Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMP22M2UPS-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMP22M2UPS-13

DMP22M2UPS-13

DMP22M2UPS-13
;
DMP22M2UPS-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMP22M2UPS-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8Все характеристики

Минимальная цена DMP22M2UPS-13 при покупке от 1 шт 454.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP22M2UPS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP22M2UPS-13

DMP22M2UPS-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтральным каналом (P-канальный).

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 20 В
    • Номинальный ток: 60 А
    • Тип: P-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме включения
    • Малое сопротивление в отключенном состоянии
    • Хорошая надежность и долговечность
    • Низкое энергопотребление
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Необходимо наличие внешнего источника питания для заряда зарядного поля
    • Возможны проблемы с тепловым дизайном при высоких нагрузках
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Контроль включений и выключений в цепях высокой мощности
    • Уменьшение энергопотерь в системах питания
  • Применение в устройствах:
    • Системы питания и преобразования напряжения
    • Автомобильные системы
    • Питание серверных шкафов и компьютеров
    • Электронные устройства с высокими требованиями к энергоэффективности
Выбрано: Показать

Характеристики DMP22M2UPS-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.5mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    476 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    12826 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.3W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI5060-8 (Type K)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    DMP22

Техническая документация

 DMP22M2UPS-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 2245 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    454 ₽
  • 10
    350 ₽
  • 100
    241 ₽
  • 500
    198 ₽
  • 2500
    167 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMP22M2UPS-13
  • Описание:
    MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8Все характеристики

Минимальная цена DMP22M2UPS-13 при покупке от 1 шт 454.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP22M2UPS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP22M2UPS-13

DMP22M2UPS-13 Diodes Incorporated MOSFET P-CH 20V 60A PWRDI5060-8 — это полупроводниковый транзистор MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) с нейтральным каналом (P-канальный).

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение: 20 В
    • Номинальный ток: 60 А
    • Тип: P-канальный MOSFET
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме включения
    • Малое сопротивление в отключенном состоянии
    • Хорошая надежность и долговечность
    • Низкое энергопотребление
    • Устойчивость к электрическим шумам
  • Минусы:
    • Необходимо наличие внешнего источника питания для заряда зарядного поля
    • Возможны проблемы с тепловым дизайном при высоких нагрузках
    • Зависимость характеристик от температуры
  • Общее назначение:
    • Использование в различных электронных устройствах для управления током
    • Контроль включений и выключений в цепях высокой мощности
    • Уменьшение энергопотерь в системах питания
  • Применение в устройствах:
    • Системы питания и преобразования напряжения
    • Автомобильные системы
    • Питание серверных шкафов и компьютеров
    • Электронные устройства с высокими требованиями к энергоэффективности
Выбрано: Показать

Характеристики DMP22M2UPS-13

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.5mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    476 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    12826 pF @ 10 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.3W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI5060-8 (Type K)
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    DMP22

Техническая документация

 DMP22M2UPS-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SI7431DP-T1-GE3MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8
    911Кешбэк 136 баллов
    SUM110P04-04L-E3Транзистор: MOSFET P-CH 40V 110A TO263
    913Кешбэк 136 баллов
    IRFIB7N50APBFMOSFET N-CH 500V 6.6A TO220-3
    932Кешбэк 139 баллов
    SIHP21N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 21A TO220AB
    954Кешбэк 143 балла
    SI7880ADP-T1-E3MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
    960Кешбэк 144 балла
    IRFBC40SPBFMOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
    1 015Кешбэк 152 балла
    SI7439DP-T1-E3MOSFET P-CH 150V 3A PPAK SO-8
    1 047Кешбэк 157 баллов
    IRFP448PBFMOSFET N-CH 500V 11A TO247-3
    1 065Кешбэк 159 баллов
    SIHF30N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 29A TO220
    1 093Кешбэк 163 балла
    SUM90N03-2M2P-E3MOSFET N-CH 30V 90A TO263
    1 099Кешбэк 164 балла
    IRFP048PBFMOSFET N-CH 60V 70A TO247-3
    1 112Кешбэк 166 баллов
    IRFPF30PBFMOSFET N-CH 900V 3.6A TO247-3
    1 175Кешбэк 176 баллов
    SUM85N15-19-E3MOSFET N-CH 150V 85A TO263
    1 195Кешбэк 179 баллов
    IRFP350LCPBFТранзистор: MOSFET N-CH 400V 16A TO247-3
    1 385Кешбэк 207 баллов
    SUP85N15-21-E3MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB
    1 387Кешбэк 208 баллов
    SIHG33N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 33A TO247AC
    1 400Кешбэк 210 баллов
    SIHB33N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 33A D2PAK
    1 455Кешбэк 218 баллов
    SIHG70N60EF-GE3MOSFET N-CH 600V 70A TO247AC
    2 689Кешбэк 403 балла
    MMBF170MOSFET N-CH 60V 500MA SOT23
    53Кешбэк 7 баллов
    2N7000BUТранзистор: MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
    72Кешбэк 10 баллов
    BS170Транзистор: MOSFET N-CH 60V 300MA TO92-3
    74Кешбэк 11 баллов
    FDC8878MOSFET N-CH 30V 8A/8A SUPERSOT6
    121Кешбэк 18 баллов
    FDMS0312ASMOSFET N-CH 30V 18A/22A 8PQFN
    123Кешбэк 18 баллов
    FDC86244MOSFET N-CH 150V 2.3A SUPERSOT6
    131Кешбэк 19 баллов
    FDS5351MOSFET N-CH 60V 6.1A 8SOIC
    135Кешбэк 20 баллов
    FDC8886MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
    139Кешбэк 20 баллов
    FDC855NMOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6
    150Кешбэк 22 балла
    FDC654PMOSFET P-CH 30V 3.6A SUPERSOT6
    154Кешбэк 23 балла
    FDC642PТранзистор: MOSFET P-CH 20V 4A SUPERSOT6
    157Кешбэк 23 балла
    FDMA8051LТранзистор: MOSFET N-CH 40V 10A 6MICROFET
    165Кешбэк 24 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Симисторы
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Модули триодных тиристоров
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды силовые
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Варикапы и Варакторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторные модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Полевые транзисторы - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Программируемые однопереходные транзисторы
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП