DMN4036LK3-13

DMN4036LK3-13 DIODES INCORPORATED MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3

• Основные параметры:
• Напряжение срабатывания (V_GS(th)): не указано, но обычно для таких MOSFET от Diodes Incorporated это около 2 В
• Номинальный ток при V_DS=40В (I_D(on)): 8.5 А
• Напряжение блокировки (V_DS): 40 В
• Контейнер: TO252-3
• Плюсы:
• Высокая токовая способность
• Устойчивость к высоким напряжениям
• Малый динамический ток (R_D(on))
• Современный дизайн корпуса TO252-3 для эффективного отвода тепла
• Минусы:
• Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
• Могут быть ограничения по скорости переключения из-за низкой емкости затвора (C_ox)
• Общее назначение:
• Применяется в различных электронных устройствах, где требуется высокая токовая способность и устойчивость к высоким напряжениям
• Используется в источниках питания, преобразователях энергии, системах управления током
• Подходит для применения в бытовой технике, промышленном оборудовании и автомобильной электронике
• В каких устройствах применяется:
• Источники питания
• Преобразователи энергии (например, буст-конвертеры, бактерии)
• Блоки управления двигателем
• Автомобильная электроника (системы управления двигателем, зарядные устройства)
• Бытовая техника (микроволновые печи, стиральные машины)