Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Полевые транзисторы - Одиночные
DN3525N8-G
  • В избранное
  • В сравнение
DN3525N8-G

DN3525N8-G

DN3525N8-G
;
DN3525N8-G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    DN3525N8-G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AAВсе характеристики

Минимальная цена DN3525N8-G при покупке от 1 шт 177.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DN3525N8-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DN3525N8-G

DN3525N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 250V 360mA TO243AA — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (MOSFET N-канальный), используемый для управления электрическими цепями. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 250В
  • Номинальный ток (ID(on)): 360мА
  • Тип корпуса: TO243AA

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малое сопротивление при прохождении тока
  • Устойчивость к перенапряжениям

Минусы:

  • Высокие значения тока могут привести к перегреву
  • Необходимо соблюдать правила охлаждения

Общее назначение:

  • Контроль и управление током в различных электронных устройствах
  • Регулирование напряжения
  • Изоляция сигналов между различными цепями

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Игровых консолях и периферии
  • Беспроводных устройствах
  • Электронных контроллерах
Выбрано: Показать

Характеристики DN3525N8-G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    360mA (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6Ohm @ 200mA, 0V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    350 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-243AA (SOT-89)
  • Корпус
    TO-243AA
  • Base Product Number
    DN3525

Техническая документация

 DN3525N8-G.pdf
pdf. 0 kb
  • 6850 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    177 ₽
  • 25
    151 ₽
  • 2000
    131 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Microchip Technology
  • Артикул:
    DN3525N8-G
  • Описание:
    MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AAВсе характеристики

Минимальная цена DN3525N8-G при покупке от 1 шт 177.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DN3525N8-G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DN3525N8-G

DN3525N8-G Microchip Technology MOSFET N-CH 250V 360mA TO243AA — это полупроводниковый транзистор на основе MOSFET (MOSFET N-канальный), используемый для управления электрическими цепями. Основные характеристики:

  • Номинальное напряжение блокировки (VDS(on)): 250В
  • Номинальный ток (ID(on)): 360мА
  • Тип корпуса: TO243AA

Плюсы:

  • Высокая надежность и долговечность
  • Малое сопротивление при прохождении тока
  • Устойчивость к перенапряжениям

Минусы:

  • Высокие значения тока могут привести к перегреву
  • Необходимо соблюдать правила охлаждения

Общее назначение:

  • Контроль и управление током в различных электронных устройствах
  • Регулирование напряжения
  • Изоляция сигналов между различными цепями

Применяется в:

  • Автомобильных системах
  • Игровых консолях и периферии
  • Беспроводных устройствах
  • Электронных контроллерах
Выбрано: Показать

Характеристики DN3525N8-G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    250 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    360mA (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    0V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    6Ohm @ 200mA, 0V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    350 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.6W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-243AA (SOT-89)
  • Корпус
    TO-243AA
  • Base Product Number
    DN3525

Техническая документация

 DN3525N8-G.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SPW47N65C3FKSA1MOSFET N-CH 650V 47A TO247-3
    3 528Кешбэк 529 баллов
    RRR030P03TLТранзистор: MOSFET P-CH 30V 3A TSMT3
    42Кешбэк 6 баллов
    RCD051N20TLMOSFET N-CH 200V 5A CPT3
    49Кешбэк 7 баллов
    RSR020P05FRATLMOSFET P-CH 45V 2A TSMT3
    68Кешбэк 10 баллов
    RV2C002UNT2LMOSFET N-CH 20V 180MA DFN1006-3
    71Кешбэк 10 баллов
    2SK3018T106MOSFET N-CH 30V 100MA UMT3
    80Кешбэк 12 баллов
    RZR040P01TLMOSFET P-CH 12V 4A TSMT3
    113Кешбэк 16 баллов
    RRR040P03TLMOSFET P-CH 30V 4A TSMT3
    127Кешбэк 19 баллов
    RSQ015N06TRMOSFET N-CH 60V 1.5A TSMT6
    148Кешбэк 22 балла
    RS1E240GNTBMOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
    164Кешбэк 24 балла
    RQ6C050UNTRMOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
    174Кешбэк 26 баллов
    R6009ENJTLMOSFET N-CH 600V 9A LPTS
    257Кешбэк 38 баллов
    RSD160P05TLТранзистор: MOSFET P-CH 45V 16A CPT3
    270Кешбэк 40 баллов
    R6004ENXMOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
    528Кешбэк 79 баллов
    R6015ENXMOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
    607Кешбэк 91 балл
    RRH140P03GZETBMOSFET P-CH 30V 14A 8SOP
    630Кешбэк 94 балла
    R6020ENXMOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
    799Кешбэк 119 баллов
    R6020FNXMOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
    1 303Кешбэк 195 баллов
    SI2312BDS-T1-E3Транзистор: MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
    252Кешбэк 37 баллов
    IXTY48P05TMOSFET P-CH 50V 48A TO252
    560Кешбэк 84 балла
    IXTP02N120PMOSFET N-CH 1200V 200MA TO220AB
    693Кешбэк 103 балла
    IXTY26P10TMOSFET P-CH 100V 26A TO252
    1 011Кешбэк 151 балл
    IXTH50P10MOSFET P-CH 100V 50A TO247
    1 964Кешбэк 294 балла
    IXTA32P20TMOSFET P-CH 200V 32A TO263
    1 973Кешбэк 295 баллов
    IXTH64N10L2MOSFET N-CH 100V 64A TO247
    1 992Кешбэк 298 баллов
    IXFH340N075T2MOSFET N-CH 75V 340A TO247AD
    2 540Кешбэк 381 балл
    IXTH02N250MOSFET N-CH 2500V 200MA TO247
    3 288Кешбэк 493 балла
    IXTH10N100D2MOSFET N-CH 1000V 10A TO247
    3 551Кешбэк 532 балла
    IXTT140P10TMOSFET P-CH 100V 140A TO268
    4 163Кешбэк 624 балла
    IXFX120N65X2MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
    4 201Кешбэк 630 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы специального назначения
    Диоды выпрямительные - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторные модули
    Симисторы
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП