Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
DMN2990UFO-7B
  • В избранное
  • В сравнение
DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B
;
DMN2990UFO-7B

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN2990UFO-7B
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN2990UFO-7B при покупке от 1 шт 110.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2990UFO-7B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B — это MOSFET (Массивный оксидный полупроводниковый транзистор) от компании Diodes Incorporated. Этот тип транзистора относится к категории N-канальных MOSFET с низким напряжением гати (20В) и током 750mA.

  • Основные параметры:
    • Напряжение гати (Vgs): 20В
    • Ток (IDS): 750mA
    • Пакет: 3DFN
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий коэффициент сопротивления при прохождении тока
    • Малое тепловыделение
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать ограничения по температуре и мощности
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках

Общее назначение: DMN2990UFO-7B используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется эффективное управление током при минимальных потерь энергии. Это может включать зарядные устройства, адаптеры питания, источники питания, инверторы и другие приборы.

  • В каких устройствах применяется:
    • Зарядные устройства
    • Источники питания
    • Инверторы
    • Автомобильные аккумуляторы
    • Регуляторы напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2990UFO-7B

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    750mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    990mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.41 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    31 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    840mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X2-DFN0604-3
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Base Product Number
    DMN2990

Техническая документация

 DMN2990UFO-7B.pdf
pdf. 0 kb
  • 10374 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    110 ₽
  • 100
    43 ₽
  • 1000
    29 ₽
  • 5000
    23 ₽
  • 20000
    19 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN2990UFO-7B
  • Описание:
    MOSFET N-CH 20V 750MA 3DFNВсе характеристики

Минимальная цена DMN2990UFO-7B при покупке от 1 шт 110.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN2990UFO-7B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN2990UFO-7B

DMN2990UFO-7B — это MOSFET (Массивный оксидный полупроводниковый транзистор) от компании Diodes Incorporated. Этот тип транзистора относится к категории N-канальных MOSFET с низким напряжением гати (20В) и током 750mA.

  • Основные параметры:
    • Напряжение гати (Vgs): 20В
    • Ток (IDS): 750mA
    • Пакет: 3DFN
  • Плюсы:
    • Высокая скорость включения и выключения
    • Низкий коэффициент сопротивления при прохождении тока
    • Малое тепловыделение
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Необходимо соблюдать ограничения по температуре и мощности
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких нагрузках

Общее назначение: DMN2990UFO-7B используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется эффективное управление током при минимальных потерь энергии. Это может включать зарядные устройства, адаптеры питания, источники питания, инверторы и другие приборы.

  • В каких устройствах применяется:
    • Зарядные устройства
    • Источники питания
    • Инверторы
    • Автомобильные аккумуляторы
    • Регуляторы напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики DMN2990UFO-7B

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    750mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    990mOhm @ 100mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.41 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    31 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    840mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X2-DFN0604-3
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Base Product Number
    DMN2990

Техническая документация

 DMN2990UFO-7B.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI01P10-TPMOSFET P-CH 100V 1A SOT23
    93Кешбэк 13 баллов
    HUF75631SK8N-CHANNEL POWER MOSFET
    258Кешбэк 38 баллов
    SI2337DS-T1-BE3P-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET
    284Кешбэк 42 балла
    BSS139H6327XTSA1MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
    87Кешбэк 13 баллов
    DMT3006LFG-7MOSFET N-CH 30V PWRDI3333
    188Кешбэк 28 баллов
    RJK03M9DNS-WS#J5N-CHANNEL POWER MOSFET
    112Кешбэк 16 баллов
    SI3099-TPN-CHANNEL MOSFET,SOT-23
    39Кешбэк 5 баллов
    DMP6185SE-13MOSFET P-CH 60V 3A SOT223
    126Кешбэк 18 баллов
    STD4N90K5MOSFET N-CH 900V 3A DPAK
    389Кешбэк 58 баллов
    DMN10H700S-7MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23
    45Кешбэк 6 баллов
    SI4401FDY-T1-GE3MOSFET P-CH 40V 9.9A/14A 8SO
    280Кешбэк 42 балла
    IRL100HS121MOSFET N-CH 100V 11A 6PQFN
    208Кешбэк 31 балл
    NTTFS5D9N08HTWGMOSFET N-CH 80V 13A/84A 8PQFN
    333Кешбэк 49 баллов
    TPW1R005PL,L1QMOSFET N-CH 45V 300A 8DSOP
    736Кешбэк 110 баллов
    SCT4045DRC15750V, 45M, 4-PIN THD, TRENCH-STR
    2 395Кешбэк 359 баллов
    IPSA70R600P7SAKMA1MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3
    164Кешбэк 24 балла
    DMN3060LW-7MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&R
    74Кешбэк 11 баллов
    2N7002KW-AU_R1_000A1Транзистор: SOT-323, MOSFET
    40Кешбэк 6 баллов
    ZXMN6A07FQTAMOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
    113Кешбэк 16 баллов
    RFP2P08P-CHANNEL POWER MOSFET
    61Кешбэк 9 баллов
    SIS447DN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 18A PPAK1212-8
    147Кешбэк 22 балла
    SSM3J374R,LXHFSMOS P-CH VDSS:-30V VGSS:-20/+10
    89Кешбэк 13 баллов
    2SJ598-ZK-E1-AZMP-3ZK
    218Кешбэк 32 балла
    BSC084P03NS3GATMA1MOSFET P-CH 30V 14.9A 8TDSON
    112Кешбэк 16 баллов
    IPB107N20N3GATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK
    997Кешбэк 149 баллов
    XP152A12C0MR-GMOSFET P-CH 20V 700MA SOT23
    164Кешбэк 24 балла
    GT110N06SN60V,RD(MAX)<15M@-4.5V,RD(MAX)<1
    212Кешбэк 31 балл
    BSS84K-TPMOSFET P-CH 60V 130MA SOT23
    33.6Кешбэк 5 баллов
    RQ5E025SNTLMOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3
    126Кешбэк 18 баллов
    MCU30N02-TPMOSFET N-CH 20V 30A DPAK
    145Кешбэк 21 балл

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диодные мосты - Модули
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR
    IGBT транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диодные мосты
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Модули драйверов питания
    Диоды выпрямительные - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Симисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП