Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
DMP2100UQ-7
  • В избранное
  • В сравнение
DMP2100UQ-7

DMP2100UQ-7

DMP2100UQ-7
;
DMP2100UQ-7

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMP2100UQ-7
  • Описание:
    MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&RВсе характеристики

Минимальная цена DMP2100UQ-7 при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP2100UQ-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP2100UQ-7

Маркировка DMP2100UQ-7 от производителя DIODES INCORPORATED:

  • MOSFET
  • BVDSS: 25В~30В
  • Оболочка: SOT23
  • Тип: T&R (теплопроводность)

Основные параметры:

  • BVDSS: Максимальное напряжение между дреном и сourse, при котором полупроводниковый транзистор не выходит из рабочего состояния.
  • Оболочка SOT23: Компактная корпусная оболочка для MOSFETов, обеспечивающая надежную защиту и простоту установки.
  • Тип T&R: Обозначает высокую теплопроводность, что обеспечивает эффективное отвод тепла от MOSFETа.

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря прочной оболочке SOT23.
  • Высокая теплопроводность (T&R), что позволяет использовать MOSFET при больших нагрузках без перегрева.
  • Универсальность использования благодаря широкому диапазону рабочего напряжения BVDSS.

Минусы:

  • Низкий уровень теплопроводности может быть проблемой в условиях высоких температур или при работе на максимальных мощностях.
  • Стоимость может быть выше по сравнению с менее дорогими аналогами.

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах, требующих управления мощными токами.
  • Подходит для применения в источниках питания, преобразователях напряжения, драйверах для моторов и других устройствах, где важно эффективно контролировать ток.

В каких устройствах применяется:

  • Источники питания для компьютеров и серверов.
  • Преобразователи напряжения для мобильных устройств.
  • Драйверы для электродвигателей.
  • Автомобильные системы управления двигателем.
  • Производство бытовой техники.
Выбрано: Показать

Характеристики DMP2100UQ-7

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    38mOhm @ 3.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.1 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    216 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    800mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    DMP2100U

Техническая документация

 DMP2100UQ-7.pdf
pdf. 0 kb
  • 2255 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    70 ₽
  • 25
    35.6 ₽
  • 500
    19.4 ₽
  • 3000
    15.6 ₽
  • 9000
    14.6 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INCORPORATED
  • Артикул:
    DMP2100UQ-7
  • Описание:
    MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT23 T&RВсе характеристики

Минимальная цена DMP2100UQ-7 при покупке от 1 шт 70.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP2100UQ-7 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP2100UQ-7

Маркировка DMP2100UQ-7 от производителя DIODES INCORPORATED:

  • MOSFET
  • BVDSS: 25В~30В
  • Оболочка: SOT23
  • Тип: T&R (теплопроводность)

Основные параметры:

  • BVDSS: Максимальное напряжение между дреном и сourse, при котором полупроводниковый транзистор не выходит из рабочего состояния.
  • Оболочка SOT23: Компактная корпусная оболочка для MOSFETов, обеспечивающая надежную защиту и простоту установки.
  • Тип T&R: Обозначает высокую теплопроводность, что обеспечивает эффективное отвод тепла от MOSFETа.

Плюсы:

  • Высокая надежность благодаря прочной оболочке SOT23.
  • Высокая теплопроводность (T&R), что позволяет использовать MOSFET при больших нагрузках без перегрева.
  • Универсальность использования благодаря широкому диапазону рабочего напряжения BVDSS.

Минусы:

  • Низкий уровень теплопроводности может быть проблемой в условиях высоких температур или при работе на максимальных мощностях.
  • Стоимость может быть выше по сравнению с менее дорогими аналогами.

Общее назначение:

  • Использование в электронных устройствах, требующих управления мощными токами.
  • Подходит для применения в источниках питания, преобразователях напряжения, драйверах для моторов и других устройствах, где важно эффективно контролировать ток.

В каких устройствах применяется:

  • Источники питания для компьютеров и серверов.
  • Преобразователи напряжения для мобильных устройств.
  • Драйверы для электродвигателей.
  • Автомобильные системы управления двигателем.
  • Производство бытовой техники.
Выбрано: Показать

Характеристики DMP2100UQ-7

  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    38mOhm @ 3.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    9.1 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    216 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    800mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    DMP2100U

Техническая документация

 DMP2100UQ-7.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    FDP023N08B-F102MOSFET N-CH 75V 120A TO220-3
    863Кешбэк 129 баллов
    NTP095N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    865Кешбэк 129 баллов
    FDWS86068-F085MOSFET N-CH 100V 80A 8DFN
    866Кешбэк 129 баллов
    NVMFS5C612NLWFAFT1GMOSFET N-CH 60V 38A/250A 5DFN
    884Кешбэк 132 балла
    NTMFS08N004CMOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN
    885Кешбэк 132 балла
    NVMFWS3D6N10MCLT1GPTNG 100V LL NCH SO-8FL WETTABLE
    886Кешбэк 132 балла
    NTPF082N65S3FMOSFET N-CH 650V 40A TO220F
    891Кешбэк 133 балла
    NVMFS6H800NWFT1GMOSFET N-CH 80V 28A/203A 5DFN
    897Кешбэк 134 балла
    FCP165N65S3MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
    901Кешбэк 135 баллов
    NTMFSC4D2N10MCMOSFET N-CH 100V 29.6A/116A 8DFN
    903Кешбэк 135 баллов
    FDBL86363-F085MOSFET N-CH 80V 240A 8HPSOF
    918Кешбэк 137 баллов
    NTMTS0D7N06CTXGMOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW
    922Кешбэк 138 баллов
    NVB190N65S3FMOSFET N-CH 650V 20A D2PAK-3
    924Кешбэк 138 баллов
    NTMTS0D7N06CLTXGMOSFET N-CH 60V 62.2A/477A 8DFNW
    924Кешбэк 138 баллов
    FDP020N06B-F102MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3
    924Кешбэк 138 баллов
    FDP4D5N10CMOSFET N-CH 100V 128A TO220-3
    926Кешбэк 138 баллов
    NTMFS7D8N10GTWGN-CHANNEL SHIELDED GATE POWERTRE
    929Кешбэк 139 баллов
    FDPF8D5N10CMOSFET N-CH 100V 76A TO220F
    936Кешбэк 140 баллов
    2SK1461N-CHANNEL POWER MOSFET
    936Кешбэк 140 баллов
    NTD5C648NLT4GMOSFET N-CH 60V 22A/91A DPAK
    938Кешбэк 140 баллов
    FCPF400N80ZL1-F154MOSFET N-CH 800V 11A TO220F-3
    938Кешбэк 140 баллов
    NVMFS5C410NWFAFT1GMOSFET N-CH 40V 46A/300A 5DFN
    945Кешбэк 141 балл
    FCP125N65S3MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
    951Кешбэк 142 балла
    NTPF125N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    956Кешбэк 143 балла
    NTP067N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    957Кешбэк 143 балла
    NVMFS5C404NLAFT1GMOSFET N-CH 40V 370A 5DFN
    967Кешбэк 145 баллов
    FDMS4D0N12CMOSFET N-CH 120V 18.5A/114A 8QFN
    968Кешбэк 145 баллов
    FCP165N65S3R0MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
    968Кешбэк 145 баллов
    NTP082N65S3HFMOSFET N-CH 650V 40A TO220-3
    970Кешбэк 145 баллов
    FCB125N65S3MOSFET N-CH 650V 24A TO263
    972Кешбэк 145 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR
    Симисторы - Модули
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторные модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные триодные тиристоры
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Сборки биполярных транзисторов
    Симисторы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    IGBT транзисторы
    Диоды силовые
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Одиночные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы специального назначения
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП