Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMP10H4D2S-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMP10H4D2S-13

DMP10H4D2S-13

DMP10H4D2S-13
;
DMP10H4D2S-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMP10H4D2S-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена DMP10H4D2S-13 при покупке от 1 шт 68.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP10H4D2S-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP10H4D2S-13

DMP10H4D2S-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 100V 270mA SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 4 V
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 100 V
    • Номинальный ток при VDS = 10 V (ID(on)): 270 mA
    • Количество контактов (пакет): SOT23-3
  • Плюсы:
    • Малый размер пакета, что позволяет сэкономить место на печатной плате
    • Низкое напряжение включения, что уменьшает потери энергии
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Низкий ток при номинальном напряжении блокировки может ограничивать область применения
    • Требуется дополнительная защита от перегрева и перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями в различных приборах и устройствах
    • Изменение состояния нагрузки под управлением сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные системы управления
    • Автомобильные системы
    • Беспроводные устройства
    • Электронные устройства для бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики DMP10H4D2S-13

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    270mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    87 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    380mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    DMP10

Техническая документация

 DMP10H4D2S-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 5506 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    68 ₽
  • 100
    26 ₽
  • 1000
    17.2 ₽
  • 5000
    13.4 ₽
  • 20000
    10.8 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMP10H4D2S-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23-3Все характеристики

Минимальная цена DMP10H4D2S-13 при покупке от 1 шт 68.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP10H4D2S-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP10H4D2S-13

DMP10H4D2S-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 100V 270mA SOT23-3

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение блокировки (VGS(th)): 4 V
    • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 100 V
    • Номинальный ток при VDS = 10 V (ID(on)): 270 mA
    • Количество контактов (пакет): SOT23-3
  • Плюсы:
    • Малый размер пакета, что позволяет сэкономить место на печатной плате
    • Низкое напряжение включения, что уменьшает потери энергии
    • Высокая надежность и долговечность
  • Минусы:
    • Низкий ток при номинальном напряжении блокировки может ограничивать область применения
    • Требуется дополнительная защита от перегрева и перенапряжения
  • Общее назначение:
    • Управление электрическими цепями в различных приборах и устройствах
    • Изменение состояния нагрузки под управлением сигнала
  • В каких устройствах применяется:
    • Промышленные системы управления
    • Автомобильные системы
    • Беспроводные устройства
    • Электронные устройства для бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики DMP10H4D2S-13

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    270mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.2Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1.8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    87 pF @ 25 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    380mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    DMP10

Техническая документация

 DMP10H4D2S-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRLR3636TRLPBFMOSFET N-CH 60V 50A DPAK
    201Кешбэк 30 баллов
    IRF9388TRPBFMOSFET P-CH 30V 12A 8SO
    201Кешбэк 30 баллов
    IRF6712STRPBFMOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
    201Кешбэк 30 баллов
    BSP171PH6327XTSA1MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4
    202Кешбэк 30 баллов
    IRF9530NPBFТранзистор: MOSFET P-CH 100V 14A TO220AB
    202Кешбэк 30 баллов
    IRF7451TRPBFMOSFET N-CH 150V 3.6A 8SO
    203Кешбэк 30 баллов
    BSP296NH6433XTMA1MOSFET N-CH 100V 1.2A SOT223-4
    205Кешбэк 30 баллов
    SPD100N03S2L-04MOSFET N-CH 30V 100A TO252-5
    205Кешбэк 30 баллов
    SPD08N50C3ATMA1MOSFET N-CH 500V 7.6A TO252-3
    205Кешбэк 30 баллов
    BSP317PH6327XTSA1MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
    205Кешбэк 30 баллов
    IRLR6225TRPBFMOSFET N-CH 20V 100A DPAK
    205Кешбэк 30 баллов
    IRFB7440GPBFMOSFET N CH 40V 120A TO220AB
    205Кешбэк 30 баллов
    IPD70R1K4CEAUMA1MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
    205Кешбэк 30 баллов
    IPD60N10S4L12ATMA1MOSFET N-CH 100V 60A TO252-3
    205Кешбэк 30 баллов
    IPD60R1K4C6ATMA1MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3
    205Кешбэк 30 баллов
    IRLZ34NPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 30A TO220AB
    207Кешбэк 31 балл
    IRF6706S2TR1PBFMOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET
    207Кешбэк 31 балл
    IPA180N10N3GXKSA1MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP
    209Кешбэк 31 балл
    IPA65R650CEXKSA1MOSFET N-CH 650V 7A TO220
    209Кешбэк 31 балл
    IRLR2905ZTRPBFMOSFET N-CH 55V 42A DPAK
    211Кешбэк 31 балл
    IPD50N04S4L08ATMA1MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3
    211Кешбэк 31 балл
    IRFR5305TRPBFТранзистор: MOSFET P-CH 55V 31A DPAK
    211Кешбэк 31 балл
    IRFR7546TRPBFMOSFET N-CH 60V 56A DPAK
    211Кешбэк 31 балл
    IRFB7440PBFMOSFET N-CH 40V 120A TO220AB
    211Кешбэк 31 балл
    BSC034N03LSGATMA1MOSFET N-CH 30V 22A/100A TDSON
    213Кешбэк 31 балл
    IPD350N06LGBTMA1MOSFET N-CH 60V 29A TO252-3
    213Кешбэк 31 балл
    IRF9321TRPBFMOSFET P-CH 30V 15A 8SO
    214Кешбэк 32 балла
    IPD30N06S215ATMA2MOSFET N-CH 55V 30A TO252-31
    215Кешбэк 32 балла
    IRFH7914TRPBFMOSFET N-CH 30V 15A/35A 8PQFN
    215Кешбэк 32 балла
    SPD30N08S2-22Транзистор: MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3
    216Кешбэк 32 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    IGBT транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Диоды - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторные модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы специального назначения
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - IGBT - модули
    Тиристоры - SCR - модули
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП