Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMP32D9UFZ-7B
  • В избранное
  • В сравнение
DMP32D9UFZ-7B

DMP32D9UFZ-7B

DMP32D9UFZ-7B
;
DMP32D9UFZ-7B

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMP32D9UFZ-7B
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 200MA 3DFNВсе характеристики

Минимальная цена DMP32D9UFZ-7B при покупке от 1 шт 91.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP32D9UFZ-7B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP32D9UFZ-7B

DMP32D9UFZ-7B — это полупроводниковый транзистор MOSFET с положительным напряжением проводимости (P-канальный). Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки VDS: 30В
  • Номинальный ток проводимости ID: 200mA
  • Пакет: 3DFN

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения благодаря низкому времени затухания
  • Устойчивость к шуму и импульсным воздействиям
  • Компактный размер пакета для экономии места на печатной плате

Минусы:

  • Низкий ток проводимости по сравнению с другими типами MOSFET
  • Требуется дополнительная проектировка для обеспечения надежного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Переключение электрических цепей
  • Регулирование напряжения
  • Изоляция сигналов

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Системы управления двигателем
  • Питание мобильных устройств
  • Промышленное оборудование
  • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики DMP32D9UFZ-7B

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.35 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    22.5 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    390mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X2-DFN0606-3
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Base Product Number
    DMP32

Техническая документация

 DMP32D9UFZ-7B.pdf
pdf. 0 kb
  • 4253 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    91 ₽
  • 100
    34 ₽
  • 1000
    22.6 ₽
  • 10000
    19 ₽
  • 30000
    17.2 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMP32D9UFZ-7B
  • Описание:
    MOSFET P-CH 30V 200MA 3DFNВсе характеристики

Минимальная цена DMP32D9UFZ-7B при покупке от 1 шт 91.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMP32D9UFZ-7B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMP32D9UFZ-7B

DMP32D9UFZ-7B — это полупроводниковый транзистор MOSFET с положительным напряжением проводимости (P-канальный). Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки VDS: 30В
  • Номинальный ток проводимости ID: 200mA
  • Пакет: 3DFN

Плюсы:

  • Высокая скорость переключения благодаря низкому времени затухания
  • Устойчивость к шуму и импульсным воздействиям
  • Компактный размер пакета для экономии места на печатной плате

Минусы:

  • Низкий ток проводимости по сравнению с другими типами MOSFET
  • Требуется дополнительная проектировка для обеспечения надежного охлаждения при высоких нагрузках

Общее назначение:

  • Переключение электрических цепей
  • Регулирование напряжения
  • Изоляция сигналов

В каких устройствах применяется:

  • Автомобильные системы
  • Системы управления двигателем
  • Питание мобильных устройств
  • Промышленное оборудование
  • Электронные устройства бытовой техники
Выбрано: Показать

Характеристики DMP32D9UFZ-7B

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    200mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.2V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 100mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.35 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    22.5 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    390mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    X2-DFN0606-3
  • Корпус
    3-XFDFN
  • Base Product Number
    DMP32

Техническая документация

 DMP32D9UFZ-7B.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IRFZ48NSTRLPBFMOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
    441Кешбэк 66 баллов
    IRFP150NPBFMOSFET N-CH 100V 42A TO247AC
    441Кешбэк 66 баллов
    IRF6794MTR1PBFMOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET
    441Кешбэк 66 баллов
    IRL1004PBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 130A TO220AB
    441Кешбэк 66 баллов
    IPD50N06S2L13ATMA2MOSFET N-CH 55V 50A TO252-31
    444Кешбэк 66 баллов
    BSC123N10LSGATMA1MOSFET N-CH 100V 10.6/71A 8TDSON
    444Кешбэк 66 баллов
    AUIRL1404SMOSFET N-CH 40V 160A DPAK
    444Кешбэк 66 баллов
    IRFB7730PBFMOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
    446Кешбэк 66 баллов
    BSC014N04LSIATMA1MOSFET N-CH 40V 31A/100A TDSON
    448Кешбэк 67 баллов
    IRFS7437TRL7PPMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
    448Кешбэк 67 баллов
    IRFB3306PBFТранзистор: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
    450Кешбэк 67 баллов
    IRF3205STRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 110A D2PAK
    451Кешбэк 67 баллов
    IPD60R380C6ATMA1MOSFET N-CH 600V 10.6A TO252-3
    452Кешбэк 67 баллов
    AUIRF7647S2TRMOSFET N-CH 100V 5.9A DIRECTFET
    452Кешбэк 67 баллов
    IRLR7843TRLPBFТранзистор: MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
    452Кешбэк 67 баллов
    IRFH5250TRPBFMOSFET N-CH 25V 45A/100A 8PQFN
    454Кешбэк 68 баллов
    IRF7341GTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 55V 5.1A
    454Кешбэк 68 баллов
    IRL7486MTRPBFТранзистор: MOSFET N-CH 40V 209A DIRECTFET
    454Кешбэк 68 баллов
    IRFS7434TRLPBFMOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
    454Кешбэк 68 баллов
    IPD65R660CFDAATMA1MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3
    456Кешбэк 68 баллов
    SPD15P10PGBTMA1MOSFET P-CH 100V 15A TO252-3
    456Кешбэк 68 баллов
    IRFH8201TRPBFMOSFET N-CH 25V 49A/100A 8PQFN
    456Кешбэк 68 баллов
    IRFR2307ZTRLPBFMOSFET N-CH 75V 42A DPAK
    456Кешбэк 68 баллов
    IRF1404ZSTRLPBFMOSFET N-CH 40V 180A D2PAK
    456Кешбэк 68 баллов
    BSC009NE2LS5ATMA1MOSFET N-CH 25V 41A/100A TDSON
    458Кешбэк 68 баллов
    AUIRF7640S2TRMOSFET N-CH 60V 5.8A DIRECTFET
    458Кешбэк 68 баллов
    IPD65R380E6ATMA1MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3
    458Кешбэк 68 баллов
    IPD110N12N3GATMA1MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
    458Кешбэк 68 баллов
    IRFS7530TRLPBFMOSFET N CH 60V 195A D2PAK
    460Кешбэк 69 баллов
    IRFR3710ZTRLPBFMOSFET N-CH 100V 42A DPAK
    460Кешбэк 69 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Одиночные триодные тиристоры
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды силовые
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Тиристоры - TRIACs
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторные модули
    Варикапы и Варакторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - SCR
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Биполярные транзисторы
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды - ВЧ
    Модули драйверов питания
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные диоды
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП