Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
EMD6FHAT2R
  • В избранное
  • В сравнение
EMD6FHAT2R

EMD6FHAT2R

EMD6FHAT2R
;
EMD6FHAT2R

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    EMD6FHAT2R
  • Описание:
    Транзистор: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORRВсе характеристики

Минимальная цена EMD6FHAT2R при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EMD6FHAT2R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание EMD6FHAT2R

EMD6FHAT2R ROHM Semiconductor Транзистор: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Количество полевых транзисторов: 2
    • Тип транзисторов: PNP и NPN
    • Напряжение включения: от 2 до 5 В
    • Рабочий ток: до 100 mA
    • Скорость перехода: до 250 ns
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкость монтажа
    • Высокая скорость перехода
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкий уровень шумов
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Инверторы сигналов
    • Цифровые логические операции
    • Управление нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Индустриальные контроллеры
    • Мобильные устройства
    • Игровые консоли
Выбрано: Показать

Характеристики EMD6FHAT2R

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    EMT6
  • Base Product Number
    EMD6FHAT2

Техническая документация

 EMD6FHAT2R.pdf
pdf. 0 kb
  • 6949 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    67 ₽
  • 100
    42 ₽
  • 1000
    22.4 ₽
  • 5000
    11.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    EMD6FHAT2R
  • Описание:
    Транзистор: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORRВсе характеристики

Минимальная цена EMD6FHAT2R при покупке от 1 шт 67.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EMD6FHAT2R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание EMD6FHAT2R

EMD6FHAT2R ROHM Semiconductor Транзистор: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR

  • Основные параметры:
    • Количество полевых транзисторов: 2
    • Тип транзисторов: PNP и NPN
    • Напряжение включения: от 2 до 5 В
    • Рабочий ток: до 100 mA
    • Скорость перехода: до 250 ns
  • Плюсы:
    • Малый размер и легкость монтажа
    • Высокая скорость перехода
    • Устойчивость к перегреву
    • Низкий уровень шумов
  • Минусы:
    • Ограниченная мощность
    • Требуется дополнительное охлаждение при высоких токах
  • Общее назначение:
    • Инверторы сигналов
    • Цифровые логические операции
    • Управление нагрузками
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильные системы управления
    • Индустриальные контроллеры
    • Мобильные устройства
    • Игровые консоли
Выбрано: Показать

Характеристики EMD6FHAT2R

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 1mA, 5V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    300mV @ 250µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    EMT6
  • Base Product Number
    EMD6FHAT2

Техническая документация

 EMD6FHAT2R.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NHUMD13FТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    67Кешбэк 10 баллов
    EMD72T2RТранзистор: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
    63Кешбэк 9 баллов
    RN1705,LFТранзистор: NPNX2 BRT Q1BSR2.2KOHM Q1BER47KO
    44.5Кешбэк 6 баллов
    NHUMD3FТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMH2FТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMB10FТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    DCX114EUQ-13R-FТранзистор: PREBIAS TRANSISTOR SOT363 T&R 10
    67Кешбэк 10 баллов
    NHUMH1FТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMB11FТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMH13FТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMH11FТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMB13FТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMH11XТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMB10XТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMB13XТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMB9XТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMB11XТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMH10XТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMH2XТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NHUMH9XТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NSBC114EPDXVT1GТранзистор: SS SOT563 DUAL RSTR XSTR
    14.8Кешбэк 2 балла
    NHUMH1XТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    RN4987FE,LF(CTТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
    43Кешбэк 6 баллов
    NHUMD3XТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NSVMUN5211DW1T2GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
    50Кешбэк 7 баллов
    NHUMD2FТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    54Кешбэк 8 баллов
    NSVMUN531335DW1T3GТранзистор: TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SC88
    50Кешбэк 7 баллов
    NHUMB2FТранзистор: TRANS PREBIAS 2PNP 80V 6TSSOP
    66Кешбэк 9 баллов
    BCR22PNТранзистор: DIGITAL TR SOT-363 60V 100MA
    20Кешбэк 3 балла
    NSBC143EDXV6T1GТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
    67Кешбэк 10 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Высокочастотные диоды
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Триодные тиристоры - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    IGBT транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Модули драйверов питания
    Тиристоры - SCR - модули
    Транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды - выпрямители - массивы
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Принадлежности
    Триодные тиристоры - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП