Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
EMH53T2R
  • В избранное
  • В сравнение
EMH53T2R

EMH53T2R

EMH53T2R
;
EMH53T2R

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    EMH53T2R
  • Описание:
    Транзистор: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITHВсе характеристики

Минимальная цена EMH53T2R при покупке от 1 шт 65.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EMH53T2R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание EMH53T2R

EMH53T2R от Rohm Semiconductor — NPN+NPN цифровой транзистор (с интегрированным диодом)

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN+NPN
    • Максимальный ток: 150 mA
    • Максимальное напряжение: 50 V
    • Интегрированный диод
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Упрощенная схемотехника благодаря интегрированному диоду
    • Экономия места на печатной плате
  • Минусы:
    • Низкий максимальный ток (150 mA)
    • Ограниченная мощность
  • Общее назначение:
    • Управление цифровыми сигналами
    • Переключение нагрузок
    • Защита от обратного напряжения благодаря интегрированному диоду
  • Применение:
    • Цифровые электронные устройства
    • Автомобильные системы
    • Коммуникационные приборы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики EMH53T2R

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    EMT6
  • 4815 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    65 ₽
  • 100
    24.7 ₽
  • 1000
    14.4 ₽
  • 5000
    11.8 ₽
  • 24000
    9.5 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    ROHM Semiconductor
  • Артикул:
    EMH53T2R
  • Описание:
    Транзистор: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITHВсе характеристики

Минимальная цена EMH53T2R при покупке от 1 шт 65.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EMH53T2R с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание EMH53T2R

EMH53T2R от Rohm Semiconductor — NPN+NPN цифровой транзистор (с интегрированным диодом)

  • Основные параметры:
    • Тип: NPN+NPN
    • Максимальный ток: 150 mA
    • Максимальное напряжение: 50 V
    • Интегрированный диод
  • Плюсы:
    • Высокая надежность и стабильность работы
    • Упрощенная схемотехника благодаря интегрированному диоду
    • Экономия места на печатной плате
  • Минусы:
    • Низкий максимальный ток (150 mA)
    • Ограниченная мощность
  • Общее назначение:
    • Управление цифровыми сигналами
    • Переключение нагрузок
    • Защита от обратного напряжения благодаря интегрированному диоду
  • Применение:
    • Цифровые электронные устройства
    • Автомобильные системы
    • Коммуникационные приборы
    • Промышленное оборудование
Выбрано: Показать

Характеристики EMH53T2R

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN - Pre-Biased (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Resistor - Base (R1)
    4.7kOhms
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    100 @ 5mA, 10V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    150mV @ 500µA, 5mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Трансформация частоты
    250MHz
  • Рассеивание мощности
    150mW
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    EMT6

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    EMH9FHAT2RТранзистор: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
    61Кешбэк 9 баллов
    EMH51T2RТранзистор: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
    72Кешбэк 10 баллов
    RN2905FE,LXHF(CTТранзистор: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
    74Кешбэк 11 баллов
    RN4986FE,LF(CTТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
    44Кешбэк 6 баллов
    EMB53T2RТранзистор: PNP+PNP DIGITAL TRANSISTOR (WITH
    72Кешбэк 10 баллов
    RN1711,LFТранзистор: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BERINF.K
    46Кешбэк 6 баллов
    EMD6FHAT2RТранзистор: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
    68Кешбэк 10 баллов
    RN4905FE,LF(CTТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
    44Кешбэк 6 баллов
    RN2901,LF(CTТранзистор: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
    44Кешбэк 6 баллов
    NHUMH11XТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    57Кешбэк 8 баллов
    RN1707,LFТранзистор: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
    46Кешбэк 6 баллов
    RN2706,LFТранзистор: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER47KO
    46Кешбэк 6 баллов
    BCR08PNDIGITAL TR SOT-363 50V 100MA
    35Кешбэк 5 баллов
    NHUMH1XТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    55Кешбэк 8 баллов
    UMH1NFHATNТранзистор: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR
    82Кешбэк 12 баллов
    NHUMD10FТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    82Кешбэк 12 баллов
    NHUMD9XТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    55Кешбэк 8 баллов
    NHUMD2XТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    55Кешбэк 8 баллов
    UMD2NFHATRТранзистор: PNP+NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH
    82Кешбэк 12 баллов
    NHUMH13FТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    55Кешбэк 8 баллов
    EMH53T2RТранзистор: NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR(WITH
    65Кешбэк 9 баллов
    PRMD16ZТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V 6DFN
    59Кешбэк 8 баллов
    UMD25NTRТранзистор: UMD25N IS A DIGITAL TRANSISTOR C
    78Кешбэк 11 баллов
    NHUMH13XТранзистор: TRANS PREBIAS 2NPN 80V 6TSSOP
    66Кешбэк 9 баллов
    NHUMD10XТранзистор: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 6TSSOP
    55Кешбэк 8 баллов
    RN1702,LFТранзистор: NPNX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER10KOH
    46Кешбэк 6 баллов
    RN2701,LFТранзистор: PNPX2 BRT Q1BSR4.7KOHM Q1BER4.7K
    46Кешбэк 6 баллов
    RN4982FE,LF(CTТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
    48.5Кешбэк 7 баллов
    RN4907FE,LF(CTТранзистор: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
    44Кешбэк 6 баллов
    RN2905FE,LF(CTТранзистор: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
    48.5Кешбэк 7 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Симисторы
    Диодные мосты
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Одиночные IGBT транзисторы
    IGBT транзисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторные модули
    Модули триодных тиристоров
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - IGBT - модули
    Биполярные транзисторы
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Симисторы - Модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Высокочастотные диоды
    Варикапы и Варакторы
    Одиночные триодные тиристоры
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы специального назначения
    Тиристоры - TRIACs
    Модули драйверов питания
    Сборки биполярных транзисторов
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Одиночные биполярные транзисторы
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды силовые
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП