Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
EPC2101
  • В избранное
  • В сравнение
EPC2101

EPC2101

EPC2101
;
EPC2101

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    EPC
  • Артикул:
    EPC2101
  • Описание:
    Транзистор: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRIDВсе характеристики

Минимальная цена EPC2101 при покупке от 1 шт 1993.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EPC2101 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание EPC2101

Транзистор EPC2101 от производителя EPC:

  • Основные параметры:
    • Тип: Ганельный транзистор (GAN)
    • Симметричный или асимметричный мост
    • Материал: Ганель
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с высокими частотами
    • Низкое внутреннее сопротивление
    • Устойчивость к перегреву и электромагнитным помехам
    • Долгий срок службы из-за низкого уровня тепловыделения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требует более сложного проектирования электронных схем
    • Меньше выбор моделей и типов
  • Общее назначение:
    • Использование в современных системах питания
    • Применение в инверторах для управления мощностью
    • Работа в схемах преобразования напряжения
    • Использование в телекоммуникационных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных зарядных устройствах
    • Энергоэффективных приборах
    • Мобильных телефонах и планшетах
    • Инверторах для солнечных панелей
Выбрано: Показать

Характеристики EPC2101

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.5A, 38A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    Die
  • Исполнение корпуса
    Die

Техническая документация

 EPC2101.pdf
pdf. 0 kb
  • 63 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    1 993 ₽
  • 10
    1 377 ₽
  • 100
    1 148 ₽
  • 500
    938 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    EPC
  • Артикул:
    EPC2101
  • Описание:
    Транзистор: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRIDВсе характеристики

Минимальная цена EPC2101 при покупке от 1 шт 1993.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EPC2101 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Описание EPC2101

Транзистор EPC2101 от производителя EPC:

  • Основные параметры:
    • Тип: Ганельный транзистор (GAN)
    • Симметричный или асимметричный мост
    • Материал: Ганель
  • Плюсы:
    • Высокая эффективность при работе с высокими частотами
    • Низкое внутреннее сопротивление
    • Устойчивость к перегреву и электромагнитным помехам
    • Долгий срок службы из-за низкого уровня тепловыделения
  • Минусы:
    • Высокая стоимость по сравнению с традиционными транзисторами
    • Требует более сложного проектирования электронных схем
    • Меньше выбор моделей и типов
  • Общее назначение:
    • Использование в современных системах питания
    • Применение в инверторах для управления мощностью
    • Работа в схемах преобразования напряжения
    • Использование в телекоммуникационных устройствах
  • В каких устройствах применяется:
    • Автомобильных зарядных устройствах
    • Энергоэффективных приборах
    • Мобильных телефонах и планшетах
    • Инверторах для солнечных панелей
Выбрано: Показать

Характеристики EPC2101

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • Особенности полевого транзистора
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    9.5A, 38A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    Die
  • Исполнение корпуса
    Die

Техническая документация

 EPC2101.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    NP80N03MDE-S18-AY80A, 30V, 0.011OHM, N-CHANNEL ,
    348Кешбэк 52 балла
    EAB450M12XM3Транзистор: 450A 1200V SIC HALF-BRIDGE MODUL
    166 451Кешбэк 24 967 баллов
    CAR600M17HN6Транзистор: 600A 1700V HALF-BRIDGE RECTIFIER
    555 522Кешбэк 83 328 баллов
    CAB500M17HM3500A 1700V SIC HALF-BRIDGE
    660 012Кешбэк 99 001 балл
    CAR600M12HN6Транзистор: 600A 1200V HALF-BRIDGE RECTIFIER
    527 732Кешбэк 79 159 баллов
    NX6008NBKSXТранзистор: NX6008NBKS/SOT363/SC-88
    52Кешбэк 7 баллов
    NX138BKSXТранзистор: MOSFET 2 N-CH 60V 210MA 6TSSOP
    50Кешбэк 7 баллов
    BUK9K22-80EXТранзистор: MOSFET 2 N-CH 80V 21A LFPAK56D
    434Кешбэк 65 баллов
    BUK7K23-80EXТранзистор: MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D
    244Кешбэк 36 баллов
    NX3008NBKSHТранзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 350MA 6TSSOP
    61Кешбэк 9 баллов
    BUK9K20-80EXТранзистор: MOSFET 2 N-CH 80V 23A LFPAK56D
    422Кешбэк 63 балла
    BUK9K13-60RAXТранзистор: BUK9K13-60RA/SOT1205/LFPAK56D
    454Кешбэк 68 баллов
    BUK9K30-80EXТранзистор: MOSFET 2 N-CH 80V 17A LFPAK56D
    395Кешбэк 59 баллов
    BUK9K52-60RAXТранзистор: BUK9K52-60RA/SOT1205/LFPAK56D
    298Кешбэк 44 балла
    NX1029XHТранзистор: NX1029X/SOT666/SOT6
    120Кешбэк 18 баллов
    BSS138BKSHТранзистор: BSS138BKS/SOT363/SC-88
    59Кешбэк 8 баллов
    DMT3020LFDBQ-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
    123Кешбэк 18 баллов
    DMP2040USD-13Транзистор: MOSFET BVDSS: 8V-24V SO-8 T&R 2.
    147Кешбэк 22 балла
    DMC4040SSDQ-13Транзистор: MOSFET N/P-CH 40V 7.5A 8SO
    222Кешбэк 33 балла
    DMC1030UFDBQ-7Транзистор: MOSFET N/P-CH 12V 5.1A UDFN2020
    67Кешбэк 10 баллов
    DMN3016LDV-7Транзистор: MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
    166Кешбэк 24 балла
    TQM110NB04DCR RLGТранзистор: 40V, 50A, DUAL N-CHANNEL POWER M
    306Кешбэк 45 баллов
    TSM200N03DPQ33 RGGТранзистор: MOSFET 2 N-CH 30V 20A 8PDFN
    172Кешбэк 25 баллов
    TSM250NB06DCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
    256Кешбэк 38 баллов
    TSM150NB04DCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
    196Кешбэк 29 баллов
    TQM250NB06DCR RLGТранзистор: 60V, 30A, DUAL N-CHANNEL POWER M
    183Кешбэк 27 баллов
    TSM110NB04LDCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
    222Кешбэк 33 балла
    TSM150NB04LDCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 40V,
    196Кешбэк 29 баллов
    TQM300NB06DCR RLGТранзистор: 60V, 25A, DUAL N-CHANNEL POWER M
    244Кешбэк 36 баллов
    TSM250NB06LDCR RLGТранзистор: DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V,
    228Кешбэк 34 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - ВЧ
    Диодные мосты - Модули
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диодные мосты
    Драйверы питания - Модули
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - IGBT - модули
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Принадлежности
    Симисторы - Модули
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Транзисторы - JFET
    Симисторы
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Варикапы и Варакторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Высокочастотные диоды
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - массивы
    Биполярные транзисторы - Сборки
    IGBT транзисторы
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП