Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMN4800LSSL-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13
;
DMN4800LSSL-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN4800LSSL-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 8A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена DMN4800LSSL-13 при покупке от 1 шт 149.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN4800LSSL-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение на коллекторе: 30В
  • Номинальный ток: 8А
  • Количество выводов: 8SO (восьмипinовый корпус)

Плюсы:

  • Высокая проводимость в насыщенном режиме
  • Малый ток стоячего тока
  • Быстрое переключение
  • Устойчивость к электрическим и термическим шумам

Минусы:

  • Наличие напряжения вольт-амперной характеристики
  • Необходимость использования радиатора при высоких мощностях
  • Существование порогового напряжения

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Драйверы для индуктивных нагрузок
  • Контроллеры для сопротивлений
  • Приводы для двигателей

Этот тип MOSFET широко применяется в различных электронных устройствах, где требуется управление током или преобразование напряжений.

Выбрано: Показать

Характеристики DMN4800LSSL-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.7 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    798 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.46W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMN4800

Техническая документация

 DMN4800LSSL-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 4675 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    149 ₽
  • 100
    59 ₽
  • 1000
    41 ₽
  • 5000
    31.6 ₽
  • 12500
    28.4 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMN4800LSSL-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 30V 8A 8SOВсе характеристики

Минимальная цена DMN4800LSSL-13 при покупке от 1 шт 149.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN4800LSSL-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMN4800LSSL-13

DMN4800LSSL-13 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) от компании Diodes Incorporated. Основные параметры:

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Номинальное напряжение на коллекторе: 30В
  • Номинальный ток: 8А
  • Количество выводов: 8SO (восьмипinовый корпус)

Плюсы:

  • Высокая проводимость в насыщенном режиме
  • Малый ток стоячего тока
  • Быстрое переключение
  • Устойчивость к электрическим и термическим шумам

Минусы:

  • Наличие напряжения вольт-амперной характеристики
  • Необходимость использования радиатора при высоких мощностях
  • Существование порогового напряжения

Общее назначение:

  • Использование в источниках питания
  • Драйверы для индуктивных нагрузок
  • Контроллеры для сопротивлений
  • Приводы для двигателей

Этот тип MOSFET широко применяется в различных электронных устройствах, где требуется управление током или преобразование напряжений.

Выбрано: Показать

Характеристики DMN4800LSSL-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    14mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.6V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    8.7 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    798 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.46W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SO
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    DMN4800

Техническая документация

 DMN4800LSSL-13.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMP3028LK3-13MOSFET P-CH 30V 27A TO252
    139Кешбэк 20 баллов
    DMP2066LDMQ-7MOSFET P-CH 20V 4.6A SOT-26
    139Кешбэк 20 баллов
    DMN3024LK3-13MOSFET N-CH 30V 9.78A TO252-3
    140Кешбэк 21 балл
    DMN3025LFG-7MOSFET N CH 30V 7.5A POWERDI
    141Кешбэк 21 балл
    DMN6040SVT-7MOSFET N CH 60V 5A TSOT26
    141Кешбэк 21 балл
    DMN30H4D0LFDE-7MOSFET N-CH 300V 550MA 6UDFN
    141Кешбэк 21 балл
    ZXMP6A13GTAMOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223
    141Кешбэк 21 балл
    DMP2018LFK-7MOSFET P-CH 20V 9.2A 6UDFN
    143Кешбэк 21 балл
    DMP3028LFDE-13MOSFET P-CH 30V 6.8A 6UDFN
    143Кешбэк 21 балл
    DMN4800LSS-13MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
    143Кешбэк 21 балл
    DMN4468LSS-13Транзистор: MOSFET N CH 30V 10A 8SOP
    143Кешбэк 21 балл
    DMN3016LK3-13MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
    145Кешбэк 21 балл
    DMP3050LSS-13MOSFET P-CH 30V 4.8A 8SO
    145Кешбэк 21 балл
    ZXM62P03E6TAMOSFET P-CH 30V 1.5A SOT26
    145Кешбэк 21 балл
    DMP2066LSN-7MOSFET P-CH 20V 4.6A SC59-3
    147Кешбэк 22 балла
    DMP6110SVT-7MOSFET P-CH 60V 7.3A TSOT26
    147Кешбэк 22 балла
    DMP2039UFDE-7MOSFET P-CH 25V 6.7A 6UDFN
    147Кешбэк 22 балла
    DMP2069UFY4-7MOSFET P-CH 20V 2.5A DFN2015H4-3
    149Кешбэк 22 балла
    DMN4800LSSL-13MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
    149Кешбэк 22 балла
    DMN10H170SVTQ-7MOSFET N-CH 100V 2.6A TSOT26
    149Кешбэк 22 балла
    DMN3016LPS-13MOSFET N-CH 30V 10.8A PWRDI5060
    149Кешбэк 22 балла
    DMP2004WK-7MOSFET P-CH 20V 400MA SOT323
    149Кешбэк 22 балла
    BS250FTAMOSFET P-CH 45V 90MA SOT23-3
    150Кешбэк 22 балла
    ZXMN6A07ZTAMOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
    151Кешбэк 22 балла
    DMP4025SFG-7MOSFET P-CH 40V 4.65A PWRDI3333
    151Кешбэк 22 балла
    DMN10H100SK3-13MOSFET N-CH 100V 18A TO252
    151Кешбэк 22 балла
    DMN4036LK3-13MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
    152Кешбэк 22 балла
    ZXMN10A07ZTAТранзистор: MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3
    152Кешбэк 22 балла
    ZVP3310FTAMOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3
    153Кешбэк 22 балла
    DMG4800LFG-7MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
    153Кешбэк 22 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторные модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные биполярные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Тиристоры - SCR
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды силовые
    Транзисторы специального назначения
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные диоды
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные IGBT транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП