Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
DMN3060LWQ-7
DMN3060LWQ-7

DMN3060LWQ-7

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN3060LWQ-7
  • Описание:
    MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&RВсе характеристики

Минимальная цена DMN3060LWQ-7 при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3060LWQ-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DMN3060LWQ-7

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60mOhm @ 3.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    395 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
Техническая документация
 DMN3060LWQ-7.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 2707 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    70 ₽
  • 100
    27 ₽
  • 1000
    17.7 ₽
  • 6000
    13 ₽
  • 15000
    10.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN3060LWQ-7
  • Описание:
    MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT323 T&RВсе характеристики

Минимальная цена DMN3060LWQ-7 при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN3060LWQ-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DMN3060LWQ-7

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    60mOhm @ 3.1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.8V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    5.6 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    395 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    500mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
Техническая документация
 DMN3060LWQ-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NTH4LN095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    1 697Кешбэк 254 балла
    BSH103BKRТранзистор: BSH103BK - 30 V, N-CHANNEL TRENC
    62Кешбэк 9 баллов
    IRFBC40APBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220AB
    555Кешбэк 83 балла
    AOTF4N60LMOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO220F
    271Кешбэк 40 баллов
    NTBGS1D5N06CPOWER MOSFET, 60 V, 1.62 M?, 267
    805Кешбэк 120 баллов
    SQ4401EY-T1_BE3MOSFET P-CH 40V 17.3A 8SOIC
    668Кешбэк 100 баллов
    NTHL082N65S3HFMOSFET N-CH 650V 40A TO247-3
    1 600Кешбэк 240 баллов
    TBB1010KMTL-HТранзистор: RF N-CHANNEL MOSFET
    84Кешбэк 12 баллов
    FQB34N20TMN-CHANNEL POWER MOSFET
    470Кешбэк 70 баллов
    MSC180SMA120BMOSFET 1200V 25A TO-247
    1 591Кешбэк 238 баллов
    NTTFS022N15MCPOWER MOSFET, N CHANNEL, 150V, 3
    544Кешбэк 81 балл
    SCT3022KLGC11SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
    9 514Кешбэк 1 427 баллов
    R8002CND3FRATLMOSFET N-CH 800V 2A TO252
    415Кешбэк 62 балла
    RFP4N40N-CHANNEL POWER MOSFET
    123Кешбэк 18 баллов
    RFD7N10LEN-CHANNEL POWER MOSFET
    110Кешбэк 16 баллов
    SFW9520TMP-CHANNEL POWER MOSFET
    82Кешбэк 12 баллов
    G1003BN100V,RD(MAX)<170M@10V,RD(MAX)<1
    86Кешбэк 12 баллов
    SIRA20DP-T1-RE3MOSFET N-CH 25V 81.7A/100A PPAK
    388Кешбэк 58 баллов
    IPD95R750P7ATMA1Транзистор: MOSFET N-CH 950V 9A TO252-3
    428Кешбэк 64 балла
    IXTA3N100D2HVMOSFET N-CH 1000V 3A TO263HV
    1 316Кешбэк 197 баллов
    IRF135B203MOSFET N-CH 135V 129A TO220-3
    558Кешбэк 83 балла
    IPA60R170CFD7XKSA1MOSFET N-CH 650V 8A TO220
    591Кешбэк 88 баллов
    2SK3060-Z-E1-AZPOWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
    1 087Кешбэк 163 балла
    SIHD14N60ET1-GE3N-CHANNEL 600V
    553Кешбэк 82 балла
    IAUC120N04S6N006ATMA1IAUC120N04S6N006ATMA1
    564Кешбэк 84 балла
    2N7002NXBKRТранзистор: MOSFET N-CH 60V 270MA TO236AB
    19.4Кешбэк 2 балла
    IRLS620AN-CHANNEL POWER MOSFET
    55Кешбэк 8 баллов
    2SK160A(1)-T1B-ASMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    40Кешбэк 6 баллов
    IPB65R045C7ATMA2MOSFET N-CH 650V 46A TO263-3
    1 796Кешбэк 269 баллов
    2SK3457-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    577Кешбэк 86 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - Модули
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Полевые транзисторы - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП