Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMP2008UFG-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMP2008UFG-13

DMP2008UFG-13

DMP2008UFG-13
;
DMP2008UFG-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMP2008UFG-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333Все характеристики

Минимальная цена DMP2008UFG-13 при покупке от 1 шт 161.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP2008UFG-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP2008UFG-13

DMP2008UFG-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 — это полупроводниковый транзистор с телешиной (MOSFET) с положительным зарядом проводника (P-канальный). Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение VGS(th): 20 В
  • Номинальный ток ID(on): 14 А
  • Тип: P-канальный MOSFET
  • Производитель: Diodes Incorporated
  • Модель: PWRDI3333

Плюсы:

  • Высокая conductance при номинальном токе
  • Устойчивость к высоким напряжениям
  • Низкий сопротивление резистора RDS(on)
  • Компактность

Минусы:

  • Необходимо учитывать температурный коэффициент сопротивления
  • Наличие паразитных элементов, таких как емкости и индуктивности
  • Ограниченная надежность при длительной эксплуатации

Общее назначение: используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая conductance и низкое сопротивление.

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Питательных цепях
  • Программируемых логических устройствах (PLD)
  • Системах управления двигателем
  • Инверторах и преобразователях напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики DMP2008UFG-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    14A (Ta), 54A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8mOhm @ 12A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    72 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6909 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta), 41W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI3333-8
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    DMP2008

Техническая документация

 DMP2008UFG-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 3132 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    161 ₽
  • 100
    69 ₽
  • 1000
    48 ₽
  • 6000
    38 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMP2008UFG-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333Все характеристики

Минимальная цена DMP2008UFG-13 при покупке от 1 шт 161.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP2008UFG-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP2008UFG-13

DMP2008UFG-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333 — это полупроводниковый транзистор с телешиной (MOSFET) с положительным зарядом проводника (P-канальный). Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение VGS(th): 20 В
  • Номинальный ток ID(on): 14 А
  • Тип: P-канальный MOSFET
  • Производитель: Diodes Incorporated
  • Модель: PWRDI3333

Плюсы:

  • Высокая conductance при номинальном токе
  • Устойчивость к высоким напряжениям
  • Низкий сопротивление резистора RDS(on)
  • Компактность

Минусы:

  • Необходимо учитывать температурный коэффициент сопротивления
  • Наличие паразитных элементов, таких как емкости и индуктивности
  • Ограниченная надежность при длительной эксплуатации

Общее назначение: используется для управления токами в различных электронных устройствах, где требуется высокая conductance и низкое сопротивление.

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Питательных цепях
  • Программируемых логических устройствах (PLD)
  • Системах управления двигателем
  • Инверторах и преобразователях напряжения
Выбрано: Показать

Характеристики DMP2008UFG-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    14A (Ta), 54A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8mOhm @ 12A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    72 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6909 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta), 41W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI3333-8
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    DMP2008

Техническая документация

 DMP2008UFG-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMP32D4S-7MOSFET P-CH 30V 300MA SOT23
    81Кешбэк 12 баллов
    DMN3018SFG-7MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
    105Кешбэк 15 баллов
    DMP2008UFG-13MOSFET P-CH 20V 14A PWRDI3333
    160Кешбэк 24 балла
    DMN4020LFDE-7MOSFET N-CH 40V 8A 6UDFN
    126Кешбэк 18 баллов
    ZXMN6A07FTAТранзистор: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
    122Кешбэк 18 баллов
    DMP2006UFG-7MOSFET P-CH 20V 17.5A POWERDI
    206Кешбэк 30 баллов
    DMT6010LPS-13MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
    193Кешбэк 28 баллов
    2N7002T-7-FТранзистор: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
    40Кешбэк 6 баллов
    DMT6007LFG-13MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
    302Кешбэк 45 баллов
    ZVP3306FTAMOSFET P-CH 60V 90MA SOT23-3
    117Кешбэк 17 баллов
    DMN1019UFDE-7MOSFET N CH 12V 11A U-DFN2020-6E
    126Кешбэк 18 баллов
    DMN53D0L-7MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
    53Кешбэк 7 баллов
    DMG3402L-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    25Кешбэк 3 балла
    DMP2305UVT-7MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23-3
    111Кешбэк 16 баллов
    DMN3010LFG-13MOSFET N-CH 30V 11A PWRDI3333
    169Кешбэк 25 баллов
    DMP3036SFG-7MOSFET P-CH 30V 8.7A PWRDI3333-8
    154Кешбэк 23 балла
    DMN65D8LW-7MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
    83Кешбэк 12 баллов
    DMG301NU-7MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
    93Кешбэк 13 баллов
    DMP2033UVT-7MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT-26
    124Кешбэк 18 баллов
    DMN3016LK3-13MOSFET N-CH 30V 12.4A TO252
    135Кешбэк 20 баллов
    DMN3067LW-13MOSFET N-CH 30V 2.6A SOT-323
    81Кешбэк 12 баллов
    DMG301NU-13MOSFET N-CH 25V 260MA SOT23
    32Кешбэк 4 балла
    ZXMP6A17E6QTAТранзистор: MOSFET P-CH 60V 2.3A SOT26
    146Кешбэк 21 балл
    DMN2050L-7MOSFET N-CH 20V 5.9A SOT23-3
    103Кешбэк 15 баллов
    DMN2501UFB4-7MOSFET N-CH 20V 1A X2-DFN1006-3
    84Кешбэк 12 баллов
    ZXMN2F30FHTAMOSFET N-CH 20V 4.1A SOT23-3
    81Кешбэк 12 баллов
    DMN2026UVT-7MOSFET N-CH 20V 6.2A TSOT-26
    103Кешбэк 15 баллов
    DMN3030LSS-13Транзистор: MOSFET N-CH 30V 9A 8SOP
    114Кешбэк 17 баллов
    BSS123TAТранзистор: MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
    81Кешбэк 12 баллов
    DMN3018SFG-13MOSFET N-CH 30V 8.5A PWRDI3333-8
    96Кешбэк 14 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Высокочастотные диоды
    IGBT транзисторы
    Транзисторы специального назначения
    Сборки биполярных транзисторов
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные IGBT транзисторы
    Симисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - выпрямители - массивы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диодные мосты
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы - Модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Биполярные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Модули драйверов питания
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП