Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
DMTH6016LFDFWQ-7R
  • В избранное
  • В сравнение
DMTH6016LFDFWQ-7R

DMTH6016LFDFWQ-7R

DMTH6016LFDFWQ-7R
;
DMTH6016LFDFWQ-7R

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    DIODES INC.
  • Артикул:
    DMTH6016LFDFWQ-7R
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFNВсе характеристики

Минимальная цена DMTH6016LFDFWQ-7R при покупке от 1 шт 205.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMTH6016LFDFWQ-7R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMTH6016LFDFWQ-7R

DMTH6016LFDFWQ-7R — это полупроводниковый транзистор из семейства MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства компании Diodes Incorporated. Этот тип MOSFET предназначен для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение VDS(on): 60В
    • Ток при VDS(on) = 60В: 9,4А
    • Пакет: 6UDFN
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме нахождения в канале (low RDS(on))
    • Малое энергопотребление
    • Работает без внешнего питания
    • Стабильная работа при различных температурах
  • Минусы:
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления может привести к перегреву при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения для предотвращения перегрева

Общее назначение: MOSFET DMTH6016LFDFWQ-7R используется в различных приложениях, где требуется высокий ток и низкое напряжение, такие как:

  • Блоки питания
  • Передатчики радиосигналов
  • Инверторы
  • Драйверы двигателей
  • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики DMTH6016LFDFWQ-7R

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    925 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.06W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
  • Корпус
    6-UDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    DMTH6016

Техническая документация

 DMTH6016LFDFWQ-7R.pdf
pdf. 0 kb
  • 763 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    205 ₽
  • 100
    99 ₽
  • 1000
    75 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    DIODES INC.
  • Артикул:
    DMTH6016LFDFWQ-7R
  • Описание:
    MOSFET N-CH 60V 9.4A 6UDFNВсе характеристики

Минимальная цена DMTH6016LFDFWQ-7R при покупке от 1 шт 205.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DMTH6016LFDFWQ-7R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DMTH6016LFDFWQ-7R

DMTH6016LFDFWQ-7R — это полупроводниковый транзистор из семейства MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) производства компании Diodes Incorporated. Этот тип MOSFET предназначен для использования в различных электронных устройствах.

  • Основные параметры:
    • Номинальное напряжение VDS(on): 60В
    • Ток при VDS(on) = 60В: 9,4А
    • Пакет: 6UDFN
  • Плюсы:
    • Высокая проводимость в режиме нахождения в канале (low RDS(on))
    • Малое энергопотребление
    • Работает без внешнего питания
    • Стабильная работа при различных температурах
  • Минусы:
    • Низкий коэффициент теплового сопротивления может привести к перегреву при высоких нагрузках
    • Необходимо соблюдать правила охлаждения для предотвращения перегрева

Общее назначение: MOSFET DMTH6016LFDFWQ-7R используется в различных приложениях, где требуется высокий ток и низкое напряжение, такие как:

  • Блоки питания
  • Передатчики радиосигналов
  • Инверторы
  • Драйверы двигателей
  • Автомобильные системы
Выбрано: Показать

Характеристики DMTH6016LFDFWQ-7R

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    18mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15.3 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    925 pF @ 30 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.06W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    U-DFN2020-6 (SWP) (Type F)
  • Корпус
    6-UDFN Exposed Pad
  • Base Product Number
    DMTH6016

Техническая документация

 DMTH6016LFDFWQ-7R.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    2SK3116-S-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    512Кешбэк 76 баллов
    UPA2700GR-E1-AN-CHANNEL POWER MOSFET
    525Кешбэк 78 баллов
    2SK1957-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    525Кешбэк 78 баллов
    2SK3573-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    527Кешбэк 79 баллов
    2SK3573-ZK-E1-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    527Кешбэк 79 баллов
    2SK1637-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    537Кешбэк 80 баллов
    FK10KM-12-A8#B00N-CHANNEL POWER MOSFET
    537Кешбэк 80 баллов
    2SK1400A-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    537Кешбэк 80 баллов
    HAT1125HWS-EP-CHANNEL POWER MOSFET
    539Кешбэк 80 баллов
    RJL6013DPP-00#T2N-CHANNEL POWER MOSFET
    548Кешбэк 82 балла
    2SK1288-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    554Кешбэк 83 балла
    2SK1566-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    554Кешбэк 83 балла
    2SK1667-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    557Кешбэк 83 балла
    2SK1315L-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    557Кешбэк 83 балла
    2SJ387STL-EP-CHANNEL POWER MOSFET
    565Кешбэк 84 балла
    2SK2114-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    576Кешбэк 86 баллов
    2SK2512-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    576Кешбэк 86 баллов
    2SK1852-T-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    578Кешбэк 86 баллов
    NP75N055YUK-E1-AYPOWER TRS2
    586Кешбэк 87 баллов
    NP89N06PDK-E1-AYP-TRS2 AUTOMOTIVE MOS
    591Кешбэк 88 баллов
    RJK4007DPP-L1#T2N-CHANNEL POWER MOSFET
    593Кешбэк 88 баллов
    UPA2747UT1A-E1-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    595Кешбэк 89 баллов
    2SK3457-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    595Кешбэк 89 баллов
    2SK3457(2)-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    595Кешбэк 89 баллов
    H5N2007LSTL-E25A, 200V, 0.047OHM, N CHANNEL M
    597Кешбэк 89 баллов
    2SK4201-S19-AYN-CHANNEL POWER MOSFET
    597Кешбэк 89 баллов
    2SK1850(0)-T-AZN-CHANNEL POWER MOSFET
    605Кешбэк 90 баллов
    2SK1094-EN-CHANNEL POWER MOSFET
    605Кешбэк 90 баллов
    2SK1094-93N-CHANNEL POWER MOSFET
    605Кешбэк 90 баллов
    2SK2511-AN-CHANNEL POWER MOSFET
    614Кешбэк 92 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды силовые
    Транзисторные модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Модули драйверов питания
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы специального назначения
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные диоды
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Одиночные биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Симисторы
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки биполярных транзисторов
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Тиристоры - SCR - модули
    Модули драйверов питания
    Диоды - ВЧ
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП