EMG8T2R

EMG8T2R Rohm Semiconductor Транзистор: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT5

• Основные параметры:
• Тип: 2NPN (двойной непредварительно подогретый)
• Мощность: 0.15 Вт
• Предел напряжения между эмиттером и коллектиром (UCE): до 30 В
• Предел тока между эмиттером и коллектиром (IC): до 500 мА
• Частота: до 300 кГц
• Температурный диапазон: -40°C до +125°C
• Плюсы:
• Высокая надежность благодаря использованию технологии предварительного подогрева (PREBIAS)
• Устойчивость к перегреву благодаря низкому тепловому торможению
• Способность работать при высоких температурах
• Малые размеры и легкость в интеграции в различные устройства
• Минусы:
• Низкая мощность (0.15 Вт) ограничивает его применение в высоковаттных устройствах
• Ограниченная частота (до 300 кГц) может не подойти для высокочастотных приложений
• Общее назначение:
• Регулировка напряжения и тока
• Усиление сигналов
• Измерение токов и напряжений
• Контроль в электронных схемах
• В каких устройствах применяется:
• Радиоприемники
• Диагностические приборы
• Автомобильные системы
• Электронные часы и другие небольшие устройства
• Промышленное оборудование