Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
DMN2990UFO-7B
  • В избранное
  • В сравнение
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B
;
DMN2990UFO-7B

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN2990UFO-7B
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN2990UFO-7B при покупке от 1 шт 111.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2990UFO-7B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B — это MOSFET (Массивный оксидный полупроводниковый транзистор) от компании Diodes Incorporated. Этот тип транзистора относится к категории N-канальных MOSFET с низким напряжением гати (20В) и током 750mA.

  • Основные параметры:
    • Напряжение гати (Vgs): 20В
    • Ток (IDS): 750mA
    • Пакет: 3DFN
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий коэффициент сопротивления при прохождении тока
    • Малое тепловыделение
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать ограничения по температуре и мощности
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках

Общее назначение: DMN2990UFO-7B используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется эффективное управление током при минимальных потерь энергии. Это может включать зарядные устройства, адаптеры питания, источники питания, инверторы и другие приборы.

  • В каких устройствах применяется:
    • Зарядные устройства
    • Источники питания
    • Инверторы
    • Автомобильные аккумуляторы
    • Регуляторы напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2990UFO-7B

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    750mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    990mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.41 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    31 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    840mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X2-DFN0604-3
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Base Product Number
    DMN2990

Техническая документация

 DMN2990UFO-7B.pdf
pdf. 0 kb
  • 10374 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    111 ₽
  • 100
    44 ₽
  • 1000
    29.7 ₽
  • 5000
    23.6 ₽
  • 20000
    19.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN2990UFO-7B
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN2990UFO-7B при покупке от 1 шт 111.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2990UFO-7B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B — это MOSFET (Массивный оксидный полупроводниковый транзистор) от компании Diodes Incorporated. Этот тип транзистора относится к категории N-канальных MOSFET с низким напряжением гати (20В) и током 750mA.

  • Основные параметры:
    • Напряжение гати (Vgs): 20В
    • Ток (IDS): 750mA
    • Пакет: 3DFN
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий коэффициент сопротивления при прохождении тока
    • Малое тепловыделение
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать ограничения по температуре и мощности
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках

Общее назначение: DMN2990UFO-7B используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется эффективное управление током при минимальных потерь энергии. Это может включать зарядные устройства, адаптеры питания, источники питания, инверторы и другие приборы.

  • В каких устройствах применяется:
    • Зарядные устройства
    • Источники питания
    • Инверторы
    • Автомобильные аккумуляторы
    • Регуляторы напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2990UFO-7B

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    750mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    990mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.41 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    31 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    840mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X2-DFN0604-3
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Base Product Number
    DMN2990

Техническая документация

 DMN2990UFO-7B.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    EPC2036GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
    372Кешбэк 55 баллов
    EPC2216GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
    378Кешбэк 56 баллов
    EPC2014CGANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
    416Кешбэк 62 балла
    EPC2052Транзистор: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
    435Кешбэк 65 баллов
    EPC2039GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
    448Кешбэк 67 баллов
    EPC2054TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
    472Кешбэк 70 баллов
    EPC2007CGANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
    582Кешбэк 87 баллов
    EPC8010GANFET N-CH 100V 4A DIE
    582Кешбэк 87 баллов
    EPC2204TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
    610Кешбэк 91 балл
    EPC2055GANFET N-CH 40V 29A DIE
    616Кешбэк 92 балла
    EPC2016CGANFET N-CH 100V 18A DIE
    643Кешбэк 96 баллов
    EPC2012CGANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
    701Кешбэк 105 баллов
    EPC2202GANFET N-CH 80V 18A DIE
    728Кешбэк 109 баллов
    EPC2065GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
    814Кешбэк 122 балла
    EPC2059TRANS GAN 170V DIE .009OHM
    835Кешбэк 125 баллов
    EPC8009GANFET N-CH 65V 4A DIE
    869Кешбэк 130 баллов
    EPC2045GANFET N-CH 100V 16A DIE
    915Кешбэк 137 баллов
    EPC2019GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
    937Кешбэк 140 баллов
    EPC2206GANFET N-CH 80V 90A DIE
    1 003Кешбэк 150 баллов
    EPC2215GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
    1 003Кешбэк 150 баллов
    EPC2067TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
    1 079Кешбэк 161 балл
    EPC2015CGANFET N-CH 40V 53A DIE
    1 115Кешбэк 167 баллов
    EPC2001CGANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
    1 130Кешбэк 169 баллов
    EPC2050TRANS GAN BUMPED DIE
    1 272Кешбэк 190 баллов
    EPC2053GANFET N-CH 100V 48A DIE
    1 389Кешбэк 208 баллов
    EPC2071TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
    1 402Кешбэк 210 баллов
    EPC2066TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
    1 410Кешбэк 211 баллов
    EPC2010CGANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
    1 506Кешбэк 225 баллов
    EPC2302TRANS GAN 100V DIE .0019OHM
    1 516Кешбэк 227 баллов
    EPC2032GANFET N-CH 100V 48A DIE
    1 621Кешбэк 243 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Диодные мосты
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные диоды
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Симисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторные модули
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП