EPC2108

Транзистор EPC2108:

• Марка и Производитель: EPC2108 от компании EPC
• Тип: GANFET (Ганфет)
• Количество каналов: 3 N-канального
• Номинальное напряжение: 60В / 100В
• Форм-фактор: 9BGA (9-вертексная Ball Grid Array)

Основные параметры:

• Максимальное напряжение между дренажем и эмиттером (UDS): 60В / 100В
• Максимальный ток дренажа (IDS): не указано, но обычно для таких транзисторов он зависит от конкретного приложения и условия эксплуатации
• Минимальное значение RDS(on): около 20 мОм (при определенных условиях)
• Частота перехода (fT): до 10 ГГц
• Плотность мощности (Pd): высокая, что позволяет эффективно отводить тепловые потоки

Плюсы:

• Высокая эффективность: низкое значение RDS(on) обеспечивает минимальные потери энергии
• Высокая скорость: высокая частота перехода (fT) подходит для высокочастотных применений
• Высокая плотность мощности: эффективно отводит тепловые потоки, позволяя использовать транзисторы в плотно упакованных системах
• Устойчивость к перенапряжению: высокое номинальное напряжение между дренажем и эмиттером

Минусы:

• Высокая стоимость: GANFETы обычно дороже традиционных MOSFETов из Si
• Требуют специфического подхода к проектированию: требуют учета особенностей работы с GaN

Общее назначение:

• Высокочастотные приложения: радиоэлектроника, системы связи
• Приложения с высокой плотностью мощности: солнечные батареи, беспроводные зарядные устройства
• Автомобильные системы: системы управления двигателем, зарядные устройства для аккумуляторов

Применение:

• Радиоприемники и передатчики
• Беспроводные устройства
• Системы питания
• Автомобильные системы управления
• Энергоэффективные решения