Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
DMT12H007LPS-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMT12H007LPS-13

DMT12H007LPS-13

DMT12H007LPS-13
;
DMT12H007LPS-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMT12H007LPS-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8Все характеристики

Минимальная цена DMT12H007LPS-13 при покупке от 1 шт 417.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMT12H007LPS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMT12H007LPS-13

DMT12H007LPS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8 — это полупроводниковый транзистор, используемый в различных электронных устройствах для управления током. Основные параметры:

  • Напряжение блокировки (VDS): 120В
  • Размерный ток (ID): 90А
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Производитель: Diodes Incorporated
  • Название модели: PWRDI5060-8

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении включение
  • Малый размер и легкость
  • Низкий сопротивление в режиме проводника
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Простота интеграции в схемы

Минусы:

  • Возможны проблемы с управлением при высоких температурах
  • Необходимо учитывать емкость гейта
  • Существуют ограничения по максимальному току и напряжению

Общее назначение:

  • Управление током в различных электронных устройствах
  • Регулирование напряжения
  • Защита от перегрузок и перенапряжений

Применение в устройствах:

  • Автомобильные системы
  • Инверторы
  • Промышленное оборудование
  • Системы питания
  • Мощные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики DMT12H007LPS-13

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    120 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.8mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    49 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3224 pF @ 60 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.9W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI5060-8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    DMT12

Техническая документация

 DMT12H007LPS-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 4177 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    417 ₽
  • 10
    267 ₽
  • 100
    182 ₽
  • 1000
    140 ₽
  • 5000
    114 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMT12H007LPS-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8Все характеристики

Минимальная цена DMT12H007LPS-13 при покупке от 1 шт 417.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMT12H007LPS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMT12H007LPS-13

DMT12H007LPS-13 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 120V 90A PWRDI5060-8 — это полупроводниковый транзистор, используемый в различных электронных устройствах для управления током. Основные параметры:

  • Напряжение блокировки (VDS): 120В
  • Размерный ток (ID): 90А
  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Производитель: Diodes Incorporated
  • Название модели: PWRDI5060-8

Плюсы:

  • Высокая проводимость при низком напряжении включение
  • Малый размер и легкость
  • Низкий сопротивление в режиме проводника
  • Устойчивость к перегреву и перенапряжению
  • Простота интеграции в схемы

Минусы:

  • Возможны проблемы с управлением при высоких температурах
  • Необходимо учитывать емкость гейта
  • Существуют ограничения по максимальному току и напряжению

Общее назначение:

  • Управление током в различных электронных устройствах
  • Регулирование напряжения
  • Защита от перегрузок и перенапряжений

Применение в устройствах:

  • Автомобильные системы
  • Инверторы
  • Промышленное оборудование
  • Системы питания
  • Мощные преобразователи
Выбрано: Показать

Характеристики DMT12H007LPS-13

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    120 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.8mOhm @ 30A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    49 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3224 pF @ 60 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.9W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI5060-8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    DMT12

Техническая документация

 DMT12H007LPS-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    YJL3401AP-CH MOSFET 30V 4.4A SOT-23-3L
    9.7Кешбэк 1 балл
    SIDR610DP-T1-GE3MOSFET N-CH 200V 8.9A/39.6A PPAK
    824Кешбэк 123 балла
    AONR66922MOSFET N-CH 100V 15A/50A 8DFN
    367Кешбэк 55 баллов
    BS170-D75ZMOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
    49Кешбэк 7 баллов
    BSZ0589NSATMA1MOSFET N-CH 30V 17A TSDSON
    196Кешбэк 29 баллов
    FDBL86566-F085MOSFET N-CH 60V 240A 8HPSOF
    467Кешбэк 70 баллов
    IRFL210TRPBF-BE3Транзистор: MOSFET N-CH 200V 960MA SOT223
    230Кешбэк 34 балла
    DMP2110UW-7MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
    70Кешбэк 10 баллов
    SIDR392DP-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 82A/100A PPAK
    582Кешбэк 87 баллов
    SISH112DN-T1-GE3MOSFET N-CH 30V 11.3A PPAK
    376Кешбэк 56 баллов
    2SK1274-T-AZSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    141Кешбэк 21 балл
    SQ1464EEH-T1_GE3MOSFET N-CH 60V 440MA SC70-6
    91Кешбэк 13 баллов
    MTSF3N03HDR2SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    59Кешбэк 8 баллов
    IAUA250N04S6N005AUMA1OPTIMOS POWER MOSFET
    580Кешбэк 87 баллов
    NTD360N65S3HPOWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
    493Кешбэк 73 балла
    SIHJ6N65E-T1-GE3MOSFET N-CH 650V 5.6A PPAK SO-8
    545Кешбэк 81 балл
    SQS486CENW-T1_GE3AUTOMOTIVE N-CHANNEL 40 V (D-S)
    185Кешбэк 27 баллов
    IPD50P04P413ATMA2MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
    300Кешбэк 45 баллов
    RQ6E045TNTRMOSFET N-CH 30V 4.5A TSMT6
    130Кешбэк 19 баллов
    ISC036N04NM5ATMA140V 3.6M OPTIMOS MOSFET SUPERSO8
    252Кешбэк 37 баллов
    IPB60R280P7ATMA1MOSFET N-CH 600V 12A D2PAK
    434Кешбэк 65 баллов
    SSM6K810R,LFSMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10
    133Кешбэк 19 баллов
    SUD19P06-60-BE3MOSFET P-CH 60V 18.3A DPAK
    319Кешбэк 47 баллов
    FDMS3D5N08LCMOSFET N-CH 80V 19A/136A 8PQFN
    661Кешбэк 99 баллов
    SISS61DN-T1-GE3MOSFET P-CH 20V 30.9/111.9A PPAK
    241Кешбэк 36 баллов
    IRFPC423.9A, 1000V, 4.2 OHM, N-CHANNEL
    296Кешбэк 44 балла
    SSM3J371R,LXHFSMOS P-CH VDSS:-20V VGSS:-8/+6V
    87Кешбэк 13 баллов
    SQJ488EP-T1_BE3MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
    427Кешбэк 64 балла
    SQJ488EP-T1_GE3MOSFET N-CH 100V 42A PPAK SO-8
    426Кешбэк 63 балла
    PJS6417_S1_0000120V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    126Кешбэк 18 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - Модули
    Диодные мосты
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Тиристоры - SCR
    Варикапы и Варакторы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Симисторы - Модули
    Высокочастотные диоды
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП