
    DMN3021LFDF-7MOSFET N-CH 30V 11.8A 6UDFN
    121Кешбэк 18 баллов
    DMP2035UVTQ-13MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
    121Кешбэк 18 баллов
    DMN3042LFDF-7MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN
    121Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Сборки биполярных транзисторов
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Модули триодных тиристоров
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Симисторы - Модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП