Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
DMTH10H017LPD-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMTH10H017LPD-13

DMTH10H017LPD-13

DMTH10H017LPD-13
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMTH10H017LPD-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50Все характеристики

Минимальная цена DMTH10H017LPD-13 при покупке от 1 шт 380.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMTH10H017LPD-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMTH10H017LPD-13

Разрешенные теги:

,

    ,
  • ,

    • Основные параметры:
      • BVDSS: 61В ~ 100В
      • POWERDI50
    • Плюсы:
      • Высокое напряжение блокировки (BVDSS), что делает его подходящим для использования в различных приложениях с высоким напряжением.
      • Способность передавать значительные уровни мощности.
    • Минусы:
      • Точные технические ограничения могут быть более строгими по сравнению с менее мощными моделями.
      • Увеличенные размеры из-за высокой мощности.
    • Общее назначение:
      • Передача мощности в электронных устройствах.
      • Защита от обратного напряжения.
      • Контроль тока в различных приложениях.
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы питания и управления.
      • Электроприборы и бытовая техника.
      • Промышленное оборудование.
      • Системы энергоснабжения.
Выбрано: Показать

Характеристики DMTH10H017LPD-13

  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    59A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17.4mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28.6nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1986pF @ 50V
  • Рассеивание мощности
    2.6W (Ta), 93W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    PowerDI5060-8 (Type E)
  • Base Product Number
    DMTH10H017

Техническая документация

 DMTH10H017LPD-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    в наличии
  • 1080 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    380 ₽
  • 10
    246 ₽
  • 100
    165 ₽
  • 1000
    126 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMTH10H017LPD-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50Все характеристики

Минимальная цена DMTH10H017LPD-13 при покупке от 1 шт 380.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMTH10H017LPD-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMTH10H017LPD-13

Разрешенные теги:

,

    ,
  • ,

    • Основные параметры:
      • BVDSS: 61В ~ 100В
      • POWERDI50
    • Плюсы:
      • Высокое напряжение блокировки (BVDSS), что делает его подходящим для использования в различных приложениях с высоким напряжением.
      • Способность передавать значительные уровни мощности.
    • Минусы:
      • Точные технические ограничения могут быть более строгими по сравнению с менее мощными моделями.
      • Увеличенные размеры из-за высокой мощности.
    • Общее назначение:
      • Передача мощности в электронных устройствах.
      • Защита от обратного напряжения.
      • Контроль тока в различных приложениях.
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы питания и управления.
      • Электроприборы и бытовая техника.
      • Промышленное оборудование.
      • Системы энергоснабжения.
Выбрано: Показать

Характеристики DMTH10H017LPD-13

  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    59A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17.4mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28.6nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1986pF @ 50V
  • Рассеивание мощности
    2.6W (Ta), 93W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    PowerDI5060-8 (Type E)
  • Base Product Number
    DMTH10H017

Техническая документация

 DMTH10H017LPD-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PJT7800_R1_00001Транзистор: 20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    70Кешбэк 10 баллов
    PJX138K_R1_00001Транзистор: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    42Кешбэк 6 баллов
    PJT138K-AU_R1_000A1Транзистор: 50V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    52Кешбэк 7 баллов
    PJT7603_R1_00001Транзистор: COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE M
    53Кешбэк 7 баллов
    PJT7801_R1_00001Транзистор: 20V P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
    91Кешбэк 13 баллов
    PJT7600_R1_00001Транзистор: 20V COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MO
    90Кешбэк 13 баллов
    PJX8603_R1_00001Транзистор: COMPLEMENTARY ENHANCEMENT MODE M
    62Кешбэк 9 баллов
    RJK03R1DPA-00#J5AN-CHANNEL MOSFET
    308Кешбэк 46 баллов
    UPA2450BTL-E1-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    161Кешбэк 24 балла
    RJK03D3DPA-00#J53N CHANNEL 30V, 40A, POWER SWITCH
    250Кешбэк 37 баллов
    UPA1872BGR-9JG-E1-AТранзистор: POWER, 10A, 20V, N-CH MOSFET
    217Кешбэк 32 балла
    FS10ASJ-3-T13#C01Транзистор: HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL
    261Кешбэк 39 баллов
    UPA1915TE(0)-T1-ATP-CHANNEL MOSFET
    74Кешбэк 11 баллов
    UPA2451BTL-E1-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    165Кешбэк 24 балла
    FS10ASJ-3-T13#C02Транзистор: HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL
    261Кешбэк 39 баллов
    2SJ356(0)-T2-AZP-CHANNEL MOSFET
    256Кешбэк 38 баллов
    FS30KMJ-3#B00N-CHANNEL , 150V, 30A
    389Кешбэк 58 баллов
    FS30ASJ-2-T13#B00Транзистор: HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL
    287Кешбэк 43 балла
    FS30KM-3#B00N-CHANNEL , 150V, 30A
    389Кешбэк 58 баллов
    UPA675T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    50Кешбэк 7 баллов
    UPA503T-T2-AТранзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    70Кешбэк 10 баллов
    RJK03K3DPA-00#J5AN-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
    150Кешбэк 22 балла
    UPA503T-T1-AТранзистор: SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
    70Кешбэк 10 баллов
    FS50UM-3Транзистор: 50A, 150V, N-CHANNEL MOSFET
    1 012Кешбэк 151 балл
    FS10ASJ-2-T13#B00Транзистор: HIGH SPEED SWITCHING N-CHANNEL
    261Кешбэк 39 баллов
    RJK03J9DNS-00#J5Транзистор: N-CHANNEL POWER SWITCHING MOSFET
    80Кешбэк 12 баллов
    UPA1793G-E1-ATТранзистор: SMALL SIGNAL N AND P-CH MOSFET
    176Кешбэк 26 баллов
    UPA3753GR-E1-AXТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SOP
    352Кешбэк 52 балла
    RJK03E0DNS-WS#J5N CHANNEL 30V, 30A, POWER SWITCH
    150Кешбэк 22 балла
    UPA2754GR-E2-AТранзистор: POWER, 11A, 30V, N-CH MOSFET
    326Кешбэк 48 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Полевые транзисторы - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - JFET
    Диоды - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Драйверы питания - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Диодные мосты
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП