Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Биполярные транзисторы - Сборки
EMX1DXV6T1G
  • В избранное
  • В сравнение
EMX1DXV6T1G

EMX1DXV6T1G

EMX1DXV6T1G
;
EMX1DXV6T1G

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    EMX1DXV6T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563Все характеристики

Минимальная цена EMX1DXV6T1G при покупке от 1 шт 46.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EMX1DXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание EMX1DXV6T1G

EMX1DXV6T1G onsemi Транзистор: TRANS 2NPN 50В 0,1А SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: двунаправленный NPN-транзистор
    • Рабочее напряжение: 50В
    • Максимальный ток: 0,1А
    • Форма корпуса: SOT563
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер корпуса
    • Низкое сопротивление
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Максимальный ток сравнительно низкий
    • Не подходит для высоковольтных приложений
  • Общее назначение:
    • Используется для управляющих операций в электронных цепях
    • Переключение и регулировка тока
    • Усиление сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Микросхемы и микроконтроллеры
    • Радиоприемники и передатчики
    • Системы управления светом
    • Автомобильные системы
    • Игровые приставки и компьютеры
Выбрано: Показать

Характеристики EMX1DXV6T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Трансформация частоты
    180MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    EMX1DXV6

Техническая документация

 EMX1DXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb
  • 71275 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    46 ₽
  • 100
    22 ₽
  • 1000
    18 ₽
  • 4000
    13 ₽
  • 24000
    11.3 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    onsemi
  • Артикул:
    EMX1DXV6T1G
  • Описание:
    Транзистор: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563Все характеристики

Минимальная цена EMX1DXV6T1G при покупке от 1 шт 46.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EMX1DXV6T1G с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание EMX1DXV6T1G

EMX1DXV6T1G onsemi Транзистор: TRANS 2NPN 50В 0,1А SOT563

  • Основные параметры:
    • Тип: двунаправленный NPN-транзистор
    • Рабочее напряжение: 50В
    • Максимальный ток: 0,1А
    • Форма корпуса: SOT563
  • Плюсы:
    • Высокая надежность
    • Малый размер корпуса
    • Низкое сопротивление
    • Устойчивость к перенапряжению
  • Минусы:
    • Максимальный ток сравнительно низкий
    • Не подходит для высоковольтных приложений
  • Общее назначение:
    • Используется для управляющих операций в электронных цепях
    • Переключение и регулировка тока
    • Усиление сигналов
  • В каких устройствах применяется:
    • Микросхемы и микроконтроллеры
    • Радиоприемники и передатчики
    • Системы управления светом
    • Автомобильные системы
    • Игровые приставки и компьютеры
Выбрано: Показать

Характеристики EMX1DXV6T1G

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип транзистора
    2 NPN (Dual)
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    100mA
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    50V
  • Напряжение насыщения (Макс) @ Ib, Ic
    400mV @ 5mA, 50mA
  • Обратный ток коллектора (Max)
    500nA (ICBO)
  • Усиление по току (DC) (hFE) (мин) @ Ic, Vce
    120 @ 1mA, 6V
  • Рассеивание мощности
    500mW
  • Трансформация частоты
    180MHz
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-563, SOT-666
  • Исполнение корпуса
    SOT-563
  • Base Product Number
    EMX1DXV6

Техническая документация

 EMX1DXV6T1G.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    SCH2102-TL-EТранзистор: BIP PNP+PNP 0.5A 12V
    29.6Кешбэк 4 балла
    BC847BPDW1T2GТранзистор: TRANS NPN/PNP 45V 0.1A SOT363
    31Кешбэк 4 балла
    MBT3904DW1T3GТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT363
    31.4Кешбэк 4 балла
    CPH6538-TL-HTRANS 2NPN 30V 0.7A 6CPH
    33.3Кешбэк 4 балла
    MCH6534-TL-EТранзистор: TRANS 2NPN 15V 0.7A 6MCPH
    33.3Кешбэк 4 балла
    BC847BDW1T3GДиод: TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
    33.3Кешбэк 4 балла
    SMUN5111DW1T1GTRANS 2PNP 50V 0.1A SC88/SC70-6
    34Кешбэк 5 баллов
    BC846BDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 65V 0.1A SC88/SC70-6
    35Кешбэк 5 баллов
    BC857CDW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
    35Кешбэк 5 баллов
    BC848CDW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 30V 0.1A SC88/SC70-6
    36Кешбэк 5 баллов
    MBT2222ADW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.6A SC88/SC70-6
    37Кешбэк 5 баллов
    BC856BDW1T3GТранзистор: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6
    37Кешбэк 5 баллов
    MBT3904DW1T1GТранзистор: TRANS 2NPN 40V 0.2A SC88/SC70-6
    38Кешбэк 5 баллов
    SBC857CDW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT-363
    39Кешбэк 5 баллов
    UMZ1NT1GТранзистор: TRAN NPN/PNP 50V 0.2A SC88/SC70
    39Кешбэк 5 баллов
    BC847BPDW1T3GДиод: TRAN NPN/PNP 45V 0.1A SC88/SC70
    41Кешбэк 6 баллов
    SMBT3906DW1T1GТранзистор: TRANS 2PNP 40V 0.2A SC88
    43Кешбэк 6 баллов
    BC858CDXV6T1GТранзистор: TRANS 2PNP 30V 0.1A SOT-563
    43Кешбэк 6 баллов
    EMX1DXV6T1GТранзистор: TRANS 2NPN 50V 0.1A SOT563
    46Кешбэк 6 баллов
    SBC856BDW1T3GТранзистор: TRANS 2PNP 65V 0.1A SC88/SC70-6
    46Кешбэк 6 баллов
    SBC847BPDW1T3GТранзистор: TRAN NPN/PNP 45V 0.1A SC88/SC70
    48Кешбэк 7 баллов
    SHN1B01FDW1T1GТранзистор: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
    48Кешбэк 7 баллов
    SBC846BPDW1T1GТранзистор: TRANS NPN/PNP 65V 0.1A SOT363
    50Кешбэк 7 баллов
    SBC847BDW1T3GДиод: TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
    50Кешбэк 7 баллов
    NSVBC847BDW1T2GТранзистор: TRANS 2NPN 45V 0.1A SC88/SC70-6
    50Кешбэк 7 баллов
    CPH6539-TL-HТранзистор
    54Кешбэк 8 баллов
    ECH8501-TL-HТранзистор: TRANS NPN/PNP 30V 5A 8ECH
    54Кешбэк 8 баллов
    HN1B01FDW1T1GТранзистор: TRANS NPN/PNP 50V 0.2A SC74
    54Кешбэк 8 баллов
    NST3946DP6T5GТранзистор: TRANS NPN/PNP 40V 0.2A SOT963
    56Кешбэк 8 баллов
    NST857BDP6T5GТранзистор: TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963
    57Кешбэк 8 баллов

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды - ВЧ
    Принадлежности
    Модули драйверов питания
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды силовые
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диодные мосты - Модули
    Симисторы
    Тиристоры - SCR
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диодные мосты
    Драйверы питания - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Симисторы - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП