Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DMT8012LPS-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13
;
DMT8012LPS-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMT8012LPS-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 9A/65A PWRDI5060Все характеристики

Минимальная цена DMT8012LPS-13 при покупке от 1 шт 287.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMT8012LPS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13 — это MOSFET (MOSFET N-канальный с напряжением РДС(сг) до 80В, мощностью 9А/65А), выпускаемый компанией Diodes Incorporated. Правильное обозначение этого элемента — PWRDI5060.

  • Основные параметры:
    • N-канальный
    • Напряжение РДС(сг) до 80В
    • Мощность при 1% сгущения: 9А
    • Мощность при 3% сгущения: 65А
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Низкий коэффициент сгущения
    • Эффективность в работе
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Наличие паразитных транзисторов может привести к проблемам в некоторых схемах
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Регулирование напряжения
    • Применение в системах питания
    • Контроль тока в различных электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы питания
    • Инверторы
    • Системы управления электропитанием
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики DMT8012LPS-13

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Ta), 65A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17mOhm @ 12A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1949 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.1W (Ta), 113W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI5060-8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    DMT8012

Техническая документация

 DMT8012LPS-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 1152 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    287 ₽
  • 10
    181 ₽
  • 500
    95 ₽
  • 2500
    78 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMT8012LPS-13
  • Описание:
    MOSFET N-CH 80V 9A/65A PWRDI5060Все характеристики

Минимальная цена DMT8012LPS-13 при покупке от 1 шт 287.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMT8012LPS-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMT8012LPS-13

DMT8012LPS-13 — это MOSFET (MOSFET N-канальный с напряжением РДС(сг) до 80В, мощностью 9А/65А), выпускаемый компанией Diodes Incorporated. Правильное обозначение этого элемента — PWRDI5060.

  • Основные параметры:
    • N-канальный
    • Напряжение РДС(сг) до 80В
    • Мощность при 1% сгущения: 9А
    • Мощность при 3% сгущения: 65А
  • Плюсы:
    • Высокая мощность
    • Устойчивость к высоким напряжениям
    • Низкий коэффициент сгущения
    • Эффективность в работе
  • Минусы:
    • Требует дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
    • Наличие паразитных транзисторов может привести к проблемам в некоторых схемах
  • Общее назначение:
    • Использование в силовых преобразователях
    • Регулирование напряжения
    • Применение в системах питания
    • Контроль тока в различных электронных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Мобильные устройства
    • Автомобильные системы питания
    • Инверторы
    • Системы управления электропитанием
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики DMT8012LPS-13

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    80 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9A (Ta), 65A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17mOhm @ 12A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1949 pF @ 40 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.1W (Ta), 113W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI5060-8
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Base Product Number
    DMT8012

Техническая документация

 DMT8012LPS-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    ZVP0545AMOSFET P-CH 450V 45MA TO92-3
    232Кешбэк 34 балла
    DMTH6010LPSQ-13MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
    300Кешбэк 45 баллов
    DMP2130LDM-7MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26
    122Кешбэк 18 баллов
    DMN4800LSSQ-13MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SO
    119Кешбэк 17 баллов
    DMTH6005LPSQ-13MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060
    319Кешбэк 47 баллов
    DMP2066UFDE-7MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN
    117Кешбэк 17 баллов
    ZVN4206AMOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3
    181Кешбэк 27 баллов
    DMG3402L-7MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
    25.4Кешбэк 3 балла
    DMN3008SFG-13MOSFET N-CH 30V 17.6A PWRDI3333
    198Кешбэк 29 баллов
    DMP2012SN-7MOSFET P-CH 20V 700MA SC59-3
    82Кешбэк 12 баллов
    DMG2307L-7MOSFET P-CH 30V 2.5A SOT-23
    60Кешбэк 9 баллов
    ZXMP3A13FTAMOSFET P-CH 30V 1.4A SOT23-3
    74Кешбэк 11 баллов
    DMP32D9UFZ-7BMOSFET P-CH 30V 200MA 3DFN
    82Кешбэк 12 баллов
    DMN10H120SE-13MOSFET N-CH 100V 3.6A SOT223
    161Кешбэк 24 балла
    DMT3006LDK-7MOSFET N-CH 30V 17.1A/46.2A 8DFN
    122Кешбэк 18 баллов
    ZXMN10A09KTCMOSFET N-CH 100V 5A TO252-3
    421Кешбэк 63 балла
    DI9435T
    504Кешбэк 75 баллов
    DMT3004LPS-13MOSFET N-CH 30V 21A PWRDI5060
    272Кешбэк 40 баллов
    DMTH6010LK3-13MOSFET N-CH 60V 14.8A/70A TO252
    326Кешбэк 48 баллов
    ZXMP7A17KQTCMOSFET P-CH 70V 3.8A TO252
    69Кешбэк 10 баллов
    DMTH4007SPSQ-13MOSFET N-CH 40V 15.7A PWRDI5060
    337Кешбэк 50 баллов
    DMTH6010LPS-13MOSFET N-CH 60V 13.5A PWRDI5060
    265Кешбэк 39 баллов
    DMTH4005SPS-13MOSFET N-CH 40V 20.9A PWRDI5060
    300Кешбэк 45 баллов
    DMN4036LK3-13MOSFET N-CH 40V 8.5A TO252-3
    140Кешбэк 21 балл
    DMT6015LPS-13MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
    169Кешбэк 25 баллов
    DMNH10H028SK3-13MOSFET N-CH 100V 55A TO252
    319Кешбэк 47 баллов
    DMN3042L-7MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
    54Кешбэк 8 баллов
    DMNH4006SK3Q-13MOSFET N-CH 40V 20A/140A TO252
    269Кешбэк 40 баллов
    DMT6016LPS-13MOSFET N-CH 60V 10.6A PWRDI5060
    157Кешбэк 23 балла
    DMN2027UPS-13MOSFET N-CH 20V 10A PWRDI5060
    167Кешбэк 25 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Полевые транзисторы - Сборки
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Симисторы - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диодные мосты
    Драйверы питания - Модули
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП