Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DMN65D8LW-7

DMN65D8LW-7

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена DMN65D8LW-7 при покупке от 1 шт 89 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN65D8LW-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DMN65D8LW-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    300mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3Ohm @ 115mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.87 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    22 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Base Product Number
    DMN65
Техническая документация
5969235.pdf
pdf. 0 kb
  • 2978 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    89 ₽
  • 10
    68 ₽
  • 100
    38.4 ₽
  • 500
    27.4 ₽
  • 1000
    26 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена DMN65D8LW-7 при покупке от 1 шт 89 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMN65D8LW-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики DMN65D8LW-7

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    300mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3Ohm @ 115mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.87 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    22 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    300mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-323
  • Корпус
    SC-70, SOT-323
  • Base Product Number
    DMN65
Техническая документация
5969235.pdf
pdf. 0 kb