Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
DMTH4M70SPGWQ-13
  • В избранное
  • В сравнение
DMTH4M70SPGWQ-13

DMTH4M70SPGWQ-13

DMTH4M70SPGWQ-13
;
DMTH4M70SPGWQ-13

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMTH4M70SPGWQ-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808Все характеристики

Минимальная цена DMTH4M70SPGWQ-13 при покупке от 1 шт 673.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMTH4M70SPGWQ-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMTH4M70SPGWQ-13

Основные параметры:

  • Наименование: Diodes Incorporated DМТН4М70SPGWQ-13
  • Тип транзистора: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
  • BVDSS (Breakdown Voltage Drain-Source): 31V~40V (напряжение пробоя сток-исток) - это максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать между стоком и истоком в выключенном состоянии.
  • Корпус: POWERDI808 - это компактный корпус с хорошими тепловыми характеристиками, предназначенный для поверхностного монтажа.
  • Производитель: Diodes Incorporated - известный производитель полупроводниковых компонентов.

Плюсы:

  • Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Как правило, MOSFET, особенно в корпусах POWERDI, обладают низким RDS(on), что минимизирует потери мощности при работе в качестве ключа.
  • Высокая эффективность: Благодаря низкому RDS(on) и быстрому переключению, эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность преобразования энергии.
  • Компактный корпус POWERDI808: Обеспечивает экономию места на печатной плате и улучшенное рассеивание тепла.
  • Широкий диапазон применения: Подходит для различных приложений благодаря своим электрическим характеристикам.
  • Надежность: Продукция Diodes Incorporated обычно отличается высоким качеством и надежностью.

Минусы:

  • Относительно невысокое напряжение BVDSS: Диапазон 31V-40V ограничивает применение в высоковольтных цепях.
  • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD): Как и большинство MOSFET, может быть чувствителен к статическому электричеству при монтаже.
  • Требуется драйвер затвора: Для достижения оптимальных характеристик переключения и минимизации потерь часто требуется специализированный драйвер затвора.

Общее назначение:

MOSFET DМТН4М70SPGWQ-13 предназначен для использования в качестве силового ключа или элемента управления в различных электронных схемах. Он идеально подходит для приложений, требующих высокой эффективности, низких потерь мощности и компактных размеров.

В каких устройствах применяется:

  • Преобразователи постоянного тока (DC-DC конвертеры): Для повышения или понижения напряжения.
  • Источники бесперебойного питания (ИБП): В цепях управления питанием и переключения.
  • Светодиодное освещение (LED драйверы): Для управления яркостью и питанием светодиодов.
  • Управление двигателями: В схемах управления коллекторными и бесколлекторными двигателями постоянного тока.
  • Зарядные устройства: В качестве коммутирующих элементов для управления процессом зарядки.
  • Портативная электроника: В схемах управления питанием для ноутбуков, планшетов, смартфонов и других устройств с автономным питанием.
  • Автомобильная электроника: В различных системах управления, где требуется эффективное переключение и низкие потери.
Выбрано: Показать

Характеристики DMTH4M70SPGWQ-13

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    460A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.7mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    117.1 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10053 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5.6W (Ta), 428W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI8080-5
  • Корпус
    SOT-1235

Техническая документация

 DMTH4M70SPGWQ-13.pdf
pdf. 0 kb
  • 4560 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    673 ₽
  • 10
    461 ₽
  • 100
    340 ₽
  • 500
    300 ₽
  • 2000
    245 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Diodes Incorporated
  • Артикул:
    DMTH4M70SPGWQ-13
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808Все характеристики

Минимальная цена DMTH4M70SPGWQ-13 при покупке от 1 шт 673.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMTH4M70SPGWQ-13 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMTH4M70SPGWQ-13

Основные параметры:

  • Наименование: Diodes Incorporated DМТН4М70SPGWQ-13
  • Тип транзистора: MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
  • BVDSS (Breakdown Voltage Drain-Source): 31V~40V (напряжение пробоя сток-исток) - это максимальное напряжение, которое транзистор может выдержать между стоком и истоком в выключенном состоянии.
  • Корпус: POWERDI808 - это компактный корпус с хорошими тепловыми характеристиками, предназначенный для поверхностного монтажа.
  • Производитель: Diodes Incorporated - известный производитель полупроводниковых компонентов.

Плюсы:

  • Низкое сопротивление открытого канала (RDS(on)): Как правило, MOSFET, особенно в корпусах POWERDI, обладают низким RDS(on), что минимизирует потери мощности при работе в качестве ключа.
  • Высокая эффективность: Благодаря низкому RDS(on) и быстрому переключению, эти транзисторы обеспечивают высокую эффективность преобразования энергии.
  • Компактный корпус POWERDI808: Обеспечивает экономию места на печатной плате и улучшенное рассеивание тепла.
  • Широкий диапазон применения: Подходит для различных приложений благодаря своим электрическим характеристикам.
  • Надежность: Продукция Diodes Incorporated обычно отличается высоким качеством и надежностью.

Минусы:

  • Относительно невысокое напряжение BVDSS: Диапазон 31V-40V ограничивает применение в высоковольтных цепях.
  • Чувствительность к электростатическому разряду (ESD): Как и большинство MOSFET, может быть чувствителен к статическому электричеству при монтаже.
  • Требуется драйвер затвора: Для достижения оптимальных характеристик переключения и минимизации потерь часто требуется специализированный драйвер затвора.

Общее назначение:

MOSFET DМТН4М70SPGWQ-13 предназначен для использования в качестве силового ключа или элемента управления в различных электронных схемах. Он идеально подходит для приложений, требующих высокой эффективности, низких потерь мощности и компактных размеров.

В каких устройствах применяется:

  • Преобразователи постоянного тока (DC-DC конвертеры): Для повышения или понижения напряжения.
  • Источники бесперебойного питания (ИБП): В цепях управления питанием и переключения.
  • Светодиодное освещение (LED драйверы): Для управления яркостью и питанием светодиодов.
  • Управление двигателями: В схемах управления коллекторными и бесколлекторными двигателями постоянного тока.
  • Зарядные устройства: В качестве коммутирующих элементов для управления процессом зарядки.
  • Портативная электроника: В схемах управления питанием для ноутбуков, планшетов, смартфонов и других устройств с автономным питанием.
  • Автомобильная электроника: В различных системах управления, где требуется эффективное переключение и низкие потери.
Выбрано: Показать

Характеристики DMTH4M70SPGWQ-13

  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    460A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.7mOhm @ 25A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    117.1 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10053 pF @ 20 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5.6W (Ta), 428W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerDI8080-5
  • Корпус
    SOT-1235

Техническая документация

 DMTH4M70SPGWQ-13.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    DMN3025LFV-13MOSFET N-CH 30V 25A POWERDI3333
    111Кешбэк 16 баллов
    DMP2110UW-7MOSFET P-CH 20V 2A SOT323
    70Кешбэк 10 баллов
    DMN2024U-7MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 3
    89Кешбэк 13 баллов
    DMT6005LSS-13MOSFET N-CH 60V 13.5A 8SO
    365Кешбэк 54 балла
    DMTH4008LPSQ-13MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
    206Кешбэк 30 баллов
    DMTH43M8LFG-7MOSFET N-CH 40V PWRDI3333
    256Кешбэк 38 баллов
    DMP2078LCA3-7MOSFET P-CH 20V 3.4A X4DSN1006-3
    85Кешбэк 12 баллов
    DMN2053U-7MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT23 T&R 3
    74Кешбэк 11 баллов
    DMP1009UFDFQ-7MOSFET P-CH 12V 11A 6UDFN
    139Кешбэк 20 баллов
    DMN6069SFGQ-7MOSFET N-CH 60V 18A POWERDI3333
    209Кешбэк 31 балл
    DMP3026SFDF-13MOSFET P-CH 30V 10.3A 6UDFN
    139Кешбэк 20 баллов
    DMG1012T-13MOSFET N-CH 20V 630MA SOT523 T&R
    46Кешбэк 6 баллов
    DMP2045U-7MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
    16.5Кешбэк 2 балла
    DMN10H220LQ-13MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3
    70Кешбэк 10 баллов
    DMT35M7LFV-7MOSFET N-CH 30V 76A POWERDI3333
    207Кешбэк 31 балл
    DMP2035UVTQ-7MOSFET P-CH 20V 7.2A TSOT26
    119Кешбэк 17 баллов
    DMN3042LFDF-7MOSFET N-CH 30V 7A 6UDFN
    119Кешбэк 17 баллов
    DMT36M1LPS-13MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
    98Кешбэк 14 баллов
    DMTH4008LFDFWQ-7MOSFET N-CH 40V 11.6A 6UDFN
    187Кешбэк 28 баллов
    DMN61D9UWQ-7MOSFET N-CH 60V 400MA SOT323
    59Кешбэк 8 баллов
    DMN53D0LQ-13MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23
    54Кешбэк 8 баллов
    DMT3020LFDF-7Транзистор: MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN
    141Кешбэк 21 балл
    DMTH6009LPS-13MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
    196Кешбэк 29 баллов
    DMTH4008LPS-13MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
    111Кешбэк 16 баллов
    DMN32D0LFB4-7BMOSFET BVDSS: 25V-30V X2-DFN1006
    78Кешбэк 11 баллов
    DMT10H025SSS-13MOSFET N-CH 100V 7.4A 8SO
    113Кешбэк 16 баллов
    DMP2045UQ-7MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23
    91Кешбэк 13 баллов
    2N7002AQ-13Транзистор: MOSFET N-CH 60V 180MA SOT23
    37Кешбэк 5 баллов
    DMTH4M70SPGWQ-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI808
    673Кешбэк 100 баллов
    DMNH6021SPSQ-13MOSFET N-CH 60V 55A PWRDI5060-8
    187Кешбэк 28 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - TRIACs
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Симисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Тиристоры - SCR - модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - Модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Модули
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - ВЧ
    Драйверы питания - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Принадлежности
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - JFET
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - массивы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП