DTC123TET1G

DTC123TET1G от ON Semiconductor — это транзистор полупроводникового типа N-канал MOSFET с трансistor-гейтом.

• Основные параметры:
• V_DS(ON) = 45 V — напряжение, при котором транзистор полностью закрыт.
• R_DS(on) = 0.017 Ω (при V_GS = 10 V) — сопротивление транзистора в режиме провода при заданном напряжении.
• I_DS(max) = 28 A — максимальный ток, проходящий через транзистор.
• T_CASE(max) = 175°C — максимально допустимая температура корпуса.
• Плюсы:
• Высокая скорость включения/выключения.
• Низкое сопротивление в проводящем состоянии.
• Малые потери энергии.
• Простота применения.
• Минусы:
• Требуется дополнительное питание для управления.
• Уязвим к электрическим помехам.
• Требуются дополнительные меры по охлаждению при высоких нагрузках.
• Общее назначение:
• Регулировка и управление током.
• Изоляция сигналов.
• Переключение электрических цепей.
• В каких устройствах применяется:
• Автомобильных системах (регуляторы напряжения, системы управления двигателем).
• Электроника бытовых приборов (микроволновые печи, стиральные машины).
• Инверторы и преобразователи напряжения.
• Системы управления приводами.