Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
DMTH10H017LPD-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMTH10H017LPD-13

DMTH10H017LPD-13

DMTH10H017LPD-13
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMTH10H017LPD-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50Все характеристики

Минимальная цена DMTH10H017LPD-13 при покупке от 1 шт 409.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMTH10H017LPD-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMTH10H017LPD-13

Разрешенные теги:

,

    ,
  • ,

    • Основные параметры:
      • BVDSS: 61В ~ 100В
      • POWERDI50
    • Плюсы:
      • Высокое напряжение блокировки (BVDSS), что делает его подходящим для использования в различных приложениях с высоким напряжением.
      • Способность передавать значительные уровни мощности.
    • Минусы:
      • Точные технические ограничения могут быть более строгими по сравнению с менее мощными моделями.
      • Увеличенные размеры из-за высокой мощности.
    • Общее назначение:
      • Передача мощности в электронных устройствах.
      • Защита от обратного напряжения.
      • Контроль тока в различных приложениях.
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы питания и управления.
      • Электроприборы и бытовая техника.
      • Промышленное оборудование.
      • Системы энергоснабжения.
Выбрано: Показать

Характеристики DMTH10H017LPD-13

  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    59A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17.4mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28.6nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1986pF @ 50V
  • Рассеивание мощности
    2.6W (Ta), 93W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    PowerDI5060-8 (Type E)
  • Base Product Number
    DMTH10H017

Техническая документация

 DMTH10H017LPD-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 1 шт
    в наличии
  • 1199 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    409 ₽
  • 10
    261 ₽
  • 100
    177 ₽
  • 1000
    133 ₽
  • 5000
    109 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMTH10H017LPD-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI50Все характеристики

Минимальная цена DMTH10H017LPD-13 при покупке от 1 шт 409.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMTH10H017LPD-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMTH10H017LPD-13

Разрешенные теги:

,

    ,
  • ,

    • Основные параметры:
      • BVDSS: 61В ~ 100В
      • POWERDI50
    • Плюсы:
      • Высокое напряжение блокировки (BVDSS), что делает его подходящим для использования в различных приложениях с высоким напряжением.
      • Способность передавать значительные уровни мощности.
    • Минусы:
      • Точные технические ограничения могут быть более строгими по сравнению с менее мощными моделями.
      • Увеличенные размеры из-за высокой мощности.
    • Общее назначение:
      • Передача мощности в электронных устройствах.
      • Защита от обратного напряжения.
      • Контроль тока в различных приложениях.
    • В каких устройствах применяется:
      • Автомобильные системы питания и управления.
      • Электроприборы и бытовая техника.
      • Промышленное оборудование.
      • Системы энергоснабжения.
Выбрано: Показать

Характеристики DMTH10H017LPD-13

  • Особенности полевого транзистора
    Standard
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    59A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    17.4mOhm @ 17A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    28.6nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1986pF @ 50V
  • Рассеивание мощности
    2.6W (Ta), 93W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-PowerTDFN
  • Исполнение корпуса
    PowerDI5060-8 (Type E)
  • Base Product Number
    DMTH10H017

Техническая документация

 DMTH10H017LPD-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MTB6N60ET4Транзистор: 6A, 600V, 1.2OHM, N-CHANNEL
    191Кешбэк 28 баллов
    MPIC2117PТранзистор: BUFFER/INVERTER BASED MOSFET DRI
    191Кешбэк 28 баллов
    FDS9958-F085MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC
    201Кешбэк 30 баллов
    2SK2631-TL-E-ONPOWER MOSFET
    238Кешбэк 35 баллов
    NVMFD5C674NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 42A S08FL
    238Кешбэк 35 баллов
    NTMFD5C674NLT1GТранзистор: T6 60V LL S08FL DS
    246Кешбэк 36 баллов
    NTLUD4C26NTAGТранзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 9.1A 6UDFN
    258Кешбэк 38 баллов
    NVMFD5C674NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 42A S08FL
    258Кешбэк 38 баллов
    2SK3704-CB11N-CHANNEL MOSFET
    261Кешбэк 39 баллов
    EFC4K105NUZTDGТранзистор: NCH 22V 25A WLCSP DUAL
    263Кешбэк 39 баллов
    2SK3704-1EX2SK3704 - N-CHANNEL SILICON MOSF
    263Кешбэк 39 баллов
    NVMFD5C470NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
    265Кешбэк 39 баллов
    NVMFD5C680NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 60V 26A S08FL
    307Кешбэк 46 баллов
    NVMFD5C470NLWFT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 36A S08FL
    338Кешбэк 50 баллов
    NTTFD4D0N04HLTWGТранзистор: MOSFET, POWER, 40V POWERTRENCH P
    368Кешбэк 55 баллов
    NVMFD5C466NT1GТранзистор: 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
    370Кешбэк 55 баллов
    NVMFD6H846NLWFT1GТранзистор: MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
    372Кешбэк 55 баллов
    NTMFD6H846NLT1GТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 80V,
    377Кешбэк 56 баллов
    NVMFD5C478NLT1GТранзистор: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
    399Кешбэк 59 баллов
    NVMFD5C478NLWFT1GТранзистор: 40V 14.5 MOHM T8 S08FL DU
    401Кешбэк 60 баллов
    NVMFD5C466NWFT1GТранзистор: 40V 8.1 MOHM T8 S08FL DUA
    405Кешбэк 60 баллов
    NVMFD6H846NLT1GТранзистор: MOSFET - POWER, DUAL N-CHANNEL,
    442Кешбэк 66 баллов
    NVMFD5C470NWFT1GТранзистор: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
    444Кешбэк 66 баллов
    NVMFD5C466NLT1GТранзистор: MOSFET 2N-CH 40V 52A S08FL
    448Кешбэк 67 баллов
    NVMFD5C470NT1GТранзистор: 40V 11.7 MOHM T8 S08FL DU
    456Кешбэк 68 баллов
    HUFA76407DK8T-F085MOSFET 2N-CH 60V 8-SOIC
    488Кешбэк 73 балла
    EFC4K110NUZTDGТранзистор: NCH 24V 25A WLCSP DUAL
    539Кешбэк 80 баллов
    NTTFD9D0N06HLTWGТранзистор: MOSFET, POWER, 60V POWERTRENCH P
    552Кешбэк 82 балла
    NVMFD5C462NT1GТранзистор: 40V 5.4 MOHM T8 S08FL DUA
    560Кешбэк 84 балла
    2SK4085LS-CB11N-CHANNEL MOSFET
    580Кешбэк 87 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Модули триодных тиристоров
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Тиристоры - SCR - модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды - мостовые выпрямители
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Симисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Высокочастотные диоды
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Диодные мосты
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    IGBT транзисторы
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Транзисторные модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП