Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
EAB450M12XM3
  • В избранное
  • В сравнение
EAB450M12XM3

EAB450M12XM3

EAB450M12XM3
;
EAB450M12XM3

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    Wolfspeed, Inc.
  • Артикул:
    EAB450M12XM3
  • Описание:
    Транзистор: 450A 1200V SIC HALF-BRIDGE MODULВсе характеристики

Минимальная цена EAB450M12XM3 при покупке от 1 шт 166451.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EAB450M12XM3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание EAB450M12XM3

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Ток непрерывного режима (Icase): 450 А
      • Номинальное напряжение (VCEO): 1200 В
      • Тип: СИК-полупроводниковый транзистор (SiC)
      • Формат: Полуполостник (half-bridge module)
    • Плюсы:
      • Высокая эффективность работы
      • Малое тепловое сопротивление
      • Высокая скорость переключения
      • Устойчивость к тепловым воздействиям
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
      • Требуется специальное оборудование для монтажа и тестирования
    • Общее назначение:
      • Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
      • Адаптация к современным требованиям энергоэффективности
      • Применение в системах управления электрическими машинами и приводами
      • Использование в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
    • В каких устройствах применяется:
      • Электромобили и гибридные автомобили
      • Системы управления электрическими машинами
      • Инверторы для солнечных батарей
      • Промышленные приводы и системы управления
      • Питательные трансформаторы
Выбрано: Показать

Характеристики EAB450M12XM3

  • Особенности полевого транзистора
    Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    450A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7mOhm @ 450A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.6V @ 132mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1330nC @ 15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    38000pF @ 800V
  • Рассеивание мощности
    50mW
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Base Product Number
    EAB450

Техническая документация

 EAB450M12XM3.pdf
pdf. 0 kb
  • 12 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    166 451 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    Wolfspeed, Inc.
  • Артикул:
    EAB450M12XM3
  • Описание:
    Транзистор: 450A 1200V SIC HALF-BRIDGE MODULВсе характеристики

Минимальная цена EAB450M12XM3 при покупке от 1 шт 166451.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EAB450M12XM3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание EAB450M12XM3

Разрешенные ТОЛЬКО теги:

,

    ,
  • , .

    • Основные параметры:
      • Ток непрерывного режима (Icase): 450 А
      • Номинальное напряжение (VCEO): 1200 В
      • Тип: СИК-полупроводниковый транзистор (SiC)
      • Формат: Полуполостник (half-bridge module)
    • Плюсы:
      • Высокая эффективность работы
      • Малое тепловое сопротивление
      • Высокая скорость переключения
      • Устойчивость к тепловым воздействиям
    • Минусы:
      • Высокая стоимость по сравнению с традиционными материалами
      • Требуется специальное оборудование для монтажа и тестирования
    • Общее назначение:
      • Использование в высоковольтных и высокотоковых приложениях
      • Адаптация к современным требованиям энергоэффективности
      • Применение в системах управления электрическими машинами и приводами
      • Использование в солнечных батареях и других источниках возобновляемой энергии
    • В каких устройствах применяется:
      • Электромобили и гибридные автомобили
      • Системы управления электрическими машинами
      • Инверторы для солнечных батарей
      • Промышленные приводы и системы управления
      • Питательные трансформаторы
Выбрано: Показать

Характеристики EAB450M12XM3

  • Особенности полевого транзистора
    Silicon Carbide (SiC)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    1200V (1.2kV)
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    450A (Tc)
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.7mOhm @ 450A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.6V @ 132mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    1330nC @ 15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    38000pF @ 800V
  • Рассеивание мощности
    50mW
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Base Product Number
    EAB450

Техническая документация

 EAB450M12XM3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NP80N03MDE-S18-AY80A, 30V, 0.011OHM, N-CHANNEL ,
    348Кешбэк 52 балла
    EAB450M12XM3Транзистор: 450A 1200V SIC HALF-BRIDGE MODUL
    166 451Кешбэк 24 967 баллов
    CAR600M17HN6Транзистор: 600A 1700V HALF-BRIDGE RECTIFIER
    555 522Кешбэк 83 328 баллов
    CAB500M17HM3500A 1700V SIC HALF-BRIDGE
    660 012Кешбэк 99 001 балл
    CAR600M12HN6Транзистор: 600A 1200V HALF-BRIDGE RECTIFIER
    527 732Кешбэк 79 159 баллов
    NX6008NBKSXТранзистор: NX6008NBKS/SOT363/SC-88
    52Кешбэк 7 баллов
    NX138BKSXТранзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 210MA 6TSSOP
    50Кешбэк 7 баллов
    BUK9K22-80EXТранзистор: MOSFET 2 N-CH 80V 21A LFPAK56D
    434Кешбэк 65 баллов
    BUK7K23-80EXТранзистор: MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D
    244Кешбэк 36 баллов
    NX3008NBKSHТранзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP
    61Кешбэк 9 баллов
    BUK9K20-80EXТранзистор: MOSFET 2 N-CH 80V 23A LFPAK56D
    422Кешбэк 63 балла
    BUK9K13-60RAXТранзистор: BUK9K13-60RA/SOT1205/LFPAK56D
    454Кешбэк 68 баллов
    BUK9K30-80EXТранзистор: MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D
    395Кешбэк 59 баллов
    BUK9K52-60RAXТранзистор: BUK9K52-60RA/SOT1205/LFPAK56D
    298Кешбэк 44 балла
    NX1029XHТранзистор: NX1029X/SOT666/SOT6
    120Кешбэк 18 баллов
    BSS138BKSHТранзистор: BSS138BKS/SOT363/SC-88
    59Кешбэк 8 баллов
    DMT3020LFDBQ-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
    123Кешбэк 18 баллов
    DMP2040USD-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.
    147Кешбэк 22 балла
    DMC4040SSDQ-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO
    222Кешбэк 33 балла
    DMC1030UFDBQ-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
    67Кешбэк 10 баллов
    DMN3016LDV-7Транзистор: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
    166Кешбэк 24 балла
    TQM110NB04DCR RLGТранзистор: 40V, 50A, DUAL N-CHANNEL POWER M
    306Кешбэк 45 баллов
    TSM200N03DPQ33 RGGТранзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
    172Кешбэк 25 баллов
    TSM250NB06DCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
    256Кешбэк 38 баллов
    TSM150NB04DCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
    196Кешбэк 29 баллов
    TQM250NB06DCR RLGТранзистор: 60V, 30A, DUAL N-CHANNEL POWER M
    183Кешбэк 27 баллов
    TSM110NB04LDCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
    222Кешбэк 33 балла
    TSM150NB04LDCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
    196Кешбэк 29 баллов
    TQM300NB06DCR RLGТранзистор: 60V, 25A, DUAL N-CHANNEL POWER M
    244Кешбэк 36 баллов
    TSM250NB06LDCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
    228Кешбэк 34 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - SCR - модули
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Симисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Модули драйверов питания
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Варикапы и Варакторы
    Диодные мосты
    Принадлежности
    Тиристоры - SCR
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Триодные тиристоры - Модули
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП