DMP31D0UFB4-7B

DMP31D0UFB4-7B Diodes Incorporated MOSFET P-CH 30V 540mA 3DFN — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET с каналом типа P (P-канальный MOSFET). Он предназначен для работы в цифровых и аналоговых схемах.

• Основные параметры:
• Номинальное напряжение (V_DS(on)): 30В
• Номинальный ток (I_D(on)): 540мА
• Форм-фактор: 3DFN (3D Flip-Chip, 3D-пакет)

• Плюсы:
• Высокая скорость переключения благодаря низкому времену задержки
• Низкий коэффициент дугового срабатывания
• Малый размер и высокая плотность компоновки
• Устойчивость к перегреву

• Минусы:
• Высокое напряжение блокировки может привести к повреждению при работе с высокими напряжениями
• Требуется дополнительная термическая проекция для эффективного отвода тепла

• Общее назначение:
• Использование в цифровых и аналоговых схемах
• Переключение высокочастотных сигналов
• Защита от обратного напряжения
• Регулировка напряжения

• В каких устройствах применяется:
• Автомобильные системы управления
• Мобильные устройства
• Игровые консоли
• Системы питания
• Компьютеры и периферийное оборудование