Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Диоды выпрямительные - Модули
DSEI2X30-12B
  • В избранное
  • В сравнение
DSEI2X30-12B

DSEI2X30-12B

DSEI2X30-12B
;
DSEI2X30-12B

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    DSEI2X30-12B
  • Описание:
    DIODE MODULE 1.2KV 28A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена DSEI2X30-12B при покупке от 1 шт 5262.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DSEI2X30-12B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DSEI2X30-12B

DSEI2X30-12B IXYS DIODE MODULE 1.2KV 28A SOT227B

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения: 1.2 кВ
    • Номинальный ток: 28 А
    • Форм-фактор: SOT227B
    • Тип: Диодный модуль
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и компактная конструкция
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к обратному напряжению
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными диодами
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Передача тока в одном направлении
    • Снижение потерь энергии
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
    • Мощные источники питания
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики DSEI2X30-12B

  • Конфигурация диода
    2 Independent
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    28A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.55 V @ 30 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    60 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    750 µA @ 1200 V
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Base Product Number
    DSEI2X30

Техническая документация

 DSEI2X30-12B.pdf
pdf. 0 kb
  • 81 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    5 262 ₽
  • 10
    4 856 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    IXYS
  • Артикул:
    DSEI2X30-12B
  • Описание:
    DIODE MODULE 1.2KV 28A SOT227BВсе характеристики

Минимальная цена DSEI2X30-12B при покупке от 1 шт 5262.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DSEI2X30-12B с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DSEI2X30-12B

DSEI2X30-12B IXYS DIODE MODULE 1.2KV 28A SOT227B

  • Основные параметры:
    • Рейтинг напряжения: 1.2 кВ
    • Номинальный ток: 28 А
    • Форм-фактор: SOT227B
    • Тип: Диодный модуль
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и долговечность
    • Малый размер и компактная конструкция
    • Высокая скорость переключения
    • Устойчивость к обратному напряжению
  • Минусы:
    • Высокие цены по сравнению с обычными диодами
    • Необходимость дополнительного охлаждения при высоких нагрузках
  • Общее назначение:
    • Защита электронных схем от обратного напряжения
    • Передача тока в одном направлении
    • Снижение потерь энергии
  • Применение:
    • Автомобильные системы
    • Инверторы и преобразователи
    • Мощные источники питания
    • Системы управления двигателем
Выбрано: Показать

Характеристики DSEI2X30-12B

  • Конфигурация диода
    2 Independent
  • Тип диода
    Standard
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    28A
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    2.55 V @ 30 A
  • Скорость
    Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    60 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    750 µA @ 1200 V
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Base Product Number
    DSEI2X30

Техническая документация

 DSEI2X30-12B.pdf
pdf. 0 kb
Доставка

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    F1842CCD400DIODE MODULE 400V 40A
    20 996Кешбэк 3 149 баллов
    F1842CAD400DIODE MODULE 400V 40A
    21 569Кешбэк 3 235 баллов
    F1892D600DIODE GEN PURP 600V 90A MODULE
    22 089Кешбэк 3 313 баллов
    M50100THC1600Диод: DIODE MODULE 1.6KV 100A
    22 645Кешбэк 3 396 баллов
    M50100THA1600Диод: DIODE MODULE 1.6KV 100A
    22 645Кешбэк 3 396 баллов
    F1857CAD400DIODE MODULE 400V 55A
    23 030Кешбэк 3 454 балла
    F1892CCD600DIODE MODULE 600V 90A
    25 169Кешбэк 3 775 баллов
    F1842RD1000DIODE MODULE 1KV 40A
    25 693Кешбэк 3 853 балла
    F1892RD1200DIODE MODULE 1.2KV 90A
    28 238Кешбэк 4 235 баллов
    M5060THC1600DIODE MODULE 1.6KV 60A
    31 241Кешбэк 4 686 баллов
    F1827CCD400DIODE MODULE 400V 25A
    35 868Кешбэк 5 380 баллов
    APT2X61D40JDIODE MODULE 400V 60A ISOTOP
    5 443Кешбэк 816 баллов
    APTDF400KK120GDIODE MODULE 1.2KV 470A SP6
    21 934Кешбэк 3 290 баллов
    VS-VSKE91/12DIODE GP 1.2KV 100A ADD-A-PAK
    7 354Кешбэк 1 103 балла
    VS-VSKD91/08DIODE GEN PURP 800V 50A ADDAPAK
    9 090Кешбэк 1 363 балла
    VS-T85HFL100S05DIODE GEN PURP 1KV 85A D-55
    9 781Кешбэк 1 467 баллов
    VS-VSKC236/16PBFDIODE GEN 1.6KV 115A INTAPAK
    20 041Кешбэк 3 006 баллов
    DSS2X61-0045ADIODE MODULE 45V 60A SOT227B
    5 987Кешбэк 898 баллов
    DSS2X61-01ADIODE MODULE 100V 60A SOT227B
    6 183Кешбэк 927 баллов
    DSS2X101-02ADIODE MODULE 200V 100A SOT227B
    6 844Кешбэк 1 026 баллов
    DSS2X121-0045BDIODE MODULE 45V 120A SOT227B
    7 098Кешбэк 1 064 балла
    MDD72-16N1BDIODE MODULE 1.6KV 113A TO240AA
    7 556Кешбэк 1 133 балла
    VS-UFB250FA60DIODE GEN PURP 600V 168A SOT227
    4 395Кешбэк 659 баллов
    VS-UFL230FA60DIODE MODULE 600V 160A SOT227
    4 635Кешбэк 695 баллов
    VS-T40HF10DIODE GEN PURP 100V 40A D-55
    5 141Кешбэк 771 балл
    VS-UFB130FA20Диод: DIODE MODULE 200V 65A SOT227
    5 223Кешбэк 783 балла
    VS-UFB230FA60DIODE MODULE 600V 141A SOT227
    5 286Кешбэк 792 балла
    VS-T40HF40DIODE GEN PURP 400V 40A D-55
    5 302Кешбэк 795 баллов
    VS-T40HF100DIODE GEN PURP 1KV 40A D-55
    5 578Кешбэк 836 баллов
    VS-T110HF60DIODE GEN PURP 600V 110A D-55
    6 171Кешбэк 925 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Модули драйверов питания
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Одиночные триодные тиристоры
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторные модули
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    Тиристоры - SCR
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - JFET
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Транзисторы специального назначения
    Модули триодных тиристоров
    Модули драйверов питания
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Полевые транзисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диодные мосты
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Диоды силовые
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные IGBT транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Симисторы - Модули
    Одиночные биполярные транзисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Сборки биполярных транзисторов
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП