Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
EPC8010
EPC8010

EPC8010

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    EPC
  • Артикул:
    EPC8010
  • Описание:
    GANFET N-CH 100V 4A DIEВсе характеристики

Минимальная цена EPC8010 при покупке от 1 шт 562.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EPC8010 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики EPC8010

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    160mOhm @ 500mA, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.48 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    55 pF @ 50 V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    Die
  • Корпус
    Die
Техническая документация
 EPC8010.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • 8824 шт
    3-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1
    562 ₽
  • 10
    365 ₽
  • 100
    253 ₽
  • 500
    212 ₽
  • 2500
    173 ₽

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
снизить цену

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    EPC
  • Артикул:
    EPC8010
  • Описание:
    GANFET N-CH 100V 4A DIEВсе характеристики

Минимальная цена EPC8010 при покупке от 1 шт 562.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить EPC8010 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики EPC8010

  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    GaNFET (Gallium Nitride)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    160mOhm @ 500mA, 5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.48 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    +6V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    55 pF @ 50 V
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    Die
  • Корпус
    Die
Техническая документация
 EPC8010.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    IPU60R3K4CEAKMA1CONSUMER
    35Кешбэк 5 баллов
    SIDR392DP-T1-RE3N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
    509Кешбэк 76 баллов
    IXFH70N65X3MOSFET 70A 650V X3 TO247
    2 635Кешбэк 395 баллов
    SCT3080KW7TLSICFET N-CH 1200V 30A TO263-7
    3 313Кешбэк 496 баллов
    DMT6002LPS-13MOSFET N-CH 60V 100A PWRDI5060-8
    471Кешбэк 70 баллов
    NTLJS17D0P03P8ZTAGMOSFET P-CH 30V 7A 6PQFN
    170Кешбэк 25 баллов
    ISC017N04NM5ATMA1MOSFET N-CH 40V 193A TDSON-8
    314Кешбэк 47 баллов
    2N7002AТранзистор: MOSFET N-CH 60V 280MA SOT23-3
    22Кешбэк 3 балла
    TPH2R506PL,L1QMOSFET N-CH 60V 100A 8SOP
    372Кешбэк 55 баллов
    IMW120R040M1HXKSA1SIC DISCRETE
    2 177Кешбэк 326 баллов
    IRFP245N-CHANNEL POWER MOSFET
    319Кешбэк 47 баллов
    IRFRC20PBF-BE3N-CHANNEL 600V
    442Кешбэк 66 баллов
    DMP3099LQ-13MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23 T&R
    60Кешбэк 9 баллов
    NTHL025N065SC1SIC MOS TO247-3L 650V
    2 585Кешбэк 387 баллов
    SIHP180N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB
    790Кешбэк 118 баллов
    TSM2314CX RFGMOSFET N-CHANNEL 20V 4.9A SOT23
    158Кешбэк 23 балла
    STWA40N95DK5MOSFET N-CHANNEL 950V 38A TO247
    2 848Кешбэк 427 баллов
    UF3C120150B7S1200V/150MOHM, SIC, FAST CASCODE
    2 095Кешбэк 314 баллов
    TK1R5R04PB,LXGQMOSFET N-CH 40V 160A D2PAK
    513Кешбэк 76 баллов
    DMN90H8D5HCTMOSFET N-CH 900V 2.5A TO220AB
    175Кешбэк 26 баллов
    DMP2120U-7MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23
    54Кешбэк 8 баллов
    IPB320N20N3GATMA1MOSFET N-CH 200V 34A D2PAK
    681Кешбэк 102 балла
    CSD17570Q5BTMOSFET N-CH 30V 100A 8VSON
    586Кешбэк 87 баллов
    2SJ687-ZK-E2-AYSMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
    307Кешбэк 46 баллов
    IPA60R160P7XKSA1MOSFET N-CH 600V 20A TO220
    597Кешбэк 89 баллов
    SIHF065N60E-GE3MOSFET N-CH 600V 40A TO220
    1 288Кешбэк 193 балла
    TSM250N02CX RFGMOSFET N-CHANNEL 20V 5.8A SOT23
    89Кешбэк 13 баллов
    FW905-TL-EP-CHANNEL SILICON MOSFET
    115Кешбэк 17 баллов
    TK6R9P08QM,RQUMOS10 DPAK 80V 6.9MOHM
    285Кешбэк 42 балла
    TJ80S04M3L,LXHQMOSFET P-CH 40V 80A DPAK
    358Кешбэк 53 балла

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Диодные мосты
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Полевые транзисторы - Модули
    Симисторы - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    IGBT транзисторы
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - SCR - модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Принадлежности
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Полевые транзисторы - Сборки
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Диоды силовые
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Симисторы
    Драйверы питания - Модули
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Транзисторы - Специального назначения
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Статьи
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2026, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП