EMA5T2R

EMA5T2R ROHM Semiconductor Транзистор

• Основные параметры:
  • Тип: MOSFET (Массивный окислительный полупроводниковый транзистор)
  • Тип полярности: N-channel (Н-канальный)
  • Рейтинг Vds (разрывное напряжение): 50 В
  • Рейтинг Id (ток разряда): 2 A
  • Тип процесса: Si (Кремний)
• Плюсы:
  • Высокая скорость включения и выключения
  • Низкий ток смещения
  • Устойчивость к перенапряжению
  • Простота применения в различных электронных устройствах
• Минусы:
  • Необходимость использования внешнего источника питания для заряда зарядного канала при работе в режиме открытия
  • Возможность возникновения резонанса при использовании высокочастотных сигналов
• Общее назначение:
  • Регулирование напряжения
  • Изменение тока
  • Передача сигнала
  • Управление другими транзисторами или силовыми устройствами
• В каких устройствах применяется:
  • Электронные блоки питания
  • Автомобильные системы
  • Игровые консоли
  • Системы управления приводами
  • Мобильные устройства