Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMN3024SFG-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMN3024SFG-13

DMN3024SFG-13 полевой транзистор, N-канал, 30В, 7.5А, 900мВт

DMN3024SFG-13
;
DMN3024SFG-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMN3024SFG-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8Все характеристики

Минимальная цена DMN3024SFG-13 при покупке от 1 шт 86.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3024SFG-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3024SFG-13

DMN3024SFG-13 DIODES INCORPORATED MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 30В
    • Номинальный ток (ID(ON)): 7.5А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Производитель: DIODES Incorporated
    • Модель: PWRDI3333-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при номинальном напряжении
    • Низкий ток утечки
    • Хорошая термостабильность
    • Устойчивость к шуму
    • Небольшие размеры
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать ток утечки при выборе
    • Требуется правильная охлаждение для предотвращения перегрева
    • Существует вероятность отказа при неправильной эксплуатации
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах управления мощностью
    • Применение в преобразователях напряжения
    • Интеграция в системы управления двигателями
    • Применение в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Компьютеры и серверы
    • Мобильные устройства
    • Промышленное оборудование
    • Электронные приборы и аппаратура
Выбрано: Показать

Характеристики DMN3024SFG-13

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    479 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    900mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI3333-8
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    DMN3024

Техническая документация

 DMN3024SFG-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 1413 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    86 ₽
  • 100
    59 ₽
  • 1000
    46 ₽
  • 15000
    37.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMN3024SFG-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8Все характеристики

Минимальная цена DMN3024SFG-13 при покупке от 1 шт 86.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3024SFG-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3024SFG-13

DMN3024SFG-13 DIODES INCORPORATED MOSFET N-CH 30V 7.5A PWRDI3333-8

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 30В
    • Номинальный ток (ID(ON)): 7.5А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Производитель: DIODES Incorporated
    • Модель: PWRDI3333-8
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость при номинальном напряжении
    • Низкий ток утечки
    • Хорошая термостабильность
    • Устойчивость к шуму
    • Небольшие размеры
  • Минусы:
    • Необходимо учитывать ток утечки при выборе
    • Требуется правильная охлаждение для предотвращения перегрева
    • Существует вероятность отказа при неправильной эксплуатации
  • Общее назначение:
    • Использование в схемах управления мощностью
    • Применение в преобразователях напряжения
    • Интеграция в системы управления двигателями
    • Применение в источниках питания
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы
    • Компьютеры и серверы
    • Мобильные устройства
    • Промышленное оборудование
    • Электронные приборы и аппаратура
Выбрано: Показать

Характеристики DMN3024SFG-13

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    7.5A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    23mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    479 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    900mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI3333-8
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    DMN3024

Техническая документация

 DMN3024SFG-13.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFZ48NSTRLPBFMOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
    441Кешбэк 66 баллов
    IRFP150NPBFMOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
    441Кешбэк 66 баллов
    IRF6794MTR1PBFMOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
    441Кешбэк 66 баллов
    IRL1004PBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
    441Кешбэк 66 баллов
    IPD50N06S2L13ATMA2MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
    444Кешбэк 66 баллов
    BSC123N10LSGATMA1MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
    444Кешбэк 66 баллов
    AUIRL1404SMOSFET N-CH 40V 160A DPAK
    444Кешбэк 66 баллов
    IRFB7730PBFMOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
    446Кешбэк 66 баллов
    BSC014N04LSIATMA1MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
    448Кешбэк 67 баллов
    IRFS7437TRL7PPMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
    448Кешбэк 67 баллов
    IRFB3306PBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    450Кешбэк 67 баллов
    IRF3205STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
    451Кешбэк 67 баллов
    IPD60R380C6ATMA1MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
    452Кешбэк 67 баллов
    AUIRF7647S2TRMOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
    452Кешбэк 67 баллов
    IRLR7843TRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
    452Кешбэк 67 баллов
    IRFH5250TRPBFMOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
    454Кешбэк 68 баллов
    IRF7341GTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 5.1A
    454Кешбэк 68 баллов
    IRL7486MTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET
    454Кешбэк 68 баллов
    IRFS7434TRLPBFMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
    454Кешбэк 68 баллов
    IPD65R660CFDAATMA1MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
    456Кешбэк 68 баллов
    SPD15P10PGBTMA1MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
    456Кешбэк 68 баллов
    IRFH8201TRPBFMOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
    456Кешбэк 68 баллов
    IRFR2307ZTRLPBFMOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    456Кешбэк 68 баллов
    IRF1404ZSTRLPBFMOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
    456Кешбэк 68 баллов
    BSC009NE2LS5ATMA1MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
    458Кешбэк 68 баллов
    AUIRF7640S2TRMOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET
    458Кешбэк 68 баллов
    IPD65R380E6ATMA1MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
    458Кешбэк 68 баллов
    IPD110N12N3GATMA1MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
    458Кешбэк 68 баллов
    IRFS7530TRLPBFMOSFET N CH 60V 195A D2PAK
    460Кешбэк 69 баллов
    IRFR3710ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    460Кешбэк 69 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Симисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторные модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП