EPC2065

Маркировка EPC2065, производитель EPC, описание GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE:

• Основные параметры:
  • Тип: Гетероинтегрированный галлиевый азотид (GAN FET)
  • Номинальное напряжение: 80В
  • Резистивность: 0.0036 Ом
  • Количество бугней: 8
• Плюсы:
  • Высокая скорость переключения
  • Низкое энергопотребление
  • Устойчивость к тепловому стрессу
  • Малый размер и высокая плотность компонентов
• Минусы:
  • Высокая стоимость по сравнению с традиционными MOSFET
  • Требуют специализированной технологии производства
• Общее назначение:
  • Использование в высокочастотных приложениях
  • Применение в трансформаторах и инверторах
  • Внедрение в системы управления электропитанием
• В каких устройствах применяется:
  • Мобильные устройства (смартфоны, планшеты)
  • Автомобили (электромобили, гибридные автомобили)
  • Системы энергоэффективности
  • Промышленное оборудование