Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DMN3032LE-13

DMN3032LE-13

DMN3032LE-13
;
DMN3032LE-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена DMN3032LE-13 при покупке от 1 шт 125.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3032LE-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3032LE-13

DMN3032LE-13 — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) типа N-канальный с низким напряжением гатывающего сигнала от компании Diodes Incorporated. Вот основные характеристики и особенности:

  • Напряжение коллектора-эмиттера (VDS): 30В
  • Номинальный ток дrain (ID): 5.6А
  • Тип корпуса: SOT223

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении гатывающего сигнала.
  • Малый размер корпуса, что позволяет экономить место на печатной плате.
  • Высокая надежность и стабильность работы.

Минусы:

  • При больших токах возможны перегрев и необходимость дополнительного охлаждения.
  • Требуется учитывать параметр RDS(on) для оптимизации энергопотребления.

Общее назначение:

MOSFET DMN3032LE-13 используется в различных приложениях, где требуется управление током при низких напряжениях гатывающего сигнала. Это может включать:

  • Привод моторов и электродвигателей.
  • Регулирование напряжения в блоках питания.
  • Управление нагрузками в бытовой технике и электронных устройствах.

Данный MOSFET подходит для устройств, требующих высокой проводимости и компактного дизайна.

Выбрано: Показать

Характеристики DMN3032LE-13

Техническая документация

DMN3032LE-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 921 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    125 ₽
  • 100
    63 ₽
  • 600
    46 ₽
  • 2500
    36 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена DMN3032LE-13 при покупке от 1 шт 125.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3032LE-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN3032LE-13

DMN3032LE-13 — это MOSFET (MOS Field-Effect Transistor) типа N-канальный с низким напряжением гатывающего сигнала от компании Diodes Incorporated. Вот основные характеристики и особенности:

  • Напряжение коллектора-эмиттера (VDS): 30В
  • Номинальный ток дrain (ID): 5.6А
  • Тип корпуса: SOT223

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении гатывающего сигнала.
  • Малый размер корпуса, что позволяет экономить место на печатной плате.
  • Высокая надежность и стабильность работы.

Минусы:

  • При больших токах возможны перегрев и необходимость дополнительного охлаждения.
  • Требуется учитывать параметр RDS(on) для оптимизации энергопотребления.

Общее назначение:

MOSFET DMN3032LE-13 используется в различных приложениях, где требуется управление током при низких напряжениях гатывающего сигнала. Это может включать:

  • Привод моторов и электродвигателей.
  • Регулирование напряжения в блоках питания.
  • Управление нагрузками в бытовой технике и электронных устройствах.

Данный MOSFET подходит для устройств, требующих высокой проводимости и компактного дизайна.

Выбрано: Показать

Характеристики DMN3032LE-13

Техническая документация

DMN3032LE-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории