Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
% АкцииРазъемыРелеВентиляторыМикросхемыДатчики и сенсорыТранзисторы и диодыКонденсаторыПредохранителиВесь каталог
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
EPC2045
  • В избранное
  • В сравнение
EPC2045

EPC2045

EPC2045
;
EPC2045

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    EPC
  • Артикул:
    EPC2045
  • Описание:
    GANFET N-CH 100V 16A DIEВсе характеристики

Минимальная цена EPC2045 при покупке от 1 шт 918.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EPC2045 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание EPC2045

Маркировка EPC2045, производитель EPC, описание GANFET N-CH 100V 16A DIE:

  • Основные параметры:
    • Тип: GANFET (Gallium Arsenide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    • Тип полярности: N-канальный
    • Рабочее напряжение: 100В
    • Рейтингный ток: 16А
    • Форма: DIE (без корпуса)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Низкий уровень шума
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют специального ухода при работе без корпуса
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных системах
    • Питание цифровых устройств
    • Контроль тока в электронных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Цифровые радиоприемники
    • Промышленное оборудование
    • Питание микроконтроллеров и других цифровых компонентов
Выбрано: Показать

Характеристики EPC2045

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7mOhm @ 16A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.5 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    685 pF @ 50 V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    Die
  • Корпус
    Die
  • Base Product Number
    EPC20

Техническая документация

 EPC2045.pdf
pdf. 0 kb
  • 41154 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    918 ₽
  • 10
    608 ₽
  • 100
    432 ₽
  • 500
    406 ₽
  • 2500
    332 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    EPC
  • Артикул:
    EPC2045
  • Описание:
    GANFET N-CH 100V 16A DIEВсе характеристики

Минимальная цена EPC2045 при покупке от 1 шт 918.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EPC2045 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание EPC2045

Маркировка EPC2045, производитель EPC, описание GANFET N-CH 100V 16A DIE:

  • Основные параметры:
    • Тип: GANFET (Gallium Arsenide Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)
    • Тип полярности: N-канальный
    • Рабочее напряжение: 100В
    • Рейтингный ток: 16А
    • Форма: DIE (без корпуса)
  • Плюсы:
    • Высокая скорость переключения
    • Низкое сопротивление при прохождении тока
    • Устойчивость к перенапряжению
    • Низкий уровень шума
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с другими типами транзисторов
    • Требуют специального ухода при работе без корпуса
  • Общее назначение:
    • Использование в высокочастотных системах
    • Питание цифровых устройств
    • Контроль тока в электронных цепях
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильная электроника
    • Цифровые радиоприемники
    • Промышленное оборудование
    • Питание микроконтроллеров и других цифровых компонентов
Выбрано: Показать

Характеристики EPC2045

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7mOhm @ 16A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.5 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    685 pF @ 50 V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    Die
  • Корпус
    Die
  • Base Product Number
    EPC20

Техническая документация

 EPC2045.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    EPC2036GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
    372Кешбэк 55 баллов
    EPC2216GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
    378Кешбэк 56 баллов
    EPC2014CGANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
    416Кешбэк 62 балла
    EPC2052Транзистор: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
    435Кешбэк 65 баллов
    EPC2039GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
    448Кешбэк 67 баллов
    EPC2054TRANS GAN 200V DIE 60MOHM
    472Кешбэк 70 баллов
    EPC2007CGANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
    582Кешбэк 87 баллов
    EPC8010GANFET N-CH 100V 4A DIE
    582Кешбэк 87 баллов
    EPC2204TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
    610Кешбэк 91 балл
    EPC2055GANFET N-CH 40V 29A DIE
    616Кешбэк 92 балла
    EPC2016CGANFET N-CH 100V 18A DIE
    643Кешбэк 96 баллов
    EPC2012CGANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
    701Кешбэк 105 баллов
    EPC2202GANFET N-CH 80V 18A DIE
    728Кешбэк 109 баллов
    EPC2065GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
    814Кешбэк 122 балла
    EPC2059TRANS GAN 170V DIE .009OHM
    835Кешбэк 125 баллов
    EPC8009GANFET N-CH 65V 4A DIE
    869Кешбэк 130 баллов
    EPC2045GANFET N-CH 100V 16A DIE
    915Кешбэк 137 баллов
    EPC2019GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
    937Кешбэк 140 баллов
    EPC2206GANFET N-CH 80V 90A DIE
    1 003Кешбэк 150 баллов
    EPC2215GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
    1 003Кешбэк 150 баллов
    EPC2067TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
    1 079Кешбэк 161 балл
    EPC2015CGANFET N-CH 40V 53A DIE
    1 115Кешбэк 167 баллов
    EPC2001CGANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
    1 130Кешбэк 169 баллов
    EPC2050TRANS GAN BUMPED DIE
    1 272Кешбэк 190 баллов
    EPC2053GANFET N-CH 100V 48A DIE
    1 389Кешбэк 208 баллов
    EPC2071TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
    1 402Кешбэк 210 баллов
    EPC2066TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
    1 410Кешбэк 211 баллов
    EPC2010CGANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
    1 506Кешбэк 225 баллов
    EPC2302TRANS GAN 100V DIE .0019OHM
    1 516Кешбэк 227 баллов
    EPC2032GANFET N-CH 100V 48A DIE
    1 621Кешбэк 243 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR - модули
    Одиночные IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Модули драйверов питания
    Симисторы - Модули
    IGBT транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы специального назначения
    Сборки биполярных транзисторов с предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности для дискретных полупроводников
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Одиночные биполярные транзисторы с предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Одиночные полевые транзисторы (FET, MOSFET)
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Одиночные триодные тиристоры
    Тиристоры - SCR
    Транзисторные модули
    Диодные мосты
    Сборки IGBT (биполярных транзисторов с изолированным затвором)
    Диоды - мостовые выпрямители
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Диоды - выпрямители - массивы
    IGBT-модули (биполярные транзисторы с изолированным затвором)
    Тиристоры - TRIACs
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Одиночные биполярные транзисторы
    Симисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды силовые
    Высокочастотные диоды
    Диоды и транзисторы для регулирования тока
    Транзисторы - IGBT - модули
    Варикапы и Варакторы
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Сборки биполярных транзисторов
    Модули триодных тиристоров
    Высокочастотные биполярные транзисторы
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Одиночные IGBT транзисторы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
Логотип ЭикомЭиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Наш Telegram
Наш Яндекс.Дзен
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП