Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13
;
DMT10H010LK3-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена DMT10H010LK3-13 при покупке от 1 шт 363.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMT10H010LK3-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 100В
    • Номинальный ток (ID(ON)): 68.8А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность (68.8А).
    • Низкое напряжение ввода.
    • Хорошая тепловая conductance.
    • Устойчивость к износу.
    • Малый размер и легкость в установке.
  • Минусы:
    • Существует риск перегрева при неправильном использовании.
    • Необходимо правильное охлаждение для максимальной эффективности.
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения.
    • Переключение высоких токов.
    • Изоляция источников питания.
  • Применение:
    • Автомобильные системы.
    • Инверторы и преобразователи.
    • Электронные устройства с высокими требованиями к мощности.
    • Промышленные приборы.
Выбрано: Показать

Характеристики DMT10H010LK3-13

Техническая документация

DMT10H010LK3-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 23040 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    363 ₽
  • 10
    220 ₽
  • 100
    147 ₽
  • 1000
    107 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена DMT10H010LK3-13 при покупке от 1 шт 363.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMT10H010LK3-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMT10H010LK3-13

DMT10H010LK3-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение (VDS(ON)): 100В
    • Номинальный ток (ID(ON)): 68.8А
    • Тип: N-канальный MOSFET
    • Пакет: TO252
  • Плюсы:
    • Высокая токовая способность (68.8А).
    • Низкое напряжение ввода.
    • Хорошая тепловая conductance.
    • Устойчивость к износу.
    • Малый размер и легкость в установке.
  • Минусы:
    • Существует риск перегрева при неправильном использовании.
    • Необходимо правильное охлаждение для максимальной эффективности.
  • Общее назначение:
    • Регулирование напряжения.
    • Переключение высоких токов.
    • Изоляция источников питания.
  • Применение:
    • Автомобильные системы.
    • Инверторы и преобразователи.
    • Электронные устройства с высокими требованиями к мощности.
    • Промышленные приборы.
Выбрано: Показать

Характеристики DMT10H010LK3-13

Техническая документация

DMT10H010LK3-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории