Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании
8 800 550-00-22info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
DTC023JMT2L

DTC023JMT2L

DTC023JMT2L
;
DTC023JMT2L

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена DTC023JMT2L при покупке от 1 шт 39.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DTC023JMT2L с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DTC023JMT2L

DTC023JMT2L Rohm Semiconductor Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

  • Основные параметры:
    • VCEO = 50 В — максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером при базе открытой.
    • ICBO = 100 μA — максимально допустимный ток между коллектором и эмиттером при базе открытой.
    • VBE(on) = 0.6 В — напряжение на базе и эмиттере при переходе в режим conduction.
    • βDC = 400 — коэффициент усиления на постоянном токе.
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы.
    • Долгий срок службы.
    • Устойчивость к перегреву и скачкам напряжения.
    • Низкий уровень шума и искажений сигнала.
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее качественными аналогами.
    • Требует точного подбора внешних компонентов для оптимальной работы.
  • Общее назначение:
    • Используется для предварительного байасинга (prebias) в различных электронных устройствах.
    • Подходит для использования в источниках питания и регуляторах напряжения.
    • Способствует улучшению характеристик в логических и аналоговых схемах.
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания.
    • Регуляторы напряжения.
    • Логические и аналоговые схемы.
    • Медицинское оборудование.
    • Коммуникационное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DTC023JMT2L

Техническая документация

DTC023JMT2L.pdf
pdf. 0 kb
  • 7839 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    39 ₽
  • 100
    14.7 ₽
  • 1000
    9.5 ₽
  • 8000
    6.7 ₽
  • 24000
    5.7 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

Минимальная цена DTC023JMT2L при покупке от 1 шт 39.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить DTC023JMT2L с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание DTC023JMT2L

DTC023JMT2L Rohm Semiconductor Транзистор: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3

  • Основные параметры:
    • VCEO = 50 В — максимально допустимое напряжение между коллектором и эмиттером при базе открытой.
    • ICBO = 100 μA — максимально допустимный ток между коллектором и эмиттером при базе открытой.
    • VBE(on) = 0.6 В — напряжение на базе и эмиттере при переходе в режим conduction.
    • βDC = 400 — коэффициент усиления на постоянном токе.
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы.
    • Долгий срок службы.
    • Устойчивость к перегреву и скачкам напряжения.
    • Низкий уровень шума и искажений сигнала.
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с менее качественными аналогами.
    • Требует точного подбора внешних компонентов для оптимальной работы.
  • Общее назначение:
    • Используется для предварительного байасинга (prebias) в различных электронных устройствах.
    • Подходит для использования в источниках питания и регуляторах напряжения.
    • Способствует улучшению характеристик в логических и аналоговых схемах.
  • В каких устройствах применяется:
    • Источники питания.
    • Регуляторы напряжения.
    • Логические и аналоговые схемы.
    • Медицинское оборудование.
    • Коммуникационное оборудование.
Выбрано: Показать

Характеристики DTC023JMT2L

Техническая документация

DTC023JMT2L.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары

Похожие категории

Все товары
Похожие категории